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最新专利技术
  • 旁路灰吸波复合材料及其制备方法和应用
    旁路灰吸波复合材料及其制备方法和应用_安徽海螺建材设计研究院有限责任公司_202511683984.2
    本发明涉及固废资源化利用与电磁防护材料技术领域，具体地，涉及一种旁路灰吸波复合材料及其制备方法和应用。所述旁路灰吸波复合材料为负载型复合材料，由载体和负载在载体上的磁性纳米粒子组成；其中，所述载体为旁路灰，所述磁性纳米粒子为Fe33O44纳...
    2026-02-17
  • 一种基于碎磁纳米晶的层叠式绝缘屏蔽材料及其制备方法
    一种基于碎磁纳米晶的层叠式绝缘屏蔽材料及其制备方法_苏州格优微磁磁材有限公司_202511767787.9
    本发明公开了一种基于碎磁纳米晶的层叠式绝缘屏蔽材料及其制备方法，该材料结构上由纳米晶单元层和绝缘包覆层构成；所述纳米晶单元层由2至4层纳米晶带材通过胶粘剂层叠并经碎磁处理，形成内含规则平行四边形碎块的复合带材，能有效切断涡流路径；所述绝缘包...
    2026-02-17
  • 一种SMT贴片供料装置
    一种SMT贴片供料装置_惠州西文思技术股份有限公司_202511431231.2
    本发明提供了一种SMT贴片供料装置，上述SMT贴片供料装置在工作过程中，向振动传送盘内添加待组装电子元器件，振动传送盘将待组装电子元器件传送至输料管。工业相机对第一传送带上的待组装电子元器件进行拍摄并将拍摄到的图像与控制机构中的数据库进行比...
    2026-02-17
  • 高兼容的立式编带电子物料供料装置及相应的供料方法
    高兼容的立式编带电子物料供料装置及相应的供料方法_深圳市中禾旭精密机械有限公司_202511610002.7
    本发明提供一种高兼容的立式编带电子物料供料装置及相应的供料方法，供料装置包括外壳板、底板、进料导向板、出料导向板、推料机构、感应器、转弯块以及剪脚机构。进料导向板和出料导向板分别与两块外壳板的内壁形成进料导向槽和出料导向槽，推料机构设置在进...
    2026-02-17
  • 一种汽车中控部件的加工控制方法及系统
    一种汽车中控部件的加工控制方法及系统_佛山市顺德区东亚汽车部件有限公司_202511750316.7
    本发明提供一种汽车中控部件的加工控制方法及系统，涉及贴装控制技术领域。所述方法包括：获取吸嘴特征信息数据集与标识数据集，构建吸嘴索引数据库与匹配分析模型，获取目标元件特征数据及工况数据并导入匹配分析模型进行匹配，通过数字模拟获取有效吸嘴工作...
    2026-02-17
  • 识别换料位置的方法及贴片机
    识别换料位置的方法及贴片机_深圳市路远智能装备有限公司_202511757909.6
    本发明涉及贴片机技术领域，提供一种识别换料位置的方法及贴片机，识别换料位置的方法包括：在第一料盘之后接入第二料盘；输出所述第二料盘的料带端运动至送料通道的触发位置后触发的第一信号值；获取所述第一信号值，确定所述第一料盘的剩余物料数量值；根据...
    2026-02-17
  • 贴片机抛料处理的智能管理方法及系统
    贴片机抛料处理的智能管理方法及系统_立臻精密智造(昆山)有限公司_202511434911.X
    本申请揭示了一种贴片机抛料处理的智能管理方法及系统，方法包括以下步骤：实时采集贴片机的抛料数据，识别并匹配抛料信息；对抛料信息进行分析，根据分析的结果将抛料信息按照不同抛料要素分别排序；自动侦测每一项抛料要素的抛料率，当单项抛料要素的抛料率...
    2026-02-17
  • 存储器器件、半导体器件及其制造方法
    存储器器件、半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511435551.5
    本申请的实施例公开了存储器器件、半导体器件及其制造方法。存储器器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；形成在第一侧上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一至第四晶体管均形成有p型导电性；形成在第一侧上并在第一至第四晶体管上方的第五...
