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最新专利技术
  • 贴片机自动控制方法及系统
    贴片机自动控制方法及系统_浙江华企正邦自动化科技有限公司_202511703357.0
    本申请涉及贴片机控制领域，具体公开了一种贴片机自动控制方法及系统，其通过同时执行吸嘴中心坐标的回归预测和吸嘴轮廓的语义分割，针对单一模型可能存在的偶然性误差，通过对回归和分割两个任务的预测结果进行一致性校验与加权融合，确保最终输出坐标的高精...
    2026-03-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610055564.8
    本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、第一浅沟槽隔离结构、第一套刻标记结构；衬底包括芯片区和切割道区，芯片区形成有第一沟槽，切割道区形成有第二沟槽；第一浅沟槽隔离结构位于芯片区的第一沟槽内，且包括与...
    2026-03-01
  • 一种半导体结构的制作方法及半导体结构
    一种半导体结构的制作方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202610069717.4
    本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构包括衬底，衬底的连接区域包括垂直交替的第一绝缘层和半导体层；在连接区域用第二绝缘层替换部分半导体层；形成穿过第一绝缘层、第二绝缘层以及剩余的半导体层的接触插塞，接触插塞以不同的延伸...
    2026-03-01
  • 闪速存储器及其制造方法
    闪速存储器及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411410309.8
    本发明提供一种闪速存储器及其制造方法。上述闪速存储器的制造方法包括以下步骤。在衬底上形成垫氧化物层。在垫氧化物层与衬底中形成多个隔离结构。隔离结构突出于垫氧化物层的顶面。在隔离结构与垫氧化物层上形成离子注入缓冲层。对离子注入缓冲层与垫氧化物...
    2026-03-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511682862.1
    一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成衬垫层；在衬垫层对应逻辑单元区域的部分中形成底部延伸至逻辑单元区域内的第一浅沟槽隔离结构，在衬垫层对应闪存单元区域的部分中形成底部延伸至闪存单元区域内的第二浅沟槽隔离结构；对第...
    2026-03-01
  • 一种铁电存储器及其制备方法
    一种铁电存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511618198.4
    本发明提供了一种铁电存储器及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：S1、通过离子束溅射工艺在衬底上沉积底电极层；S2、通过磁控溅射工艺沉积铁电层；在铁电层沉积过程中，通过控制通氧量调节沉积气氛中的氧含量，进而调控铁电层中氧空位的浓度；S3、对...
    2026-03-01
  • 器件结构及其形成方法
    器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540243.9
    可以通过以下步骤提供相变存储器器件：形成底部电极、介电材料层和延伸穿过介电材料层的通孔开口，以使得底部电极的顶表面段暴露在通孔开口下面；在通孔开口的外围区域中形成管状介电间隔件；在介电材料层和管状介电间隔件上方沉积连续层堆叠件，该连续层堆叠...
    2026-03-01
  • 具有双面半导体晶片的半导体封装件
    具有双面半导体晶片的半导体封装件_桑迪士克科技股份有限公司_202510543752.0
    具有一个或多个双面NAND存储器设备的半导体封装件包括：中介层，该中介层包括一体形成在中介层内的多个多路复用器(MUX)；和多个双面NAND存储器设备，该多个双面NAND存储器设备被设置在中介层上方。双面NAND存储器设备电耦合到MUX。每...
    2026-03-01
  • 芯片三维堆叠结构、电子设备及热优化方法
    芯片三维堆叠结构、电子设备及热优化方法_北京大学_202511656200.7
    本申请提供了一种芯片三维堆叠结构、电子设备及热优化方法，属于半导体技术领域。芯片三维堆叠结构的内存模块堆叠于逻辑芯片的上表面，内存模块包括沿着预设方向依次堆叠的至少一个内存芯片；逻辑芯片包括多个核心组，每个核心组包括至少一个性能核心和一个能...
    2026-03-01
  • 一种DRAM双颗粒堆叠封装结构及封装工艺
    一种DRAM双颗粒堆叠封装结构及封装工艺_沛顿科技(深圳)有限公司_202511707345.5
    本发明公开了一种DRAM双颗粒堆叠封装结构及封装工艺，包括第一DRAM颗粒、第二DRAM颗粒、胶水、第一基板、第二基板、键合线、塑封区域以及锡球；第一DRAM颗粒和第二DRAM颗粒均为经塑封面打磨减薄处理的颗粒，且两颗颗粒的打磨面通过胶水背...
