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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510774988.5
    一种包括上绝缘层的半导体器件。在单元区域中，上绝缘层可以与单元盖图案接触，在核心区域中，上绝缘层布置为穿透绝缘薄层以与核心盖图案、绝缘间隔物和绝缘薄层中的每个接触。
    2026-01-01
  • 存储器的制备方法、存储器及电子设备
    存储器的制备方法、存储器及电子设备_北京大学_202511119507.3
    本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及电子设备，方法包括：在半导体衬底上形成叠层结构，叠层结构包括第一叠层结构、第一隔离结构和第二叠层结构；刻蚀第二叠层结构、第一隔离结构和第一叠层结构，以形成第一凹槽；在第一凹槽内，依次形成第一沟道结构和...
    2026-01-01
  • 存储器的制备方法、存储器及电子设备
    存储器的制备方法、存储器及电子设备_北京大学_202511119816.0
    本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及电子设备，方法包括：形成衬底以及衬底上的堆叠结构，其中，堆叠结构包括在第一方向上依次堆叠的第一有源结构和第二有源结构；在衬底上的第一区域内，基于第一有源结构，形成第一存储器；第一存储器包括第一晶体管，...
    2026-01-01
  • 存储器的制备方法、存储器及半导体器件
    存储器的制备方法、存储器及半导体器件_北京大学_202511289097.7
    本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及半导体器件。方法包括：在衬底上形成多个堆叠结构，每个堆叠结构包括：在第一方向上依次堆叠的第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相比于第二有源结构远离衬底，第一有源结构和第二有源结构沿第一方向自对准；...
    2026-01-01
  • 一种4F2存储单元、存储器及4F2存储单元的制备方法
    一种4F2存储单元、存储器及4F2存储单元的制备方法_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511308488.9
    本申请涉及存储设备技术领域，公开了一种4F2存储单元、存储器及4F2存储单元的制备方法，该4F2存储单元，包括：衬底；在所述衬底一侧表面沿厚度方向外延生长的半导体材料柱；覆盖所述半导体材料柱表面的中间介质层；覆盖所述中间介质层远离所述衬底一...
    2026-01-01
  • 半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202510408373.0
    提供了半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置，包括：导电层；堆叠结构，包括在第一方向上堆叠的栅电极，并且堆叠结构在第一区域和与第一区域相邻的第二区域中在第一方向上堆叠；沟道结构，在第一方向上穿透堆叠结构；接触结构，包括穿透...
    2026-01-01
  • 二比特浮栅型分栅闪存器件及其制造方法
    二比特浮栅型分栅闪存器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511200931.0
    本发明提供一种二比特浮栅型分栅闪存器件及其制造方法。器件的控制栅包括厚度大于内侧部分的外侧部分，金属硅化物层形成于所述控制栅的所述外侧部分的上表面和外侧面上。该形成方法包括：采用各向同性与各向异性相结合的刻蚀方式，形成所述具有非对称厚度的控...
    2026-01-01
  • 在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法
    在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511205371.8
    本发明提供一种在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法，该方法包括：提供衬底；形成浮栅材料层；将高压CMOS器件区域内的浮栅材料层图案化，形成具有梯形截面的硬掩膜；利用该硬掩膜对衬底进行倾斜离子注入，以形成轻掺杂漏极区。其中，该梯...
    2026-01-01
  • 应用于闪存器件制作中的工艺方法
    应用于闪存器件制作中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511205629.4
    本申请公开了一种应用于闪存器件制作中的工艺方法，包括：在正面氮化物层上形成保护氧化物层，正面氮化物层形成于浮栅多晶硅层上，浮栅多晶硅形成于耦合氧化物层上，耦合氧化物层形成于衬底正表面，衬底背表面上形成有背面氧化物层，背面氧化物层上形成有背面...
    2026-01-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511332568.8
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：以第一掩膜层为掩膜，对栅极材料层进行刻蚀，形成栅极结构对，栅极结构对沿第一方向的一侧与衬底围成第一开口，一栅极结构对包括2个沿第一方向依次排列的栅极结构，一栅极结构对的2个栅极结构之间形成第二开口；在第...