    2026-02-17
  • 存储阵列、存储器和电子设备
    存储阵列、存储器和电子设备_华为技术有限公司_202411028711.X
    本申请实施例提供了一种存储阵列、存储器和电子设备，涉及电子设备技术领域。其中，存储阵列包括衬底、多个存储矩阵、位线、字线和多个第一外连结构。每个存储矩阵包括N个子矩阵。位线与N个数量的子矩阵电连接，字线与一个子矩阵电连接，每个子矩阵均对应与...
    2026-02-17
  • 芯片以及用于制备芯片的方法
    芯片以及用于制备芯片的方法_华为技术有限公司_202411035210.4
    本申请中的芯片，包括衬底；设置于衬底上的第一存储单元、第二存储单元和第三存储单元、第一字线结构和第二位线结构，第一字线结构垂直设置于衬底之上且与第一存储单元连接；第一位线结构与第一存储单元和第二存储单元连接；沿垂直于衬底的方向，每两层相邻位...
    2026-02-17
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411349021.4
    本发明的实施例提供一种半导体结构，且包括基板、设置在基板上方的位元线结构、设置在位元线结构的侧壁上并沿着位元线结构的侧壁延伸的间隔件结构、及设置在每个主动区中并接触第二间隔件的底部的位元线触点。间隔件结构包括围绕位元线结构的侧壁的第一间隔件...
    2026-02-17
  • 具有隔离结构的半导体元件及其制造方法
    具有隔离结构的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510223781.9
    本申请公开一种具有隔离结构的半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板、多个穿基板通孔、多个绝缘片段以及多个衬层。该基板包括一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该多个穿基板通孔贯穿该基板。该多个绝缘片段的每一者包括...
    2026-02-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511607065.7
    本发明提供了一种方法，方法包括形成延第一方向延伸且在垂直于第一方向的第二方向彼此分隔开的位元线结构，在位元线结构之间延第一方向形成沟槽，在沟槽中形成导电层，延第二方向穿过导电层和位元线结构的顶部形成隔离结构，移除导电层的顶部以形成接触件，其...
    2026-02-17
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511607336.9
    本发明提供了一种半导体结构，应用于半导体技术领域。在本发明中，基底的周边区和单元中的绝缘结构的形状和面积均可不同，从而达到不同的隔绝效果，避免部分绝缘结构发生剥落。
    2026-02-17
  • 存储装置
    存储装置_株式会社半导体能源研究所_202511623121.6
    本发明提供一种新颖的存储装置。本发明的一个方式是包括多个存储单元的存储装置，一个存储单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管的源极及漏极中的一个通过节点SN电连接到第二晶体管的栅极。通过第一晶体管写入的信息保持在节点SN中。通过使用OS晶...
    2026-02-17
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511627096.9
    本发明提供了一种半导体器件，应用于半导体技术领域。在本发明中，利用在埋入式字线结构上设置介质层，来隔离埋入式字线结构和相应的位线结构，实现避免随着半导体器件尺寸的微缩所衍生的埋入式字线结构中第一功函数材料层的第二部分与相应位线结构发生短接、...
    2026-02-17
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202512059357.8
    本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底沿第一方向堆叠形成堆叠结构，堆叠结构包括有源层；在有源层沿第二方向的至少一侧形成开口，开口贯穿堆叠结构，并暴露衬底；在...
    2026-02-17
  • 超低压纳米浮栅3D-NAND堆叠结构及其制备方法
    超低压纳米浮栅3D-NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673275.6
    本发明涉及一种超低压纳米浮栅3D‑NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿所述堆叠结构的若干通孔，在每个所述通孔侧壁依次设置有隧...
    2026-02-17
  • 高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法
    高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673536.4
    本发明涉及一种高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿堆叠结构的若干通孔，在每个通孔侧壁依次设置有隧穿介质...
    2026-02-17
  • 高电容耦合比的3D-NAND堆叠结构及其制备方法
    高电容耦合比的3D-NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673935.0
    本发明涉及一种高电容耦合比的3D‑NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿堆叠结构的若干通孔，在每个通孔侧壁依次设置有隧穿介质层和中心沟...
    2026-02-17
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