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最新专利技术
  • SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构
    SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构_广州增芯科技有限公司_202511554472.6
    本发明提供了一种SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构，该方法通过将已经制备好半导体器件的第一晶圆与第二晶圆键合，并将第一晶圆的衬底从背面减薄至目标顶硅层厚度，随后在减薄后的顶硅层表面生长氧化层，形成SOI结构，并在SOI结构中形成背部互...
    2026-02-08
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备
    半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备_北京超弦存储器研究院_202410961477.X
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备，包括：提供衬底，于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔排列的多个第一沟槽，第一沟槽暴露出部分衬底；第一方向与第二方向相交；于第一沟槽的内表面和叠层结构...
    2026-02-08
  • 存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构
    存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构_杭州积海半导体有限公司_202511523472.X
    本发明公开了一种存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构，属于半导体技术领域，所述方法包括以下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氧化硅层和第二氮化硅层，并蚀刻第二氮化硅层、第...
    2026-02-08
  • 存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构
    存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构_杭州积海半导体有限公司_202511523475.3
    本发明公开了一种存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构，属于半导体技术领域，所述存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽之间的硅衬底表面形成有预设厚度的氮化硅层和氧化硅层依...
    2026-02-08
  • 沟槽隔离结构的形成方法
    沟槽隔离结构的形成方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511534965.3
    本发明涉及一种沟槽隔离结构的形成方法。所述形成方法中，先堆叠垫氧化层和氮化硅层于衬底上，并形成贯穿氮化硅层、垫氧化层以及部分衬底的隔离沟槽以及覆盖隔离沟槽内衬底表面的线氧化层，之后利用含氢等离子体对衬底进行等离子处理，使氮化硅层的上表面和侧...
    2026-02-08
  • 一种浅沟槽隔离结构的制作方法
    一种浅沟槽隔离结构的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511971884.X
    本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，属于半导体技术领域，且浅沟槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，并在衬底上形成前置氧化层和氮化层；蚀刻氮化层、前置氧化层和部分衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内沉积隔离介质层并平坦化，形成浅沟槽隔...
    2026-02-08
  • 基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法
    基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法_丹东安顺微电子有限公司_202511989224.4
    本发明涉及半导体器件制造与工艺技术领域，具体涉及基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法。包括：步骤S1：在硅基底表面光刻制备掩膜，暴露刻蚀区；步骤S2：利用ICP设备，通过毫秒级脉冲切换的循环刻蚀与钝化工艺，制备出垂直度高...
    2026-02-08
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411054748.X
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、元件隔离结构以及栅极。所述元件隔离结构设置于所述基底中，以界定出主动区。所述栅极设置于所述元件隔离结构上。所述元件隔离结构包括彼此连接的第一部分与第二部分。所述第一部分位于所述基...
    2026-02-08
  • 深沟槽隔离结构及其制造方法
    深沟槽隔离结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511286286.9
    本发明提供一种深沟槽隔离结构及其制造方法。该方法在形成深沟槽及隔离氧化层后，在沟槽内分两步填充多晶硅：先填充第一多晶硅层；再于其表面形成一层薄的阻挡氧化层；最后填充第二多晶硅层以填满沟槽。本发明形成的结构中，该阻挡氧化层作为物理屏障，在后续...
    2026-02-08
  • 形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法
    形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511535169.1
    本发明提供一种形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法，形成接触孔的方法包括：提供前端器件，在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层；遮盖器件区域顶面；使用氢等离子体对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层进行改性处理，得到改性层；使改性层氧化为第一氧...
    2026-02-08
  • 接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法
    接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511535232.1
    本发明提供一种接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法，该接触孔形成方法包括：提供包括器件区域和边缘区域的前端器件，并在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层，其中器件区域包括需要形成接触孔的第一区域；对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层注入预设剂量...
    2026-02-08
  • 堆叠的半导体装置
    堆叠的半导体装置_三星电子株式会社_202510772743.9
    一种堆叠的半导体装置包括：基础半导体管芯和多个核心半导体管芯，在垂直方向上堆叠；多个温度感测电路，分别包括在所述多个核心半导体管芯中；转换电路，被包括在基础半导体管芯中；以及多个垂直导电路径，电连接基础半导体管芯和所述多个核心半导体管芯，贯...
    2026-02-08
  • 一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法
    一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511373248.7
    本发明提供一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，本振锁定组件包括：顶层晶圆、底层晶圆和中间层晶圆，中间层晶圆位于顶层晶圆和底层晶圆之间，中间层晶圆分别与顶层晶圆键合和底层晶圆键合以形成系统级封装；中间层晶圆和...
    2026-02-08
  • 深硅刻蚀方法
    深硅刻蚀方法_甬江实验室_202511428639.4
    本申请涉及一种深硅刻蚀方法，通过在多层掩模体系中引入中间牺牲层，并经湿法刻蚀，使所述牺牲层通孔内凹于所述硬掩模层通孔和光刻胶层通孔，在所述光刻胶层上形成“悬臂”特征的结构。一方面，由所述光刻胶层及其通孔、牺牲层及其通孔和硬掩模层及其通孔构成...
    2026-02-08
  • 封装件结构及其形成方法
    封装件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511482293.6
    本发明的实施例提供了一种封装件结构，包括桥式管芯。桥式管芯包括半导体衬底；以及位于半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括介电层和位于介电层中的导线，将桥式管芯密封在其中的密封剂，以及位于桥式管芯上方的再分布结构。再分布结构中包括再分布线。第...
    2026-02-08
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202511553391.4
    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体制造方法包括：在半导体衬底上形成第一刻蚀阻挡层，使半导体衬底的连接金属结构与第一刻蚀阻挡层相接触；在第一刻蚀阻挡层形成第一沟槽并暴露连接金属结构；在第一沟槽内形成覆盖连接金属结构的牺牲结构；然后...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410955173.2
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一金属层和位于所述第一金属层表面的介质层；第二金属层，位于所述介质层中并且所述第二金属层的顶面高于所述介质层的顶面；覆盖层，覆盖所述介质层和第二金属层表面。本申请...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410955177.0
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一金属层和位于所述第一金属层表面的介质层；第二金属层，位于所述介质层中并且所述第二金属层的顶面与所述介质层的顶面平齐；覆盖层，覆盖所述介质层和第二金属层表面。本申...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路
    一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511971881.6
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括以下步骤：蚀刻多层层间介质层，在器件区形成垂直接触孔，在密封环区形成异形接触孔，且异形接触孔的径向尺寸随着深度增加而减小；蚀刻垂直接触孔外围...
    2026-02-08
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510545267.7
    一种半导体封装包括：封装衬底，包括在封装衬底的顶表面上的第一上连接焊盘和第二上连接焊盘；第一半导体芯片堆叠，包括多个第一半导体芯片和第一芯片焊盘；第二半导体芯片堆叠，包括第二芯片焊盘和以阶梯状形状堆叠在第一半导体芯片堆叠上的多个第二半导体芯...
    2026-02-08
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