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最新专利技术
  • 具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法
    具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411306347.9
    本申请案涉及具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一基板；多个凹槽，从该基板的一顶表面凹陷且定义一通道区，其中该通道区位于该多个凹槽之间且相邻于该基板的该顶表面；一栅极结构，位于该通道区上；多个杂质区，包括多个轻度...
    2025-12-29
  • 晶体管
    晶体管_株式会社半导体能源研究所_202510668688.9
    提供一种电特性良好的晶体管。晶体管包括氧化铟膜及氧化铟膜上的金属氧化物膜。氧化铟膜中形成沟道的区域为单晶。金属氧化物膜包含铟、镓及锌。氧化铟膜的单晶区域的<111>取向平行或大致平行于金属氧化物膜所包含的结晶的<001>取向。此外，氧化铟膜...
    2025-12-29
  • 金属氧化层半导体场效应管、其制造方法以及电子设备
    金属氧化层半导体场效应管、其制造方法以及电子设备_深圳市经纬开物仪器有限公司_202510965624.5
    本申请实施例公开了一种金属氧化层半导体场效应管、其制造方法以及电子设备，涉及半导体器件技术领域，其中，该金属氧化层半导体场效应管包括半导体衬底、氧化层、多晶硅层、源极、漏极以及两间隔物，半导体衬底的表面形成有间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，第...
    2025-12-29
  • 一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件
    一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件_深圳平湖实验室_202511587599.8
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件，碳化硅晶体管包括：衬底、以及设于衬底之上的碳化硅层，碳化硅层包括：依次叠层设于衬底之上的缓冲层、漂移层、源极接触层，碳化硅层远离衬底的一侧表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽的底...
    2025-12-29
  • 包括将沟道应力施加到沟道结构的介电壁的半导体装置
    包括将沟道应力施加到沟道结构的介电壁的半导体装置_三星电子株式会社_202510647771.8
    提供包括将沟道应力施加到沟道结构的介电壁的半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟道结构，在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，在第一沟道结构上；第二沟道结构，在第一方向上延伸，其中，第二沟道结构设置在第一沟道结构的在与第一方向相交的第二方向...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510721389.7
    在实施例中，方法可以包括在衬底上方形成多层堆叠件，多层堆叠件具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。方法也可以包括去除第一半导体层。而且，方法可以包括在第二半导体层之间形成一次性材料。此外，方法可以包括形成与第二半导体层和一次性材料相邻的源...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511098574.1
    半导体器件包括场效应晶体管(FET)。FET包括第一沟道、第一源极和第一漏极；第二沟道、第二源极和第二漏极；以及设置在第一沟道和第二沟道上方的栅极结构。该栅极结构包括栅极介电层和栅电极层。第一源极包括第一晶体半导体层并且第二源极包括第二晶体...
    2025-12-29
  • 一种具有多量子阱插入层的垂直型氮化镓MOSFET器件及其制备方法
    一种具有多量子阱插入层的垂直型氮化镓MOSFET器件及其制备方法_山东大学_202510976809.6
    本发明提供一种具有多量子阱插入层的垂直型氮化镓MOSFET器件及其制备方法。本发明通过引入多量子阱插入层解决了表面陷阱、体陷阱俘获载流子导致的晶体管性能劣化(阈值电压漂移、动态导通电阻增加以及跨导下降等可靠性问题)和不稳定问题；通过设置一层...
    2025-12-29
  • 一种NiO作反型层的超结MOSFET及其制备方法
    一种NiO作反型层的超结MOSFET及其制备方法_浙江芯科半导体有限公司_202510995901.7
    本申请公开了一种NiO作反型层的超结MOSFET及其制备方法，超结MOSFET包括：衬底、第一材料层、第二材料层、第三材料层、栅电极、源电极及漏电极；第一材料层设置在衬底表面，第一材料层上具有第一孔；第二材料层设置在第一孔内，并与第一材料层...
