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最新专利技术
  • 焊带互联结构及电池串、光伏组件的制备方法
    焊带互联结构及电池串、光伏组件的制备方法_上海晶澳太阳能科技有限公司_202511233345.6
    本发明公开了一种焊带互联结构及电池串、光伏组件的制备方法，涉及光伏组件技术领域。该焊带互联结构包括：多个焊带区、多个第一连接区和悬载区；多个上述焊带区和多个上述第一连接区沿第一方向交替排列设置；上述焊带区包括若干沿第一方向延伸且平行间隔排列...
    2025-12-28
  • 一种光伏组件、辅助机构及制作方法
    一种光伏组件、辅助机构及制作方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511370740.9
    本申请涉及一种光伏组件、辅助机构及制作方法，光伏组件包括：电池串，电池串包括电池片；第一汇流条；第一焊带，第一焊带用于连接电池片和第一汇流条；沿光伏组件的厚度方向，第一汇流条位于电池片背面端部所在的一侧，且在沿光伏组件的厚度方向的投影中，第...
    2025-12-28
  • 一种延伸波长InGaAs探测器结构及其制备方法
    一种延伸波长InGaAs探测器结构及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511150074.8
    本发明涉及一种延伸波长InGaAs探测器结构及其制备方法，该探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构包括依次生长在衬底上的与衬底晶格匹配N型晶格匹配缓冲层、N型组份渐变缓冲层、本征吸收层、i型隧穿钝化层以及...
    2025-12-28
  • 像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器
    像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202410691932.9
    一种像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器。所述像素形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有传输晶体管的栅极，所述衬底内形成光电二极管的阱区，所述阱区内形成有光电二极管的P极及N极，所述光电二极管的P极及N极的交界区域为所述光电二极管...
    2025-12-28
  • 图像传感器的形成方法
    图像传感器的形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202410644096.9
    本发明公开了一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底形成浅沟槽；在所述浅沟槽表面形成衬垫层；对所述衬底进行热处理，以修复晶格缺陷和减少所述浅沟槽开口区域引起的尖端放电；通过沉积介质层填充所述浅沟槽，形成浅沟槽隔离结构。
    2025-12-28
  • 成像装置
    成像装置_爱思开海力士有限公司_202411360841.3
    成像装置包括：像素，其包括：生成各自的大小与照度对应的像素信号并生成与照度对应的光电荷的光电转换器件，累积生成的光电荷的浮置扩散区域，向浮置扩散区域提供附加电容的第一DCG晶体管，和通过第一DCG晶体管连接到浮置扩散区域的第一DCG电容器；...
    2025-12-28
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510247843.X
    所公开的实施方式包括一种图像传感器，该图像传感器具有第一层和堆叠的第二层，第一层包括第一基板以及在第一方向和第二方向上以2×2形状布置的第一至第四像素区，第一至第四像素区中的每个像素区包括光电二极管、有源区和传输栅极，堆叠的第二层包括第二基...
    2025-12-28
  • 显示装置和具有显示装置的电子装置
    显示装置和具有显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202510705962.5
    本公开涉及显示装置和具有显示装置的电子装置。显示装置包括：衬底；元件层，在衬底上，元件层包括第一光接收元件、第二光接收元件和第三光接收元件，第一光接收元件包括第一光接收层，第二光接收元件包括第二光接收层，第三光接收元件包括第三光接收层；以及...
    2025-12-28
  • 电池片组件及其制作方法、电池串和光伏发电系统
    电池片组件及其制作方法、电池串和光伏发电系统_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202410682174.4
    本发明公开了一种电池片组件及其制作方法、电池串和光伏发电系统，制作方法包括以下步骤：在电池片上设置多个第一绝缘件和多个第二绝缘件：多个第一绝缘件至少设在电池片的多个第一栅线的一端，多个第二绝缘件件至少设在电池片的多个第二栅线的另一端；在电池...
    2025-12-28
  • 一种顶衬结构的硫族太阳能电池的制备方法
    一种顶衬结构的硫族太阳能电池的制备方法_上海大学_202410698380.4
    本发明提供一种顶衬结构的硫族太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池领域，包括：步骤一、衬底预处理；步骤二、电子传输层制备；步骤三、吸收层制备；步骤四、薄膜掺杂；步骤五、电极制备。该方法采用物理气相沉积在FTO/CdS衬底上制备SnS薄膜，通过...
    2025-12-28
  • 一种制作光伏太阳能电池金属化栅线的方法
    一种制作光伏太阳能电池金属化栅线的方法_广东南海启明光大科技有限公司_202510912672.8
    本发明涉及太阳能电池领域，具体是一种制作光伏太阳能电池金属化栅线的方法，包括：在n型硅衬底上依次沉积本征非晶硅层、n型非晶硅层及p型非晶硅层，在n型非晶硅层和p型非晶硅层上分别沉积TCO层；在TCO层上沉积一层阻挡层，在阻挡层上沉积一层种子...
