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最新专利技术
  • 一种正性光刻胶组合物及其应用
    一种正性光刻胶组合物及其应用_江苏艾森半导体材料股份有限公司_202511428021.8
    本发明提供一种正性光刻胶组合物，以重量份计，所述正性光刻胶组合物包括100份树脂、0.5～10份重氮萘醌化合物、1～10份光致产酸剂和0.01～0.5份氮唑类化合物；所述氮唑类化合物具有式I或式II所示结构。所述采用特定结构的氮唑类化合物与...
    2026-02-01
  • 光刻胶组合物、彩色滤光层及显示面板
    光刻胶组合物、彩色滤光层及显示面板_TCL华星光电技术有限公司_202511467679.X
    本申请公开了一种光刻胶组合物、彩色滤光层及显示面板；光刻胶组合物包括着色材料以及溶剂，着色材料包括含有醚键和酯基的基团，溶剂包括含有醚键和酯基的基团；本申请提供的光刻胶组合物中，着色材料和溶剂中均可以包括含有醚键和酯基的基团，进而可以有效提...
    2026-02-01
  • 一种用于高分辨率显示面板的彩色光刻胶喷涂显影工艺
    一种用于高分辨率显示面板的彩色光刻胶喷涂显影工艺_深圳清荷科技有限公司_202511480784.7
    本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种用于高分辨率显示面板的彩色光刻胶喷涂显影工艺，包括以下步骤：S1.制备复合彩色光刻胶；S2.基板预处理；S3.喷涂工艺；S4.预烘烤；S5.曝光；S6.显影；S7.后烘烤；本发明通过优化彩色光刻胶的组分...
    2026-02-01
  • 一种银纳米团簇紫外-可见光光引发剂及其光刻胶和方法
    一种银纳米团簇紫外-可见光光引发剂及其光刻胶和方法_浙江大学_202511544657.9
    本发明公开了一种银纳米团簇紫外‑可见光光引发剂及其光刻胶和方法，属于光敏材料技术领域。光引发剂为包括Ag29(NAP)24、Ag29(DHLA)12、NiAg28(NAP)24、NiAg28(DHLA)12在内的水溶性银纳米团簇以及包括Ni...
    2026-02-01
  • 用于MicroLED色转换层的高分辨量子点光刻胶及其制备方法
    用于MicroLED色转换层的高分辨量子点光刻胶及其制备方法_威海恒烁光科新材料有限公司_202511665780.6
    本发明涉及材料领域，公开了一种用于MicroLED色转换层的高分辨量子点光刻胶及其制备方法，量子点光刻胶的制备原料包括功能性组分及可选地溶剂，基于制备原料的总量，功能性成分的量为20‑100wt.%，功能性组分包括量子点、多官能团单体、单官...
    2026-02-01
  • 一种高耐化性感光干膜及其制备方法
    一种高耐化性感光干膜及其制备方法_广东硕成科技股份有限公司_202511473775.5
    本发明涉及印刷电路板制造技术领域，具体为一种高耐化性感光干膜及其制备方法，按重量份计，至少包括以下原料：含苯环单体5‑15份，丙烯酸酯类单体100‑200份，功能性单体20‑70份，溶剂200‑300份，光引发剂0.5‑2份，通过优化产品体...
    2026-02-01
  • 一种生物基、低介电、可光刻图案化树脂及制备和在重布线层中的应用
    一种生物基、低介电、可光刻图案化树脂及制备和在重布线层中的应用_西南科技大学_202511571142.8
    本发明公开了一种生物基、低介电、可光刻图案化树脂及制备和在重布线层中的应用，将萜烯单体与苯并环丁烯基单体的共聚物、光交联剂、光引发剂和有机溶剂复配得到光敏树脂，即生物基、低介电、可光刻图案化树脂；本发明的光敏树脂可用于苯并环丁烯光敏树脂的结...
    2026-02-01
  • 光源及掩模的协同优化方法、设备、介质及产品
    光源及掩模的协同优化方法、设备、介质及产品_深圳晶源信息技术有限公司_202511484105.3
    本申请公开了光源及掩模的协同优化方法、设备、介质及产品，涉及光刻仿真技术领域。该方法包括：确定出便于处理的像素化光源，并在像素化光源中筛选出光强值为第一光强值的像素点，筛选第一光强值的像素点是为了后续在进行成像计算时，仅计算第一光强值的像素...
    2026-02-01
  • 一种用于光刻照明系统的反射式匀光器件制造方法
    一种用于光刻照明系统的反射式匀光器件制造方法_中国科学院光电技术研究所_202511498571.7
    本发明公开了一种用于光刻照明系统的反射式匀光器件制造方法，属于光刻照明技术领域，包括：对球面反射镜进行加工研磨，切割得到多个复眼子单元，对多个复眼子单元的切割面及前后表面精抛加工；将多个复眼子单元根据图纸排列位置放置在玻璃基板上获得反射式匀...
    2026-02-01
  • 获取曝光中热补偿的方法、用于曝光的热补偿系统
    获取曝光中热补偿的方法、用于曝光的热补偿系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511622222.1
    本发明提供了一种获取曝光中热补偿的方法、用于曝光的热补偿系统，所述方法包括获取前一批次晶圆和当前批次晶圆的产品信息和曝光时的工艺信息；执行第一判断、第二判断、第三判断及第四判断；若第一判断、第二判断、第三判断及第四判断中任一个的判断结果为否...
