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最新专利技术
  • 一种芯片封装结构和射频模组
    一种芯片封装结构和射频模组_上海安其威微电子科技有限公司_202610069714.0
    本申请提供了一种芯片封装结构和射频模组，该芯片封装结构包括：基板，基板的上表面包括接地端；具有射频模块的芯片，倒装设置于基板上并与基板电连接，包括在基板上依次层叠的互连层和衬底，互连层包括多层层叠的导电层、导电层间的导电插塞；多个第一接地通...
    2026-02-27
  • 封装结构与其形成方法
    封装结构与其形成方法_常忆科技股份有限公司_202411098696.6
    一种封装结构的形成方法，其包含以下步骤：设置一晶片粘着层于一晶圆；降低晶片粘着层的部分连接性，其中降低晶片粘着层对应晶圆的多个切割道的一部分区域的连接性；分离晶圆的多个晶片，其中依据晶圆的切割道分离晶片；以及设置各晶片于一导线架，其中晶片粘...
    2026-02-27
  • 一种防变形引线框架的覆膜装置
    一种防变形引线框架的覆膜装置_广州丰江微电子有限公司_202610020097.5
    本发明涉及芯片加工技术领域，提出了一种防变形引线框架的覆膜装置，包括装置机架，装置机架上固定安装有保护外壳，装置机架上固定安装有固定机架，还包括，支撑机架、负压固定组件、覆膜组件、放膜组件和张力调节组件，支撑机架固定安装在装置机架上，支撑机...
    2026-02-27
  • 一种内嵌式玻璃基板的制作方法
    一种内嵌式玻璃基板的制作方法_苏州同颂科技有限公司_202511641395.8
    本发明公开了一种内嵌式玻璃基板的制作方法，包括以下步骤：取一BT基板作为基材层；在基材层上开设若干个贯穿腔体；在基材层的底面上贴附一层PET膜；使用贴片机将玻璃基材放入至贯穿腔体中；在玻璃基材与贯穿腔体之间的缝隙中填充塞孔剂，固化形成保护层...
    2026-02-27
  • 超低粗糙度的AMB陶瓷载板的制造方法
    超低粗糙度的AMB陶瓷载板的制造方法_宜宾红星电子有限公司_202511752638.5
    本发明公开的是陶瓷载板生产技术领域的一种超低粗糙度的AMB陶瓷载板的制造方法。对完成铜图形蚀刻的AMB陶瓷基板进行如下操作，S1.掩膜图形 : 采用干膜光刻工艺，感应光膜经曝光显影后在原图形上形成掩膜图形，遮盖非芯片焊接区，露出芯片焊接区；...
    2026-02-27
  • 一种TGV玻璃基板及其限位生长工艺
    一种TGV玻璃基板及其限位生长工艺_湖州晶洲半导体科技有限公司_202511847744.1
    本发明提供一种TGV玻璃基板及其限位生长工艺。该限位生长工艺包括以下步骤：提供玻璃基板，玻璃基板具有相对的正面和背面；玻璃基板上开设有若干个玻璃通孔；在玻璃基板的背面压合金属箔，形成玻璃通孔的限位基底，然后在玻璃通孔内限位生长金属柱，并在玻...
    2026-02-27
  • 基于大尺寸玻璃基载板的板级芯片封装方法及结构
    基于大尺寸玻璃基载板的板级芯片封装方法及结构_深圳中科四合科技有限公司_202511714229.6
    本发明公开了一种基于大尺寸玻璃基载板的板级芯片封装方法，所述方法包括：制备带上下对位靶点图形的玻璃基载板；涂覆光解键合胶形成临时键合层，将焊盘朝上的芯片键合形成临时键合体；塑封形成塑封层，基于靶点图形定位制备贯穿塑封层的金属化孔；紫外光解键...
    2026-02-27
  • 玻璃基封装载板的制作方法及玻璃基封装载板
    玻璃基封装载板的制作方法及玻璃基封装载板_苏州国显创新科技有限公司_202511735108.X
    本申请涉及一种玻璃基封装载板的制作方法和玻璃基封装载板，制作方法包括：提供临时载板和设于临时载板上的生长模板，生长模板上开设有贯穿至临时载板表面的生长通孔，临时载板位于生长通孔内的表面上设置有导电金属基底；采用电镀法对生长通孔进行金属填充，...
    2026-02-27
  • 一种基于铝垫直接化学镀重布线层的制作方法
    一种基于铝垫直接化学镀重布线层的制作方法_广西华芯振邦半导体有限公司_202511544175.3
    本发明公开了一种基于铝垫直接化学镀重布线层的制作方法，涉及半导体加工技术领域，包括以下步骤，晶圆清洗、光阻涂布、PAB软烘烤、RDL曝光、显影、Descum处理、活化处理、RDL化镀以及光阻去除；本发明摒弃了传统半导体封装中必需的、昂贵且复...
    2026-02-27
  • 多颗芯片堆叠扇出封装结构及其封装方法
    多颗芯片堆叠扇出封装结构及其封装方法_厦门云天半导体科技有限公司_202511637383.8
    本发明公开一种多颗芯片堆叠扇出封装结构及其封装方法，该方法包括：提供一基板和至少两颗不同尺寸大小的芯片，基板具有相对的第一表面和第二表面；将最大尺寸的第一芯片功能面朝上，贴装于基板的第一表面；将尺寸小于第一芯片，且贴装后不影响第一芯片焊盘引...
