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最新专利技术
  • 可编程逻辑控制器及模块化结构
    可编程逻辑控制器及模块化结构_无锡市同源电气技术有限公司_202512043786.6
    本申请涉及PLC设计技术领域，公开了一种可编程逻辑控制器及模块化结构，所述可编程逻辑控制器包括：CPU主机模块和至少一个扩展模块；通过CPU主机模块与可拆卸扩展模块组合，省去复杂机架，简化整体布局。模块外壳均为铝合金，兼具良好电磁屏蔽性能，...
    2026-03-17
  • 一种具有电磁屏蔽和散热性能的柔性镍箔碳纳米管复合材料
    一种具有电磁屏蔽和散热性能的柔性镍箔碳纳米管复合材料_哈尔滨工业大学_202610001874.1
    本发明属于纳米复合材料领域，公开一种具有良好电磁屏蔽和散热性能的柔性镍箔碳纳米管复合材料。首先以柠檬酸和尿素作为反应物，经交联反应后得到固体碳源；而后通过固态碳源化学气相沉积法在金属镍箔表面生长碳纳米管，所得碳纳米管均匀致密分布在金属镍箔上...
    2026-03-17
  • 一种适用于软硬结合板高Tg点的电磁屏蔽膜
    一种适用于软硬结合板高Tg点的电磁屏蔽膜_山东劲拓新材料科技有限公司_202610072307.5
    本发明提供一种适用于软硬结合板高Tg点的电磁屏蔽膜，该膜的制备工艺如下：具体包括以下步骤：步骤一：保护膜贴合；步骤二：油墨涂布；步骤三：磁控溅射；步骤四：电镀，通过电镀设备对膜体电镀，电镀时采用焦磷酸盐镀铜工艺，根据客户对屏蔽效能的要求镀不...
    2026-03-17
  • 印刷电路板加工用焊接设备
    印刷电路板加工用焊接设备_昆山英业特电子科技有限公司_202511835723.8
    本发明涉及焊接设备技术领域，公开了印刷电路板加工用焊接设备，包括机械臂，两个所述机械臂分别固定连接在底板的顶部前后侧，所述底板的顶部左侧固定连接有多个电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的上侧固定连接有喷头，多个所述转动辊的相邻之间均转动连接有伸缩管...
    2026-03-17
  • 一种焊点自动除杂的电路板贴片机
    一种焊点自动除杂的电路板贴片机_江苏晶威电子科技有限责任公司_202610092997.0
    本发明涉及电路板贴片机技术领域，且公开了一种焊点自动除杂的电路板贴片机，包括机体，所述机体的上表面安装有防护罩，所述防护罩的上表面固定连接有警示灯，所述机体的一侧安装有操作机构，所述机体的上表面设置有贴片组件。本发明中，采用间歇敲击和负压吸...
    2026-03-17
  • 一种SMT贴片生产线的AOI检测设备及方法
    一种SMT贴片生产线的AOI检测设备及方法_创马优科技智造(深圳)有限公司_202511819926.8
    本发明涉及SMT贴片生产设备技术领域，尤其涉及一种SMT贴片生产线的AOI检测设备及方法。其技术方案包括：一种SMT贴片生产线的AOI检测设备，包括：工作台、AOI检测平台，所述AOI检测平台安装于工作台的侧壁上，所述AOI检测平台包括固定...
    2026-03-17
  • 基于数字孪生的SMT产线虚拟调试方法
    基于数字孪生的SMT产线虚拟调试方法_杭州赫迈思科技有限公司_202610139506.3
    本发明涉及智能制造与工业自动化领域，公开了一种基于数字孪生的SMT产线虚拟调试方法。该方法包括：构建融合几何、运动学、动力学、控制逻辑与工艺模型的高保真度数字孪生体；通过多源传感器实时采集物理产线数据并驱动孪生体同步仿真；当检测到异常时，基...
    2026-03-17
  • 静态随机存取存储器
    静态随机存取存储器_清华大学_202511522112.8
    本发明提供一种静态随机存取存储器，包括：依次叠加设置的栅极、第一介质层、沟道层、接触电极、掺杂层、第二介质层、第一互联电极、第三介质层以及第二互联电极；在所述静态随机存取存储器工作时，所述第一互联电极以及所述第二互联电极通过所述第二介质层以...
    2026-03-17
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511618673.8
    描述了半导体结构和制造半导体结构的方法。一种示例性方法包括：接收包括n型晶体管和p型晶体管的中间结构，在n型晶体管和p型晶体管下形成介电结构，形成各自延伸穿过介电结构的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽暴露n型晶体管的源极/漏极部件的底面，第二沟...
