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最新专利技术
  • 用于在衬底上沉积金属碳化物的方法和系统
    用于在衬底上沉积金属碳化物的方法和系统_ASMIP私人控股有限公司_202511039892.0
    提供了用于在衬底上沉积金属碳化物的方法和系统。该方法可以包括：在反应室中提供衬底，在反应室中提供包含具有第一金属的金属烷基的第一前体，在反应室中提供包含卤代烃的第二前体，以及在反应室中提供包含与第一金属不同的第二金属的第三前体。可以在衬底上...
    2026-02-20
  • 伪栅形成方法及半导体器件的形成方法
    伪栅形成方法及半导体器件的形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610019644.8
    本申请公开了伪栅形成方法及半导体器件的形成方法，该伪栅形成方法包括：提供一衬底，衬底内形成有隔离结构，隔离结构上形成有用于构成伪栅的层叠结构；将隔离结构表面的位于层叠结构侧壁下的部分蚀刻掉，形成凹槽；在衬底上形成覆盖层叠结构侧壁的伪栅侧墙，...
    2026-02-20
  • 一种二极管分离型IGBT器件的压接结构及压接方法
    一种二极管分离型IGBT器件的压接结构及压接方法_国网智能电网研究院有限公司_202411039964.7
    本发明提供了一种二极管分离型IGBT器件的压接结构及压接方法，包括：多个依次串联压接的二极管分离型IGBT器件、多个散热器以及多组母排；每个所述二极管分离型IGBT器件包括一个IGBT和一个单独压接的二极管，所述IGBT和二极管之间通过一组...
    2026-02-20
  • 衬底电位管理电路
    衬底电位管理电路_上海新微半导体有限公司_202511618640.3
    本发明提供一种衬底电位管理电路，应用于双向开关器件中，包括：第一二极管，阳极连接双向开关器件的衬底，阴极连接双向开关器件的漏极；第二二极管，阳极连接双向开关器件的衬底，阴极连接双向开关器件的源极；第三二极管，阳极连接双向开关器件的衬底，阴极...
    2026-02-20
  • 防雷电连接器用TVS芯片集成化阵列器件及制备方法
    防雷电连接器用TVS芯片集成化阵列器件及制备方法_辽宁省轻工科学研究院有限公司_202610018187.0
    本发明属于电连接器防护技术领域，具体涉及防雷电连接器用TVS芯片集成化阵列器件及制备方法，包括由上至下依次设置的上端陶瓷平板、导入电极、TVS芯片、导出电极和下端陶瓷平板；上端陶瓷平板上的内孔的内壁设置有内孔端电极；下端陶瓷平板的下端设置有...
    2026-02-20
  • 系统封装模组及电子设备
    系统封装模组及电子设备_华为技术有限公司_202411055737.3
    本申请涉及系统封装模组及电子设备。系统封装模组包括基板、第一器件、第二器件、封装模组及封装层。第一器件与第二器件间隔位于基板的同侧，第一器件的远离基板的表面与基板的间距大于第二器件的远离基板的表面与基板的间距。封装模组包括RDL、导电件、第...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其制备方法，电子设备
    半导体器件及其制备方法，电子设备_北京超弦存储器研究院_202411045905.0
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，电子设备，本申请半导体器件包括由至少一个存储单元组成的存储单元阵列；每个存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管包括第一半导体层，第一栅电极和第二导电层，在第一栅电极与第二导电层之间设置有第一高...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511466211.9
    在实施例中，方法包括：形成包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构的多层堆叠件；形成下部源极/漏极区域，其中，半导体纳米结构的下部半导体纳米结构在下部源极/漏极区域之间延伸；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区域，其中，半导体纳米结构的...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511466218.0
    在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件，该多层堆叠件包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构；形成下部源极/漏极区域，其中半导体纳米结构的下部半导体纳米结构在下部源极/漏极区域之间延伸；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区...
    2026-02-20
  • 用于金属栅极填料的化学镀方法
    用于金属栅极填料的化学镀方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511548997.9
    本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中，实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。
    2026-02-20
  • 位错SMT工艺方法
    位错SMT工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587273.5
    本发明公开了一种位错SMT工艺方法，包括：步骤一、提供包括PMOS和NMOS形成区域的半导体衬底且形成有栅极结构和嵌入式锗硅外延层。步骤二、形成包括依次叠加的第一氧化层和第二氮化层的位错SMT层。步骤三、进行SMT退火进行拉应力转移并使NM...
    2026-02-20
  • 一种具有p-GaN电容的GaN单片集成驱动电路
    一种具有p-GaN电容的GaN单片集成驱动电路_西安电子科技大学_202511531857.0
    本发明公开了一种具有p‑GaN电容的GaN单片集成驱动电路，其基本单元由电容耦合逻辑电路(CFET)构成，CFET逻辑电路中的电容C称为自举电容，包括增强型GaN HEMT器件M11、增强型GaN HEMT器件M12、增强型GaN HEMT...
    2026-02-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411047869.1
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：沟道凸起部，位于器件区的基底上；隔离层，位于基底上，隔离层包括第一隔离层和位于第一隔离层上的第二隔离层，器件区的第一隔离层覆盖沟道凸起部的部分侧壁，且第一隔离层的致密度高于第二隔离层的致密度，因而...
    2026-02-20
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510446418.3
    本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层之上；栅极电介质层，设置在第一半导体层和第二半导体层之间；以及电介质材料的第一区域和第二区域...
    2026-02-20
  • 集成电路器件
    集成电路器件_三星电子株式会社_202511018385.9
    一种集成电路器件，包括：单元晶体管，在第一竖直水平处；前布线结构，在高于第一竖直水平的第二竖直水平处；以及后布线结构，在低于第一竖直水平的第三竖直水平处。后布线结构包括：器件隔离层，布置在单元晶体管的底表面上；后接触部，布置在穿过器件隔离层...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511088625.2
    提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：沟道结构；在沟道结构上的栅极结构；在栅极结构上的背侧隔离结构；在背侧隔离结构的下侧表面上的对准间隔物层，对准间隔物层包括与背侧隔离结构不同的材料；在沟道结构上的源极/漏极图案；以及在源极/...
    2026-02-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510718858.X
    一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案间隔开，第二有源图案的第二宽度大于第一有源图案的第一宽度；第一多个纳米片，第一多个纳米片在第一有源图案上堆叠并且彼此间隔开；第二多个纳米片，第二多个纳米片在第二...
    2026-02-20
  • 集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法
    集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474389.8
    本申请的实施例公开了集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法。IC器件包括位于衬底中的静态随机存取存储器(SRAM)器件，该SRAM器件包括第一互补场效应晶体管(CFET)、第二CFET、第三CFET和第四CFET，其中第一互补场...
    2026-02-20
  • 半导体器件
    半导体器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474390.0
    本申请的实施例提供了半导体器件。半导体器件使用互补场效应晶体管。半导体器件包括第一互补场效应晶体管(CFET)对。第一CFET对包括第一n型晶体管，具有与差分对的第一输入端耦合的第一栅电极。第一CFET对包括第一p型晶体管，具有与差分对的第...
    2026-02-20
  • 集成电路器件及其形成方法
    集成电路器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474395.3
    本申请的实施例公开了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件包括沿第一方向延伸的一对堆叠的有源区结构。集成电路还包括第一开关栅极导体、第一CFET栅极导体、第二CFET栅极导体和第二开关栅极导体，它们与一对堆叠有源区结构相交，并与沿第二方向延...
    2026-02-20
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