    2026-03-01
  • 半导体装置
    半导体装置_极芯拓方技术(上海)有限公司_202610055886.2
    本公开涉及半导体技术领域，提供一种半导体装置，用于解决高带宽存储器技术仍存在较大提升空间的技术问题。半导体装置包括：芯片堆叠结构，包括：沿第一方向堆叠设置的第一半导体芯片和第二半导体芯片堆叠结构；第一半导体芯片包括控制器、计算模块以及接口模...
    2026-03-01
  • 一种通过器件尺寸调控铁电畴壁存储器保持性的方法
    一种通过器件尺寸调控铁电畴壁存储器保持性的方法_绍芯实验室_202511510835.6
    本申请涉及一种通过器件尺寸调控铁电畴壁存储器保持性的方法，在2°斜切的SrTiO3(001)衬底上外延生长200 nm厚BiFeO3薄膜，采用脉冲激光沉积保证薄膜质量，并在其表面经磁控溅射、电子束光刻及反应离子刻蚀形成Pt平面电极结构，通过...
    2026-03-01
  • 低等效串联电阻的硅电容器结构及其制备方法、电子设备
    低等效串联电阻的硅电容器结构及其制备方法、电子设备_北京晨晶电子有限公司_202511585396.5
    本发明提供一种低等效串联电阻的硅电容器结构及其制备方法、电子设备，属于半导体技术领域，硅电容器结构，包括：硅衬底，硅衬底的正面形成有沟槽网络；叠层电容结构，设置于沟槽网络内以及硅衬底的正面，叠层电容结构包括至少一层由底电极、介质层和顶电极构...
    2026-03-01
  • 三电极硅电容器结构及其制备方法、电子设备
    三电极硅电容器结构及其制备方法、电子设备_北京晨晶电子有限公司_202511585426.2
    本发明提供一种三电极硅电容器结构及其制备方法、电子设备，属于半导体技术领域，三电极硅电容器结构，包括：硅衬底，硅衬底的正面形成有沟槽网络；叠层电容结构，设置于沟槽网络内以及硅衬底的正面，叠层电容结构包括至少一层由底电极、介质层和顶电极构成的...
    2026-03-01
  • 三维电容器及其制造方法、存储器及电子设备
    三维电容器及其制造方法、存储器及电子设备_张江国家实验室_202511756242.8
    本发明提供一种高k值和低漏电流的三维电容器及其制造方法、存储器及电子设备。三维电容器包括：圆柱状的第一电极；第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的介质层，所述介质层的晶体结构被配置为表现出铁电特性，且在由所述第一电极、所述第二...
    2026-03-01
  • 电容结构及其形成方法
    电容结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202610045354.0
    本发明提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：形成第一金属极板；在所述第一金属极板上形成第一氮化钛层，所述第一氮化钛层的热膨胀系数小于所述第一金属极板的热膨胀系数；在所述第一氮化钛层上形成介质叠层，所述介质叠层中所有层均为含氮材料层，且...
    2026-03-01
  • 氢处理优化β-Ga2O3肖特基二极管界面的方法
    氢处理优化β-Ga2O3肖特基二极管界面的方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511584645.9
    本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种氢处理优化β‑Ga22O33肖特基二极管界面的方法，包括 : 提供一β‑Ga22O33肖特基二极管，β‑Ga22O33肖特基二极管包括β‑Ga22O33半导体衬底、位于β‑Ga22O33半导体衬底...
    2026-03-01
  • 抗中子单粒子烧毁的氧化镓肖特基二极管及其制备方法
    抗中子单粒子烧毁的氧化镓肖特基二极管及其制备方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511571158.9
    本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种抗中子单粒子烧毁的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括氧化镓衬底、位于氧化镓衬底上的N型漂移层、位于N型漂移层上的阳极肖特基接触以及阴极欧姆接触、复合终端结构；复合终端结构设置于N型漂移层...
    2026-03-01
  • 晶体管结构制备方法、装置、设备及介质
    晶体管结构制备方法、装置、设备及介质_上海积塔半导体有限公司_202511493052.1
    本公开涉及一种晶体管结构制备方法、装置、设备及介质，方法包括：获取晶体管结构的工艺节点参数及对应的栅氧化层厚度调节模型；根据晶体管结构的目标β值及栅氧化层厚度与晶体管电流放大倍数β值的关联关系，确定晶体管结构的目标栅氧化层厚度；根据目标栅氧...
    2026-03-01
  • 一种HBT器件
    一种HBT器件_厦门市三安集成电路有限公司_202511912488.X
    本申请提供一种HBT器件，包括：集电极结构；所述集电极结构包括次集电极层、设于所述次集电极层上方的集电极层、以及集电极接触金属；所述集电极接触金属与所述次集电极层接触，所述集电极接触金属与所述次集电极层之间的接触面至少包括相互连接的第一接触...
    2026-03-01
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