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最新专利技术
  • 基于信道注意力机制融合的中文声学文本抑郁症检测系统
    基于信道注意力机制融合的中文声学文本抑郁症检测系统_深圳市南山区慢性病防治院_202511355897.4
    本申请提供一种基于信道注意力机制融合的中文声学文本抑郁症检测系统，通过系统中的各单元获取目标对象的原始音频信号并预处理，得到音频数据后进行文本转录，得到对应的文本数据，再对音频数据进行片段划分，得到对应的音频片段，形成音频‑文本数据；对音频...
    2026-02-07
  • 多视角跨域心音分割方法和装置、系统、存储介质
    多视角跨域心音分割方法和装置、系统、存储介质_广东工业大学_202511360522.7
    本发明公开一种多视角跨域心音分割方法和装置、系统、存储介质，包括：步骤S1、获取心音数据并进行预处理；步骤S2、根据预处理后的心音数据，构建多视角跨域适应的心音分割模型；步骤S3、将待处理的心音数据输入到多视角跨域适应的心音分割模型中进行心...
    2026-02-07
  • 磁盘装置及其控制方法
    磁盘装置及其控制方法_株式会社东芝_202411442307.7
    实施方式涉及具备磁盘和磁头的磁盘装置及其控制方法。检测寻道期间的磁头的速度。在寻道的加速时，基于上述检测出的速度以及寻道的位置，来推定在音圈马达的线圈中感应的反电动势电压。并且，在寻道的加速时，根据音圈马达的驱动电流求出在音圈马达的线圈的电...
    2026-02-07
  • 光盘装置及光盘装置记录数据的伺服方法
    光盘装置及光盘装置记录数据的伺服方法_华为技术有限公司_202410774203.X
    提供了一种光盘装置及光盘装置记录数据的伺服方法，涉及信息存储领域，用以解决在光盘上记录数据，光盘装置的物镜大幅度运动导致记录数据不准确的问题。该伺服方法包括在光盘上记录数据时，光盘包括多个扇区，扇区为以光盘的实际旋转中心为顶点的扇形；在物镜...
    2026-02-07
  • 一种软件开发用多功能储存装置
    一种软件开发用多功能储存装置_湖北省亮涛新型材料科技有限公司_202511315871.7
    本发明公开了一种软件开发用多功能储存装置，包括储存装置本体，所述储存装置本体的表面开设有连接插口，所述储存装置本体的侧壁安装有散热风扇，所述储存装置本体远离散热风扇的一侧开设有散热口，所述储存装置本体的内壁开设有两个滑动槽，所述储存装置本体...
    2026-02-07
  • 一种信息安全联网保护设备及保护方法
    一种信息安全联网保护设备及保护方法_杭州嘉鹏信息科技有限公司_202511272926.0
    本发明公开了一种信息安全联网保护设备及保护方法，涉及计算机组件安全防护装置领域，包括信息储存设备本体，所述信息储存设备本体的外侧对接有外置对接件；所述外置对接件的中端固定连接有预留对接轴，且预留对接轴与信息储存设备本体的上端转动对接。该信息...
    2026-02-07
  • 一种SSD硬盘的便捷固定装置
    一种SSD硬盘的便捷固定装置_广州特控电子实业有限公司_202511242434.7
    本发明涉及一种SSD硬盘的便捷固定装置，属于计算机硬件技术领域。该装置包括一体成型的壳体和可调节托板组件。壳体底板设有带弹性板的长孔及双向卡合结构，通过楔形接触面引导插板锁紧；托板底部通过三组高度可调的弹性柱体与长孔滑动连接，适配三种不同厚...
    2026-02-07
  • 基于无场翻转磁隧道结器件结构的数据读写方法及装置
    基于无场翻转磁隧道结器件结构的数据读写方法及装置_武汉大学_202510173381.1
    本申请涉及一种基于无场翻转磁隧道结器件结构的数据读写方法及装置，其中，方法包括：本申请的磁隧道结在传统磁隧道结基础上拓展了重金属层、自由层和氧化层，在此基础上构造了由电极层构成的控制侧架构，以及参考铁磁层、钉扎层和电极层构成的读取侧架构；写...
    2026-02-07
  • 磁存储器件
    磁存储器件_三星电子株式会社_202510484242.0
    一种磁存储器件包括：存储单元，连接到位线和字线，并且包括第一磁隧道结元件；以及第二磁隧道结元件和金属字线，在字线上，并且电连接到字线。
    2026-02-07
  • 存储芯片、存储器及电子设备
    存储芯片、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410764866.3
    本申请提供一种存储芯片、存储器及电子设备，涉及存储技术领域，能够降低读写单位信息产生的功耗。该存储芯片包括设置在衬底上的多行存储单元、多条位线；其中，多行存储单元位于多条位线远离衬底的一侧；存储单元中包括晶体管以及与晶体管连接的至少一个电容...