    2026-02-01
  • 光刻分辨率增强方法、装置、计算机设备及存储介质
    光刻分辨率增强方法、装置、计算机设备及存储介质_大族安莱(吉安)半导体科技有限公司_202511637661.X
    本申请属于光刻工艺领域，涉及一种光刻分辨率增强方法、装置、计算机设备及存储介质。所述光刻分辨率增强方法包括：获取系统参数信息；根据所述系统参数信息构建正向光刻模型，并基于所述正向光刻模型以进行目标图形为期望输出进行迭代求解，得到最优波前相位...
    2026-02-01
  • 一种用于接近式光刻机的套刻稳定性控制方法
    一种用于接近式光刻机的套刻稳定性控制方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511681127.9
    本发明公开了一种用于接近式光刻机的套刻稳定性控制方法，方法在接近式光刻基于图像处理的对准技术基础上，使用预训练的方法提取特征形成标准化的对准模板图像，基于多次工艺实验，构建对准特征模板的支持集，进行训练与迭代优化，以建立对准模板模型库，通过...
    2026-02-01
  • 用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品
    用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511715014.6
    本披露公开了一种用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品。该方法包括：确定衬底产品的参考聚焦深度；根据平整的衬底样品在参考聚焦深度和浮动聚焦深度下光刻形成的关键尺寸，构建关键尺寸与变焦幅度的变化曲线；其中，浮动聚焦深度为在参考聚焦...
    2026-02-01
  • 一种光刻胶的固胶方法
    一种光刻胶的固胶方法_重庆中科渝芯电子有限公司_202511506059.2
    本发明公开一种厚光刻胶的涂布方法，包括以下步骤：1)对待涂胶的晶圆进行预处理；2)采用分步滴胶和分步控制转速的方法令光刻胶成膜；3)对涂胶后的晶圆进行去边、清洗和干燥处理；4)对所述晶圆进行曝光和显影；5)对所述晶圆进行后烘处理；6)对所述...
    2026-02-01
  • 对准方法、半导体制造设备、可执行程序及存储介质
    对准方法、半导体制造设备、可执行程序及存储介质_张江国家实验室_202410812212.3
    一种对准方法、半导体制造设备、可执行程序及存储介质。所述对准方法包括：获取模板上标记的图像；提取所述图像的轮廓信息并对面积排序；对除了整个模板图像的、面积排序靠前的轮廓，检验其四个顶点的坐标是否满足正方形的位置关系：如果其中任一个是，则直接...
    2026-02-01
  • 对准方法、半导体制造设备、可执行程序及存储介质
    对准方法、半导体制造设备、可执行程序及存储介质_张江国家实验室_202410812217.6
    一种对准方法、半导体制造设备、可执行程序及存储介质。所述对准方法包括：获取模板上标记的图像；提取所述图像的轮廓信息；求取所述轮廓的最小包围矩形；基于矩形坐标信息求取中心点坐标和旋转角度。本发明的对准方法和设备能够实现微纳米级别的对准精度，适...
    2026-02-01
  • 监控拼接区域对准精度的方法
    监控拼接区域对准精度的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511416269.2
    本申请公开了一种监控拼接区域对准精度的方法，包括：进行光刻拼接工艺后，通过扫描设备获取包含有拼接区域图形的扫描图像；通过所述扫描设备，基于所述扫描图像，识别所述拼接区域图形在第一方向上的关键尺寸，所述第一方向垂直于拼接方向；基于从所述扫描设...
    2026-02-01
  • 一种打印机硒鼓密封结构
    一种打印机硒鼓密封结构_北京莱盛高新技术有限公司_202511489194.0
    本发明提供一种打印机硒鼓密封结构，涉及打印机硒鼓领域。该打印机硒鼓密封结构，包括壳体1、粉仓2、密封片5、给粉辊6、显影辊7、防漏片10和OPC12，壳体1内部的后端开设有粉仓2，壳体1两侧内壁下部的后端均转动连接有给粉辊6，壳体1两侧内壁...
    2026-02-01
  • 一种扩容的废粉仓结构
    一种扩容的废粉仓结构_北京莱盛高新技术有限公司_202511489197.4
    本发明提供一种扩容的废粉仓结构，涉及激光打印机设备领域。该扩容的废粉仓结构，包括大容量硒鼓和感光鼓，其特征在于：临近所述感光鼓设置有废粉仓和刮刀，所述废粉仓连通有扩展废粉仓，所述大容量硒鼓装配到打印设备后，所述扩展废粉仓设置在废粉仓的重力方...
    2026-02-01
  • 基于多约束优化的实-复值级联神经网络全息重建方法
    基于多约束优化的实-复值级联神经网络全息重建方法_广东工业大学_202511187728.4
    本发明公开了一种基于多约束优化的实‑复值级联神经网络全息重建方法，用于解决同轴全息重建技术中因非适定逆问题产生的孪生像伪影导致重建质量下降，以及因深度学习方法的黑箱特性带来的可解释性不足等难题，本发明的全息重建方法先将全息图开方得到振幅A作...
    2026-02-01
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