    2025-12-28
  • 电池串替片返修方法及返修装置
    电池串替片返修方法及返修装置_浙江求是半导体设备有限公司_202511093502.8
    本申请公开了一种电池串替片返修方法及返修装置，该电池串包括多个电池片以及布设于多个电池片上的焊带组，焊带组将多个电池片相连，定义电池串中需要返修的电池片为第一电池片，定义第一电池片沿预设方向两侧的电池片为第二电池片，定义用于替换的电池片为替...
    2025-12-28
  • 电池串替片返修方法及返修装置
    电池串替片返修方法及返修装置_浙江求是半导体设备有限公司_202511095575.0
    本申请公开了一种电池串替片返修方法及返修装置，该电池串包括多个电池片以及布设于多个电池片上的焊带组，焊带组将多个电池片相连，定义电池串中需要返修的电池片为第一电池片，定义第一电池片沿预设方向两侧的电池片为第二电池片，定义用于替换的电池片为替...
    2025-12-28
  • 一种TOPCON电池的加工方法及其减薄加工装置
    一种TOPCON电池的加工方法及其减薄加工装置_江苏创赢光能科技有限公司_202511192923.6
    本发明提供了一种TOPCON电池的加工方法及其减薄加工装置，本发明通过制绒、硼扩散、激光掺杂、氧化等多种工序进行对硅片加工处理，其中利用第一激光束和第二激光束通过叠合组件叠合输出减薄激光束对电池背面poly减薄，其减薄均匀性高，效果好，生产...
    2025-12-28
  • 一种碲化镉薄膜电池的制备方法
    一种碲化镉薄膜电池的制备方法_龙焱能源科技(杭州)股份有限公司_202511199868.3
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碲化镉薄膜电池的制备方法，包括：在玻璃基板一侧形成透明导电层；在透明导电层背向玻璃基板一侧表面形成复合电池层；对复合电池层进行多步氯化镉热处理工艺；多步氯化镉热处理工艺依次包括第一热处理阶段、第二热处理阶...
    2025-12-28
  • 光伏组件的生产工艺及光伏组件
    光伏组件的生产工艺及光伏组件_三一硅能(朔州)有限公司_202511202857.6
    本发明提供了一种光伏组件的生产工艺及光伏组件，其中光伏组件的生产工艺包括原丝拉丝；原丝压延且拍扁，成形出第一部、第二部和第三部；对拍扁后的原丝进行退火；对退火后的原丝镀第一料层形成焊带；收卷焊带；放卷焊带，并拉直且裁切焊带以形成焊带单元；焊...
    2025-12-28
  • 单晶电池的简化RCA清洗工艺
    单晶电池的简化RCA清洗工艺_润马光能科技(金华)有限公司_202511206672.2
    本发明属于单晶电池技术领域，具体涉及一种单晶电池的简化RCA清洗工艺。所述单晶电池的简化RCA清洗工艺包括以下步骤：将单晶硅片置于NaOH、正刻添加剂和纯水组成的正刻液中正刻，正刻添加剂包括水、正刻助剂、润湿剂、分散剂、耦合剂；置于NaOH...
    2025-12-28
  • 一种适用于N型Topcon电池片退火提效的方法
    一种适用于N型Topcon电池片退火提效的方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511211073.X
    本发明公开一种适用于N型Topcon电池片退火提效的方法，涉及太阳能电池制造领域。该方法基于现有10步退火工艺，核心是在晶化升温和高温晶化同步通氮气与氧气，生成二氧化硅层。晶化升温参数为900‑910℃、800‑900mbar、400‑50...
    2025-12-28
  • 一种电池烧结过程中的氢离子控制方法
    一种电池烧结过程中的氢离子控制方法_扬州大学_202511223999.0
    本发明涉及光伏的技术领域，特别是涉及一种电池烧结过程中的氢离子控制方法，包括：根据硅基体的掺杂界面类型判断硅基体所需的目标态氢离子，并使含氢钝化膜层至少负载目标态氢离子；在硅基体的烧结过程中，向硅基体和含氢钝化膜层施加与硅基体平行的平行磁场...
    2025-12-28
  • 一种光学传感器芯片的双面板级封装方法
    一种光学传感器芯片的双面板级封装方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511227191.X
    本发明提供了一种光学传感器芯片的双面板级封装方法，其在满足感光芯片封装要求性能和封装结构的同时，还大幅提高了封装效率，降低了封装成本。其特征在于：其将感光区在封装过程中先保护起来，待封装基本结束后再打开，封装过程采用双面键合的方式。
    2025-12-28
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