    2026-02-27
  • 集成散热结构的芯片扇出封装及其封装方法
    集成散热结构的芯片扇出封装及其封装方法_厦门云天半导体科技有限公司_202511637385.7
    本发明公开了一种集成散热结构的芯片扇出封装及其封装方法，该方法包括：提供一散热基板，散热基板具有第一表面和第二表面；提供一芯片，将芯片的功能面向上贴装于散热基板的第一表面；在芯片的功能面和第一表面上覆盖塑封层，塑封层为树脂或胶和无机物形成的...
    2026-02-27
  • 多颗芯片扇出封装结构及其封装方法
    多颗芯片扇出封装结构及其封装方法_厦门云天半导体科技有限公司_202511637401.2
    本发明公开一种多颗芯片扇出封装结构及其封装方法，该方法包括：提供一基板和至少两个不同厚度的芯片；在基板的第一表面上制作底垫；将最厚芯片贴装于第一表面；将薄芯片贴装于其对应的底垫上；对基板上的芯片进行塑封形成塑封层，塑封层为树脂或胶和无机物形...
    2026-02-27
  • 多芯片扇出封装结构及其封装方法
    多芯片扇出封装结构及其封装方法_厦门云天半导体科技有限公司_202511637403.1
    本发明公开一种多芯片扇出封装结构及其封装方法，该方法包括：提供一基板；提供至少两个不同厚度的芯片，并将各芯片的功能面朝上贴装于基板的第一表面；在芯片的功能面上和第一表面上覆盖塑封层，塑封层为树脂或胶和无机物形成的混合材料膜层；采用激光加工的...
    2026-02-27
  • 功率模块
    功率模块_台达电子工业股份有限公司_202411099092.3
    本公开关于一种功率模块，设置于主板，且主板包含金属面，其中功率模块包含功率器件、第一焊锡层、第二焊锡层及导接部件，功率器件包含第一面、第二面、源极、栅极及漏极，第一面及第二面相对设置，源极及栅极设置于第一面，漏极设置于第二面，第一焊锡层贴合...
    2026-02-27
  • 半导体器件、引线框架、系统及其相关的制造方法
    半导体器件、引线框架、系统及其相关的制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511074459.0
    一种半导体器件包括第一管芯焊盘，所述第一管芯焊盘包括第一安装表面和相对于所述第一安装表面升高的第一升高部分。第一半导体芯片安装在所述第一安装表面上。所述半导体器件还包括第二管芯焊盘，所述第二管芯焊盘包括第二安装表面。第二半导体芯片安装在所述...
    2026-02-27
  • 一种防水效果好的电源IC
    一种防水效果好的电源IC_上海乐瓦微电子科技有限公司_202610070344.2
    本发明公开了一种防水效果好的电源IC，属于电源管理集成电路技术领域，包括封装壳体、芯片、引脚和防水组件，所述芯片设置于封装壳体内，所述引脚一端与芯片电连接，另一端伸出封装壳体，所述防水组件包括覆盖于芯片表面的复合钝化层，复合钝化层由氧化硅层...
    2026-02-27
  • 一种光电共封装结构及其制备方法
    一种光电共封装结构及其制备方法_厦门大学_202511717946.4
    本发明公开了一种光电共封装结构及其制备方法，所述光电共封装结构包括光波导放大器、光纤连接器、LED垂直泵浦阵列、电子集成芯片、光子集成芯片和倏逝波层间耦合结构；芯片之间通过TGV、RDL等电互连结构实现电信号传输；其中，光波导放大器与光子集...
    2026-02-27
  • 一种芯片埋入式硅转接板的封装方法及对应的封装结构
    一种芯片埋入式硅转接板的封装方法及对应的封装结构_华天科技(江苏)有限公司_202511770545.5
    本发明提供了一种芯片埋入式硅转接板的封装方法，其用于解决现有技术封装中热膨胀系数失配、封装翘曲过大的问题。其通过在硅转接板内部蚀刻形成凹槽，凹槽用于内嵌元件，随后通过硅通孔的垂直互连结构实现硅转接板的上/下表面与嵌入式元件的电气连接。
    2026-02-27
  • 一种非对称玻璃基板的制作结构及其方法
    一种非对称玻璃基板的制作结构及其方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511812571.X
    本发明涉及半导体技术领域，具体地说是一种非对称玻璃基板的制作结构及其方法，利用玻璃胶层固定TGV打孔后的玻璃芯层，采用双面化镀以及电镀填孔有效的提升了电镀效率，同时做到两面电镀面积平衡可以有效提升玻璃面的镀铜均匀性以及玻璃孔的填孔均匀性。同...
    2026-02-27
  • 一种高密度封装的TGV梯度材料填充互连结构及其填充方法
    一种高密度封装的TGV梯度材料填充互连结构及其填充方法_武汉大学_202511618793.8
    本发明公开了一种高密度封装的TGV梯度材料填充互连结构及其填充方法，涉及半导体封装技术领域。TGV梯度材料填充互连结构包括位于玻璃基板上的玻璃通孔，玻璃通孔内部填充有导电金属主体；玻璃通孔的内壁与导电金属主体之间依次设有微纳锚钉结构层、分子...
    2026-02-27
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