    2026-01-01
  • 半导体装置
    半导体装置_旺宏电子股份有限公司_202410906164.4
    本发明提供一种半导体装置。半导体装置包含基板、在基板上的堆叠结构、介于基板与堆叠结构之间的互连结构、以及贯穿堆叠结构的柱元件。柱元件包含通道层、围绕通道层的存储层与围绕通道层的介电层。介电层与存储层包含不同材料。
    2026-01-01
  • 包含导电触点及支撑结构的存储器装置
    包含导电触点及支撑结构的存储器装置_美光科技公司_202510760157.2
    本申请案涉及包含导电触点及支撑结构的存储器装置。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含存储器装置，其包含：第一区，其包含与第一层阶的介电材料交错的第一层阶的导电材料，及第一存储器单元，所述第一存储器单元包含延伸穿过所述...
    2026-01-01
  • 一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统
    一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202511117343.0
    本申请公开了一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统，其中，页缓冲器包括沿第一方向交替排布的第一晶体管区域和第二晶体管区域；所述第一晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第一子区域，所述第二晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第二子区...
    2026-01-01
  • 一种三维存储器的叠层结构及其制备方法
    一种三维存储器的叠层结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511329564.4
    本申请公开了一种三维存储器的叠层结构及其制备方法，该结构包括：衬底、多个隔离层、多个金属层、沟槽以及存储层；在第一方向上，一个隔离层叠置于衬底的第一侧，隔离层与金属层交替叠置；沟槽沿第一方向贯穿多个金属层与多个隔离层；沟槽侧壁具有位于金属层...
    2026-01-01
  • 铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
    铁电场效应晶体管存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410722766.4
    本申请涉及微电子技术领域的一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法，所述铁电场效应晶体管存储器包括依次层叠设置的衬底、栅电极、氧化物介质层、铁电层、半导体层和源漏电极。本申请的铁电场效应晶体管存储器可以显著提升其存储窗口，存储窗口的增大有利于...
    2026-01-01
  • 一种基于电流调控与驱动磁性拓扑结构的存储器件及方法
    一种基于电流调控与驱动磁性拓扑结构的存储器件及方法_武汉大学_202511173824.3
    本发明公开了一种基于电流调控与驱动磁性拓扑结构的存储器件及方法，属于自旋电子器件技术领域，所属IPC分类号为H01L43。本发明的存储器件包括电极、外磁场层、脉冲电流源及经预退火处理的二维范德华铁磁材料Fe3GaTe2材料层。本发明基于拓扑...
    2026-01-01
  • 一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器
    一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器_电子科技大学_202511667855.4
    本发明公开了一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器，属于自旋电子学与纳米磁性器件技术领域。该器件包括重金属层、人工亚铁磁体层以及读写端；人工亚铁磁体层由多个并行的斯格明子条状赛道组成；斯格明子条状赛道包括下层铁磁薄膜、非磁中间层、上层铁磁...
    2026-01-01
  • 一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法
    一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511170398.8
    本发明提供一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法，包括如下步骤：在衬底上的堆叠结构中形成字线结构；在字线结构的电极层中形成对称的凹陷结构；在凹陷结构内形成选通层；填充绝缘介质，在字线结构两侧的绝缘介质中形成通孔结构；在选通层外侧依次形成插入...
    2026-01-01
  • 刻蚀方法
    刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511205644.9
    本申请公开了一种刻蚀方法，包括：将非生产性晶圆传送至刻蚀机台的反应腔室；对非生产性晶圆进行预刻蚀，在预刻蚀过程中通入的反应气体包含氟元素，通过预刻蚀后在反应腔室内生成含氟元素的生成物，非生产性晶圆是不用于形成半导体器件产品的晶圆；将非生产性...
    2026-01-01
  • 沟槽电容器及其制作方法
    沟槽电容器及其制作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511263077.2
    本发明提供一种沟槽电容器及其制作方法，所述方法包括：提供基底，在基底内形成沟槽；在沟槽内以及沟槽外的基底上形成电容堆叠层，电容堆叠层包括第一极板、第二极板以及用于隔开第一极板、第二极板的电容介质层，沟槽外的第一极板包括第一延伸部，其中，电容...
    2026-01-01
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