    2026-02-07
  • DRAM的刷新调控方法、控制装置及DRAM
    DRAM的刷新调控方法、控制装置及DRAM_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511272004.X
    本发明公开一种DRAM的刷新调控方法、控制装置及DRAM，涉及DRAM技术领域。DRAM的刷新调控方法包括：获取DRAM中每一ROW线对应的地址并确认对应的刷新周期，以确认DRAM中ROW线的刷新周期映射序列；基于刷新周期映射序列，确认最短...
    2026-02-07
  • 防行锤攻击方法、行译码方法及装置、存储介质及DRAM
    防行锤攻击方法、行译码方法及装置、存储介质及DRAM_上海芯高峰微电子有限公司_202511256715.8
    一种防行锤攻击方法、行译码方法及装置、存储介质及DRAM。所述方法应用于DRAM，所述DRAM包括若干存储行及冗余行单元构成的存储阵列；所述方法包括：监测所述存储阵列中各存储行的访问频率，并标记访问频率大于预设频率阈值的存储行单元；为访问频...
    2026-02-07
  • 一种基于fpga的DDR3多端口读写调度控制方法及系统
    一种基于fpga的DDR3多端口读写调度控制方法及系统_三峡智控科技有限公司_202511219254.7
    本发明涉及控制技术领域，尤其涉及一种基于fpga的DDR3多端口读写调度控制方法及系统，该方法包括：基于fpga内自定义逻辑生成对DDR3的读写请求，识别读写请求，基于识别结果将其存储至对应的存储队列；RR调度器判断当前存储队列是否为非空，...
    2026-02-07
  • 静态随机存取存储器和电子设备
    静态随机存取存储器和电子设备_华为技术有限公司_202410774007.2
    本申请提供了一种静态随机存取存储器和电子设备，包括延迟信号线、存储单元和延迟电路，延迟电路包括输入电路和输出电路，输入电路包括输入端口、第一MOS管和第二MOS管，输入端口与第一MOS管和第二MOS管的栅极连接，第一MOS管的第一极用于接入...
    2026-02-07
  • TCSPC存储电路及其数据读写方法
    TCSPC存储电路及其数据读写方法_苏州识光芯科技术有限公司_202511678550.3
    本发明提供一种TCSPC存储电路及其数据读写方法。其中，所述TCSPC存储电路是利用第一存储器存储各个时差区间内的单次采集数据，以及利用第二存储器存储各个所述时差区间内的多次所述采集数据经逻辑运算后的数据。基于此，通过灵活配置所述第一存储器...
    2026-02-07
  • 存储器系统
    存储器系统_铠侠股份有限公司_202510082961.X
    本发明实现一种存储器系统，其能够有效率地利用资源。控制器将多个超级区块中的最大可写入尺寸作为第1尺寸通知给主机，所述第1尺寸是主机对数据的管理单位的尺寸。所述控制器响应于从所述主机接收到指定具有所述第1尺寸的第1管理单位的一个以上的写入命令...
    2026-02-07
  • 用于存储器存取操作的独立源时钟
    用于存储器存取操作的独立源时钟_美光科技公司_202510790454.1
    本申请涉及用于存储器存取操作的独立源时钟。存储器系统可配置成支持多源时钟方案，所述多源时钟方案利用独立源时钟进行跨接口的读取数据传送和写入数据传送。基于执行所述读取操作，所述存储器系统可使用在第一频率下操作的第一源时钟在信道上传达读取数据。...
    2026-02-07
  • 存储装置、非易失性存储器装置以及操作存储器控制器的方法
    存储装置、非易失性存储器装置以及操作存储器控制器的方法_三星电子株式会社_202510182440.1
    提供了一种存储装置、非易失性存储器装置以及操作存储器控制器的方法。所述存储装置包括：非易失性存储器裸片以及输出第一数据输出命令地址包并接收第一数据的存储器控制器。存储器控制器通过数据总线从第一非易失性存储器裸片接收第一数据，并且顺序地输出命...
    2026-02-07
  • 具有初始化数据块的非易失性存储器件及其设置方法
    具有初始化数据块的非易失性存储器件及其设置方法_三星电子株式会社_202510290744.X
    一种设置非易失性存储器件的初始化数据块的方法包括：生成要编程到初始化数据块中的初始化数据和虚设模式；将用于对非易失性存储器件进行初始化的初始化数据编程到与初始化数据块的初始化数据区域相对应的第一NAND单元串的存储单元中；以及将虚设模式编程...
    2026-02-07
  • 一种可编程flash掉电保护系统
    一种可编程flash掉电保护系统_中国兵器装备集团自动化研究所有限公司_202511170052.8
    本发明公开了一种可编程flash掉电保护系统，涉及供电保护技术领域，减少了硬件设计复杂度，无需考虑掉电保护具体时间。可增强掉电保护稳健性，可靠性，同时避免掉电保护导致的欠压状态时间下工作时间过长的问题，有效保护硬件资源使用寿命。
    2026-02-07
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