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最新专利技术
  • 包括垂直沟道晶体管的半导体器件
    包括垂直沟道晶体管的半导体器件_三星电子株式会社_202510179167.7
    一种包括垂直沟道晶体管的半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、位于所述位线上的半导体图案、第一字线和第二字线以及背栅电极。所述半导体图案包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一垂直部分和第二垂直部分以及设置在所述第一垂直部分和所述第二垂直部分之...
    2026-01-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510305138.0
    提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一存储器图案，其包括在第一方向上延伸的第一字线和第二字线、在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一字线和第二字线间隔开的背栅电极、具有接触第一有源图案和第二有源图案的下表面的一个端部和接触数据存储图案...
    2026-01-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510963155.3
    一种半导体装置包括：晶体管，在基底上；第一布线结构，在晶体管上并且电连接到晶体管；绝缘图案，延伸穿过基底；第二布线结构，在基底下方；多个贯穿过孔，在绝缘图案中并且在水平方向上彼此间隔开，所述多个贯穿过孔中的每个延伸穿过绝缘图案并接触第一布线...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511916482.X
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底以及位于衬底上的至少一个电容器，电容器包括：多个第一纳米片，沿第一方向延伸，并沿第二方向和第三方向呈阵列排布；其中，第一方向和第二方向相交并与衬底的表面平行，第三方向垂...
    2026-01-28
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511916620.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的字线材料层和功能层以及位于字线材料层和功能层之间的介质层；字线材料层邻近功能层的一侧设置有沿第一方向延伸...
    2026-01-28
  • 一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法
    一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法_华中科技大学_202511936461.4
    本申请属于芯片结构设计相关技术领域，更具体地，涉及一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法。本发明所涉及的动态随机存储器，具有异质集成的感存算一体结构，其中第一场效应晶体管的漏极与第二浮栅晶体管的底栅电极相连通，工作时通过对第一场效...
    2026-01-28
  • 具有电阻修改掺杂区的半导体元件及其制造方法
    具有电阻修改掺杂区的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510145008.5
    本申请案公开一种半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一井区，位于该基板内；一隔离结构，位于该井区中；一熔丝介质，位于该井区之上；一栅极电极，位于该熔丝介质之上；一熔丝掺杂区，位于该熔丝介质之下及该井区内；一源极/漏...
    2026-01-28
  • 存储器件
    存储器件_三星电子株式会社_202510304307.9
    一种存储器件包括：衬底；栅极线接触部，电连接到从多条栅极线之中选择的栅极线；导电布线结构，连接到栅极线接触部；以及接合焊盘，布置在导电布线结构上。接合焊盘包括：第一接合焊盘；第二接合焊盘；第三接合焊盘，在第一水平方向上与第一接合焊盘间隔开；...
    2026-01-28
  • 半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统
    半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统_三星电子株式会社_202510372511.4
    提供了一种具有改善的电特性和可靠性的半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统。该半导体存储器件可以包括：衬底；模制结构，包括在第一方向上交替堆叠在衬底上的多个模制绝缘层和多个栅电极；以及沟道结构，穿过模制结构形成，并且在第一方向上延伸...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410867626.6
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干闪存单元，所述闪存单元包括依次堆叠于所述半导体衬底表面的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述控制栅层与所述栅间介质层的厚度之比为(5...
    2026-01-28
  • 快闪存储器单元及三维快闪存储器装置
    快闪存储器单元及三维快闪存储器装置_华邦电子股份有限公司_202510985302.7
    一种快闪存储器单元及三维快闪存储器装置，该快闪存储器单元包括沟道结构、第一栅极、第二栅极、存储结构、源极线柱和位线柱。沟道结构形成在基底上方。第一栅极邻近于沟道结构。第二栅极与第一栅极和沟道结构相隔开。存储结构邻近于沟道结构。源极线柱和位线...
    2026-01-28
  • 微电子装置、存储器装置及电子系统
    微电子装置、存储器装置及电子系统_美光科技公司_202510980009.1
    本申请涉及微电子装置、存储器装置及电子系统。一种微电子装置可包含平面，该平面包括在第一方向上平行地水平延伸且在正交于第一方向的第二方向上与狭槽结构水平交替的块。该块可包含个别地包含导电材料及与导电材料竖直相邻的绝缘材料的层面。装置还可包含额...
    2026-01-28
  • 包括字线接触部的存储器装置
    包括字线接触部的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510115476.8
    本公开提供一种包括字线接触部的存储器装置。根据本公开的实施例，一种存储器装置可以包括：第一衬底，包括单元区域和扩展区域，扩展区域在第一方向上从单元区域延伸；堆叠结构，包括多个层间绝缘层和多个电极层，多个层间绝缘层和多个电极层在第一衬底上交替...
    2026-01-28
  • 用于形成半导体设备的方法
    用于形成半导体设备的方法_长江存储科技有限责任公司_202511511465.8
    本公开内容的各方面提供了一种用于半导体设备制造的方法。该方法包括：通过对第一管芯的第一侧进行处理来在层叠置体中形成端部在第一层中的垂直结构。与第二层相比，第一层对于层叠置体具有更好的蚀刻选择性。该方法还包括：通过对第一管芯的与第一侧相对的第...
    2026-01-28
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410924121.9
    本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统，其中半导体器件包括连接层、叠层结构和第一接触结构。叠层结构沿第一方向位于连接层的一侧。第一接触结构包括第一介质填充部以及围绕第一介质填充部的第一导电层，其中第一介质填充部和第一导...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410935095.X
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。半导体结构包括连接结构、第一沟道结构和连接部。第一沟道结构包括沿第一方向延伸的第一沟道层和环绕第一沟道层的第一功能层。第一功能层包括在第一方向上间隔排布的第一子部分和第二子部分。第一子部分位...
    2026-01-28
  • 三维铁电存储器件
    三维铁电存储器件_三星电子株式会社_202510996072.4
    本公开提供了一种三维铁电存储器件。所述三维铁电存储器件包括：衬底；多条位线，其在所述衬底上在第一方向上延伸，并且彼此间隔开；第一块选择线和第二块选择线，其在所述多条位线上方在所述第二方向上延伸；第一字线，其与所述第一块选择线的至少一部分交叠...
    2026-01-28
  • 存储阵列及其制作方法、存储器及电子设备
    存储阵列及其制作方法、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410980935.4
    本申请实施例提供一种存储阵列及其制作方法、存储器及电子设备，旨在增加了存储阵列中存储单元的数量，进而提高存储器的存储容量。本申请实施例提供的存储阵列包括多个阵列设置的导电柱，多个导电板沿导电柱长度方向间隔设置，第一列的多个导电柱和第二列的多...
    2026-01-28
  • 基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用
    基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511636762.5
    本发明公开了一种基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用。基于MFM的存储与显示一体化器件包括依次层叠设置的半导体基片、底电极、铁电功能层以及顶电极，所述底电极、所述铁电功能层和所述顶电极配置形成金属‑铁电‑金属结构，所述底电极与...
    2026-01-28
  • 存储芯片结构及其制备方法
    存储芯片结构及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202410976188.7
    本申请公开了一种存储芯片结构及其制备方法。该存储芯片结构包括基底，基底具有第一表面；阵列区，阵列区包括第一连接线，磁性隧道结、顶部电极、第一连接部和位线，其中，第一连接线设置在第一表面上，磁性隧道结设置在第一连接线背离基底一侧，位线设置在第...
    2026-01-28
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