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  • 一种外延结构、衬底、LED芯片及其制作方法,外延结构具有若干与LED芯片对应的芯片区域,芯片区域的外轮廓线上具有对标点;外延结构具体包括衬底和外延叠层;衬底的第一表面具有图形区域和位于相邻图形区域之间的预留区域;各图形区域的图形数量相等且均...
  • 本发明公开一种发光元件及其制造方法,所述发光元件包含:半导体叠层,其包含上表面、下表面及侧壁;其中侧壁包含第一子侧壁及第二子侧壁,第一子侧壁与上表面之间形成第一夹角,第一夹角为直角或钝角,第二子侧壁与下表面相连且其两者之间形成第二夹角,第二...
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供一种LED芯片及发光装置,LED芯片包括衬底,衬底具有相对设置的正面及背面;外延叠层,形成在衬底的正面,外延叠层包括依次堆叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层,外延叠层形成有发光台面、第一电极台面和第二电...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,其包括半导体叠层、第一透明导电层、第二透明导电层和金属电极,半导体叠层具有相对的上表面和下表面,半导体叠层沿下表面到上表面的方向包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,其包括半导体叠层、第一透明导电层和金属电极,半导体叠层沿下表面到上表面的方向包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,半导体叠层具有台面,台面裸露出第一半导体层,第一透...
  • 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括:外延结构、透明导电层、电极结构和钝化层;透明导电层位于外延结构的表面上,透明导电层具有多个通孔;外延结构朝向所述透明导电层的一面部分为粗糙表面,粗糙表面分布在多个通孔中;钝化层覆盖外延...
  • 本公开提供了一种改善散热的发光器件及其制备方法、显示面板,属于光电子制造技术领域。该发光器件包括:基板、钝化层、流体驱动结构和多个发光结构,多个所述发光结构间隔排布在所述基板上;所述钝化层位于所述基板上,且覆盖各所述发光结构,所述钝化层的表...
  • 本发明公开了一种发光芯片及其制作方法。该发光芯片包括至少一个发光单元和原子修复层;发光单元包括外延层,外延层包括刻蚀面,原子修复层至少部分覆盖刻蚀面;原子修复层用于为刻蚀面提供原子,使得原子修复层可以为外延层提供原子,对外延层内的空穴进行修...
  • 本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法,属于发光器件领域。该发光二极管包括:外延结构、钝化层、第一电极结构和第二电极结构;所述外延结构包括台阶结构,所述台阶结构包括台阶顶面和台阶底面;所述钝化层覆盖所述台阶结构,所述钝化层在所述台...
  • 本申请公开了一种LED封装结构、背光模组和显示设备,涉及显示技术领域,公开了LED封装结构,包括:LED封装结构包括:蓝光晶片,以及设置于蓝光晶片的出光侧的第一荧光层,设置于第一荧光层的出光侧的第二荧光层,设置于第二荧光层的出光侧的第三荧光...
  • 本发明涉及光电设备技术领域,尤其涉及一种LED灯珠及显示屏。LED灯珠包括陶瓷座、芯片组件和玻璃板,陶瓷座的顶端设置有容纳腔,容纳腔的内侧壁沿周向设置有台阶面,陶瓷座的顶端与至少部分周向侧面均设置有黑色涂层。芯片组件安装于容纳腔内,芯片组件...
  • 本发明提供一种发光二极管封装体及发光装置,发光二极管封装体包括多个发光单元,位于发光单元上方的布线层包括多个相互间隔的子层。第二子层靠近第二发光单元的投影边界线为第一投影边界,第三子层覆盖第二发光单元的部分靠近第一边界线的投影边界线为第二投...
  • 本发明涉及LED封装技术领域,公开了一种LED器件和LED灯板。一种LED器件,包括:基板,所述基板上设置有正极焊盘和负极焊盘;LED芯片,LED芯片的主体上设置有阻焊层以及部分裸露在阻焊层外侧上的正极电极和负极电极,正极电极和负极电极上分...
  • 本描述涉及一种制造光子器件的方法,该方法包括以下步骤:提供包括被(Al, In, Ga)N/(Al, In, Ga)N台面覆盖的基底衬底的结构,第一台面是完全多孔化的并具有被保护层覆盖的侧壁,第二台面是非多孔化的,以及第三台面包括多孔化的侧...
  • 本发明涉及LED封装的技术领域,具体公开了一种一体化多模组拼屏的Mini LED封装工艺。包括如下步骤:(1)将单个Mini LED灯板模组用第一胶层对灯板正面进行底填;(2)对灯板模组底填后的第一胶层进行UV固化或热固化;(3)按照预设拼...
  • 本发明提供一种量子点薄膜的异质集成方法及结构,通过引入水溶性PVA薄膜作为中间转移介质,结合PDMS图章的弹性支撑与可控剥离,在低温、无键合条件下实现图形化量子点薄膜从原生半导体基底向异质目标平台的完整、无损、大面积转印,从而解决了传统PD...
  • 本发明公开了一种微型LED芯片的巨量转移方法。该方法首先构建一个转移组件库,库中包含为特定标准晶圆定制的红、绿、蓝三色临时基板,各临时基板上设有倒梯形凹槽阵列。转移时,先根据生长基板芯片阵列的实际位置计算偏移量,并利用激光剥离技术将芯片转移...
  • 本发明涉及芯片晶粒转移技术领域,具体涉及基于MicroLED转移状态的工作台调整方法、系统及设备;获取工作区域的实际尺寸,并根据预设的成像视场要求和实际尺寸对工作区域进行划分,以得到区域划分数据;从区域划分数据中获取得到中间区域;通过纵向移...
  • 本发明公开的基于多层堆叠的微显示器件,LED半导体层包括多个电性隔离的LED单元,LED单元包括用于发射红光的第一发光单元,以及位于第一发光单元上方且发光颜色不同的第二发光单元和第三发光单元,第一发光单元上方设有用于反射第二发光单元和第三发...
  • 提供了一种光器件及其制造方法。该光器件包括:印刷电路板PCB;在PCB上彼此间隔开的发光二极管LED;其中嵌入有LED的导光层;以及层叠在导光层的侧表面上以使用来自LED的光实现三维发光图像的图案层。LED至少包括顶部发光LED和/或侧面发...
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