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  • 本发明公开了一种陶瓷覆金属基板,包括:位于中间导热陶瓷层的反面上的第一金属覆层;第一金属覆层中至少复合了一层热解石墨层。第一金属子层的正面焊接在中间导热陶瓷层的反面,热解石墨层的正面焊接在第一金属子层的反面。第二金属子层的正面焊接在热解石墨...
  • 本发明公开了一种集成热电制冷模块的芯片封装结构及方法,涉及半导体封装领域,包括基板、中阶层、主芯片组件、互联芯片、热电制冷模块和金属盖板,金属盖板与基板固定连接并形成封装腔,中阶层、主芯片组件、互联芯片和热电制冷模块均设置在封装腔内;热电制...
  • 提供一种半导体装置,抑制功率半导体模块的背面导电性板与冷却器之间的电位差并实现小型化,可靠性高。该半导体装置包括:半导体模块(10),其具备在相对介电常数εο的绝缘基板(22)的两面配置导电性板(21a、21b、23)而成的层叠基板(2)、...
  • 本发明公开了一种基于微通道高效散热和光学互连的计算芯片;涉及高性能计算芯片技术领域包括基板,基板上设有介质层,介质层中开设有供高折射率液体流通的流通槽,流通槽两端连通至介质层的顶面;介质层的顶部还安装有多个EIC芯粒,EIC芯粒上安装有PD...
  • 本发明公开一种功率半导体装置,包括安装基座;功率芯片,固定在安装基座上;接合导线,将功率芯片电连接至安装基座上的电路图案;柱状电极座,设置于安装基座上;塑料壳体,包覆安装基座的上表面、功率芯片、接合导线,以及柱状电极座,其中,塑料壳体包括穿...
  • 本发明涉及半导体测试技术领域,尤其涉及一种基于TO‑263框架的系统级封装结构;一种基于TO‑263框架的系统级封装结构,包括:mos芯片、系统控制芯片,电子元件,陶瓷基板,其中,所述电子元件为1个;所述电子元件为电容元件,所述陶瓷基板为镀...
  • 本申请提供了一种多基岛引线框架及封装体,涉及封装技术领域。引线框架包括四个基岛、第一类型引脚区和第二类型引脚区。四个基岛分别用于贴装第一功率开关器件、第二功率开关器件、自举二极管和驱动电路。第一类型引脚区分别同第一、第二和第三基岛连接;第二...
  • 本发明涉及引线框架技术领域,提出了一种预电镀引线框架及其制备方法,包括集成卡框,集成卡框内固定连接有多个引线框架本体,还包括弯折支撑件,弯折支撑件的数量设为多个,集成卡框上对应弯折支撑件设置有圆形扣压件,弯折支撑件与圆形扣压件连接,且弯折支...
  • 一种抗冲击的强化载板,包含基板、刚性绝缘载片、金属柱、树脂层、第一电路层及第二电路层。基板开设有贯穿其上表面及下表面的第一贯孔。各刚性绝缘载片的外周缘的至少一部分上包覆有缓冲层,各刚性绝缘载片开设有贯穿其第一表面及第二表面的第二贯孔。金属柱...
  • 一种抗弯折载板,包含基板、多个陶瓷板、多个金属柱、树脂层、第一电路层及第二电路层。基板具有上表面、下表面及多个贯穿上表面及下表面的第一贯孔。陶瓷板设置于基板的上表面,且陶瓷板彼此扣接成陶瓷板总成,陶瓷板开设贯穿陶瓷板的多个第二贯孔。金属柱填...
  • 本申请实施例提供一种电连接基板、芯片封装结构、电子设备。涉及芯片封装技术领域,用于减小电连接基板中裂纹向内扩散,导致基板内部走线断裂的几率。该电连接基板中,围绕第一焊盘在第一表面金属层中设置有相应的反焊盘,围绕第一焊盘在任意一层第一中间金属...
  • 一种封装基板及其制法,该封装基板包括核心结构,具有核心板体、连通该核心板体的相对两侧的穿孔及形成于该相对两侧上及穿孔中的介电体;导电通孔,其形成于该穿孔中的介电体中;内线路层,其形成于该相对两侧的介电体上;线路结构,其形成于该内线路层上,包...
  • 公开了具有带有外部框架和金属柱的玻璃核心的微电子组件。在一个方面,微电子组件可以包括玻璃核心(例如,玻璃层或玻璃结构),其具有第一面、与第一面相对的第二面、在第一面与第二面之间延伸的一个或多个外侧边缘壁以及在第一面与第二面之间延伸的开口。微...
  • 本发明公开了一种功率模组及制备方法,模组包括:两路并联且结构相同的电路结构,电路结构包括陶瓷层、上桥功率器件及下桥功率器件;上桥功率器件包括上桥铜座及上桥MOS管;下桥功率器件包括下桥铜座及下桥MOS管;陶瓷层的上表面设有第一铜层,陶瓷层的...
  • 本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底;一漏极,设置在该基底中;一上介电层,设置在该基底上;一单元接触结构,包括:一单元接触下导电层,设置在该上介电层中以及在该漏极上;一单元接触上导电层,设置在该上介电层...
  • 提供一种基板及其制备方法、封装结构和电子设备,涉及电子元件封装技术领域,可以显著降低基板封装的难度,且可以有效缓解槽填充难度大的隐患,使得基板具有较优的可靠性。基板包括:芯层;层叠设置于芯层内的多个布线层,多个布线层包括第一布线层;芯层中设...
  • 提供能够将半导体系统的布线设计通用化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:各自层叠有1个以上的半导体芯片的第一半导体模块和第二半导体模块;布线基板,其在第一面上安装有第一半导体模块和第二半导体模块,具有:第一信号线,其将设置于第二面的第一...
  • 本发明提供了一种圆片级大功率集成天线T/R组件结构及其制备方法,自下而上包括封装基板层、精细布线连接层、封装盖板层和天线层;封装基板层和封装盖板层均为多层圆片级陶瓷片,一体化集成导热块、电磁屏蔽腔、埋置元件、围框等功能结构;精细布线层通过薄...
  • 本公开涉及一种半导体结构和电子设备,该半导体结构包括基板和存储IO模组,基板包括布线层,存储IO模组设于基板,包括多个堆叠的存储芯片和设于存储芯片与基板之间的IO芯片,存储芯片和IO芯片与布线层电连接。从而,能够将IO芯片和多个存储芯片堆叠...
  • 本公开涉及一种半导体结构和电子设备,该半导体结构包括:基板、逻辑芯片和存储单元,其中,基板包括布线层,逻辑芯片设于基板,存储单元包括多个堆叠设置的存储芯片,每个存储芯片上设有与布线层电连接的连接部,每个存储芯片通过布线层与逻辑芯片电连接。如...
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