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  • 本发明提出了一种用于大功率光纤飞秒激光器的智能控制方法及装置,属于光纤飞秒激光器技术领域;包括锁模控制和温度控制,具体的:根据重频检测系统的反馈信号控制智能锁模系统进行锁模操作,并根据温度采样单元的反馈信号控制智能温控系统进行分级温度调节,...
  • 本发明提供一种抑制被动调Q激光器定时抖动的复合控制系统及方法,通过光电采样电路实时获取激光输出的时序与能量信息,构建高精度闭环反馈机制,实现激光脉冲间隔的亚纳秒级测量,为时序抖动的精确感知提供数据基础。闭环控制电路中引入神经网络模型,能够有...
  • 本申请公开了一种用于窄线宽激光器的无跳模扫描控制方法,属于激光控制技术领域。方法包括:生成基准电流扫描信号和基准电压扫描信号;生成高频抖动信号,并将高频抖动信号与基准电流扫描信号叠加,以生成用于驱动窄线宽激光器的总注入电流;获取窄线宽激光器...
  • 本发明涉及激光控制技术领域,公开了多维度状态联动的二氧化碳激光输出闭环控制方法及系统,方法包括:获取目标输出参数及导光系统的实时姿态数据;根据姿态数据确定几何传输限制参数,并结合热效应映射关系计算预测光束特征;将预测光束特征与安全阈值进行比...
  • 本公开提供了一种光发射部件及光模块,包括基板,基板上设有激光芯片和信号接入组件。基板表面形成有第一高频信号线和第二高频信号线。信号接入组件包括第一接入件和第二接入件。激光芯片包括第一正电极、第一负电极、第二正电极、第二负电极、第一匹配电路和...
  • 本发明公开了一种硅基磷化铟激光器及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,包括:依次层叠设置的硅衬底、复合绝缘层、范德华缓冲层、磷化铟外延结构;磷化铟外延结构包括层叠于范德华缓冲层上的第一外延结构,以及层叠于第一外延结构上的第二外延结构;第一外...
  • 本发明涉及数控脉冲电源技术,具体涉及一种具有时钟同步功能的大电流激光脉冲驱动电源装置,装置集成了输入电源或者电池模块、前置DC‑DC升压模块、第一、第二电容器阵列与卸能模块、线性缓冲LDO阵列模块、输出控制阵列、激光二极管、温度检测与控制模...
  • 本发明属于驱动电路技术领域,提出一种LD驱动源温度控制电路及控制方法,包括数字化TEC驱动电路、数字化温度采样电路以及FPGA反馈控制算法电路;数字化TEC驱动电路的输入端连接FPGA反馈控制算法电路的输出端,输出端连接激光模块,根据数字控...
  • 本发明涉及一种窄脉冲激光驱动系统,涉及激光驱动技术领域,系统包括:主控电路模块、信号发生与脉冲整形电路模块和驱动电路模块;其中,主控电路模块获取控制指令后,将其发送给信号发生与脉冲整形电路模块;信号发生与脉冲整形电路模块响应于控制指令,生成...
  • 一种隔离式半导体激光器、光发射组件及光模块,包括一个前段DFB激光器和一个后段DFB激光器;其中前段DFB激光器的激射波长为 ,后段DFB激光器的激射波长为,且;后段DFB激光器被配置为由直流电流驱动;前段DFB激光器被配置为工作于直流偏置...
  • 本发明公开了半导体激光治疗仪功率控制系统及方法,具体涉及激光设备控制技术领域,本发明通过基于治疗时间划分开始、持续、结束阶段,对应采用初始穿透、持续适应、渐进降功策略,在治疗持续阶段采集患者皮肤阻抗幅度、组织温度生物参数,结合由患者年龄、性...
  • 本发明提供基于动态波前整形的高稳定单模半导体激光器及控制系统,涉及半导体激光器技术领域,包括依次光学耦合的半导体激光增益模块、动态波前整形模块和单模筛选模块和激光输出模块,其中:半导体激光增益模块由量子阱结构增益芯片构成,增益芯片的有源区表...
  • 本发明实施例提供了一种基于前馈补偿的激光器波长快速锁定与功率调制方法,涉及激光波长调制技术的技术领域;其方法包括:并行监测激光器的状态信息;基于所述状态信息生成补偿信号;对所述补偿信号进行融合分配处理,以得到复合控制信号;基于所述复合控制信...
  • 本发明提供了一种基于波形特征分析的激光波长锁定方法,包括以下步骤:获取激光探测信号的波形采样数据,确认激光探测信号的信号特征点以及计算信号特征点的索引平均值以及索引变化值;实时调整激光驱动信号的电压范围,直至激光驱动信号的电压范围与激光探测...
  • 本发明公开了一种光子集成激光器的制备方法及结构,其方法包括:将器件分为七段功能区域,包括两个调制器区、两个增益区、两个前光栅区和一个共用后光栅区;通过两次对接生长分别形成调制器区的有源材料和光栅区的无源材料;在前后光栅区制作取样光栅后,生长...
  • 本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,涉及半导体激光器技术领域,该垂直腔面发射激光器的有源层中,量子阱层为InGaAs层,量子垒层包括电子阻挡层和/或空穴加速层,电子阻挡层为AlGaAs层,空穴加速层为GaAsP层、AlGaAsP...
  • 本发明提供了一种深紫外激光器外延结构及其外延生长方法,上述深紫外激光器外延结构通过使第一波导层的Al组分从靠近电子注入层侧线性递增至靠近量子阱有源层侧,或者使第二波导层的Al组分从靠近量子阱有源层侧线性递减至靠近空穴注入层侧,形成以量子阱有...
  • 本发明提供一种暗态带电激子荧光发射器件及其制备方法,暗态带电激子荧光发射器件包括衬底、金属层、二维半导体层和银纳米线;其中,二维半导体层与银纳米线接触部分的材质为单层二维材料,且金属层与银纳米线形成垂直堆叠的等离激元纳米谐振腔;等离激元纳米...
  • 本发明公开了一种半导体激光器及其显示装置,包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层;第一半导体层和有源层之间包括有第一波导层,第二半导体层和有源层之间包括有第二波导层;第二波导层与第二半导体层之间设置有电子阻挡层,电子阻挡层在靠...
  • 本发明属于负氧离子设备技术领域,具体涉及一种小型气激式负氧离子发生装置,包括壳体和设置于壳体中的分离器;壳体的顶部设有预留口,底部通过进气管连通于空压设备;壳体的上部区域还设有高浓度气体输出管,下部区域设有进水口;分离器包括混合筒以及至少两...
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