    2026-03-17
  • 静态随机存取存储器单元及其制备方法和电子设备
    静态随机存取存储器单元及其制备方法和电子设备_北京知识产权运营管理有限公司_202511729053.1
    本申请提供了一种静态随机存取存储器单元及其制备方法和电子设备，静态随机存取存储器单元包括：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；第一下拉晶体管和第二下拉晶体管；第一传输晶体管和第二传输晶体管；设置在SRAM单元的背面的第一电源轨和第二电源轨；在垂...
    2026-03-17
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411187619.8
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括外围电路层、电源线和第一互连层。外围电路层包括沿第一方向延伸的隔离结构、以及位于相邻的隔离结构之间的晶体管。电源线在外围电路层内沿第一方向延伸并凸出于外围电路层。第一互连层位...
    2026-03-17
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510557357.8
    半导体器件包括：位于衬底上并沿着平行于衬底的上表面的第一方向和垂直于衬底的上表面的第二方向彼此间隔开的多个沟道；多个栅极结构，每个栅极结构在第一方向上延伸，并至少部分地围绕多个沟道的在第一方向上布置的第一子集的一部分，并且沿着第二方向彼此间...
    2026-03-17
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510858148.7
    本公开涉及一种半导体器件，可包括高集成度的存储单元，以及制造半导体器件的方法，可包括在衬底之上形成包括多个初步纳米片的模堆叠；形成围绕初步纳米片的部分的目标层；对目标层执行第一水平凹陷工艺并形成初步水平导线；以及对初步水平导线执行第二水平凹...
    2026-03-17
  • 用于字线结构形成的雕刻沟槽
    用于字线结构形成的雕刻沟槽_美光科技公司_202511160950.5
    本公开涉及一种用于字线结构形成的雕刻沟槽。本文中所描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件和存储器装置。在一些实施方案中，一种集成组合件包含具有上部部分和下部部分的有源区域区，其中所述下部部分的宽度小于所述上部部分的宽度。所述集成组合件进一步...
    2026-03-17
  • 三维存储阵列、存储器以及电子设备
    三维存储阵列、存储器以及电子设备_联和存储科技(江苏)有限公司_202511628681.0
    本发明公开一种三维存储阵列，包括衬底和堆叠在衬底上的叠层结构，还包括贯穿叠层结构设置的沟道孔，沟道孔与衬底相互垂直，且多个沟道孔呈正六边形的蜂巢状排列在叠层结构的上表面，在叠层结构的上表面还竖向设置了多条位线；多个沟道孔所构成的正六边形最上...
    2026-03-17
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511867872.2
    本发明提供了一种半导体器件，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过将第一绝缘插塞设置在第一位线和第二位线之间的方式，形成新的半导体器件结构。
    2026-03-17
  • 电可编程熔丝单元及电可编程熔丝存储器单元
    电可编程熔丝单元及电可编程熔丝存储器单元_上海华力集成电路制造有限公司_202511676184.8
    本发明公开了一种电可编程熔丝单元，其包括1个熔丝对及1个NMOS控制管；熔丝对包括采用并联方式连接的一个金属熔丝和一个AA熔丝；熔丝对的一端作为位线端BL，另一端接NMOS控制管的漏端；NMOS控制管的栅端作为字线端WL，源端作为接地端GN...
    2026-03-17
  • 一次性可编程器件及其制程方法
    一次性可编程器件及其制程方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511677456.6
    本申请提供一种一次性可编程器件及其制程方法。一种一次性可编程器件，包括：衬底；第一晶体管，形成在所述衬底上，包括源区和漏区；第二晶体管，形成在所述衬底上并与所述第一晶体管连接，其中，所述第二晶体管包括第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极...
    2026-03-17
  • 半浮栅晶体管及其制造方法
    半浮栅晶体管及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411146714.3
    本发明公开了一种半浮栅晶体管，存储单元包括形成于多个平行排列的第一有源区的选定区域中的半浮栅沟槽。半浮栅导电材料层填充在半浮栅沟槽中并延伸到半浮栅沟槽外。在各第一场氧的顶部形成有半浮栅分割沟槽，各半浮栅分割沟槽将两侧的半浮栅导电材料层完全切...
    2026-03-17
  • SONOS存储器及其制备方法
    SONOS存储器及其制备方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511746173.2
    本申请提供一种SONOS存储器及其制备方法，其中在制备方法中，通过第一光刻工艺以及刻蚀硬掩膜层在选择管区域和存储管区域形成第一开口；然后通过第二光刻工艺以及刻蚀硬掩膜层在存储管区域和选择管区域交界处形成第二开口，接着之间通过一次刻蚀工艺同时...
    2026-03-17
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