    2025-12-29
  • 半导体器件
    半导体器件_深圳市鹏进高科技有限公司_202511224952.6
    本公开提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，用于降低半导体器件的欧姆接触电阻；半导体器件包括：衬底、外延层、第一掺杂部、第二掺杂部和欧姆接触层；外延层设于衬底的一侧，外延层包括碳化硅外延层；第一掺杂部嵌入外延层远离衬底的表面；第二掺杂部嵌...
    2025-12-29
  • 碳化硅半导体器件
    碳化硅半导体器件_英飞凌科技股份有限公司_202511287878.2
    本发明涉及碳化硅半导体器件。半导体器件(500)具有在SiC半导体主体(100)中的场效应晶体管结构，所述场效应晶体管结构具有在SiC半导体主体(100)的第一表面(101)处的栅极结构(150)，并且具有第一导电类型的漂移区域(131)。...
    2025-12-29
  • 高压半导体装置
    高压半导体装置_联华电子股份有限公司_202511130147.7
    本发明公开一种高压半导体装置，其包括半导体基底、第一深阱区、第二深阱区、第一阱区与第二阱区。第一深阱区、第二深阱区、第一阱区与第二阱区设置于半导体基底中。第二深阱区位于第一深阱区之上，第一阱区位于第一深阱区之上，且第二阱区位于第二深阱区之上...
    2025-12-29
  • 一种LDMOS器件及其制备方法
    一种LDMOS器件及其制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511153455.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种LDMOS器件及其制备方法，包括：包含漂移区的衬底层、位于衬底层表面的场氧化层和栅氧化层、栅极结构及侧部的多晶硅结构、第一介质层及第一导电柱，栅极金属层及侧部的金属场板、第二导电通孔、场板连接结构；其中，...
    2025-12-29
  • 一种LDMOS器件及其制备方法
    一种LDMOS器件及其制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511153457.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种LDMOS器件及其制备方法，包括：包含漂移区的衬底层、位于衬底层表面的场氧化层和栅氧化层、栅极结构及其侧部的第二阻挡层、器件介质层及内的第一导电柱；第二阻挡层包括层叠的介质层和导电层；其中，场氧化层位于漂...
    2025-12-29
  • 碳化硅半导体装置及其制造方法
    碳化硅半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202511224089.4
    提供碳化硅半导体装置及其制造方法。碳化硅半导体装置具备电场缓和层(3)，该电场缓和层(3)包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b)，上述第1区域(3a)位于下方侧，上述第2区域(3b)位于上述第1区域的上方，并且将第1...
    2025-12-29
  • 超级结半导体功率器件及其制造方法
    超级结半导体功率器件及其制造方法_无锡商甲半导体有限公司_202511280547.6
    本发明提供一种超级结半导体功率器件及其制造方法，所述超级结半导体功率器件包括重掺杂的第一导电类型衬底，在重掺杂的第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有深沟槽；所述深沟槽的底部设有底绝缘介质层；在深沟槽中填充有第...
    2025-12-29
  • 具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法
    具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法_无锡商甲半导体有限公司_202511280894.9
    本发明提供一种具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法；所述具有低导通电阻沟槽MOSFET器件包括重掺杂的第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在有源区，第一导电类型外延层中设有单胞沟槽；相邻单胞沟槽之间的第一...
    2025-12-29
  • 半导体器件
    半导体器件_浙江大学杭州国际科创中心_202511622769.1
    本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括：半导体材料层；栅极沟槽和栅极结构，栅极沟槽从半导体材料层的顶表面延伸至半导体材料层中；栅极结构位于栅极沟槽中；源极区，源极区位于相邻的栅极沟槽之间；源极区包括阱区和位于阱区上方的源极接触区；防穿通结...
    2025-12-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410684332.X
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；沟道结构层，位于所述基底上方；器件栅极结构，位于所述基底上，且横跨所述沟道结构层；源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层中，且与所述沟道结构层沿其延伸方向的端部相接...
    2025-12-29
  • 超结半导体结构及其制备方法
    超结半导体结构及其制备方法_无锡旷通半导体有限公司_202511281167.4
    本发明涉及一种超结半导体结构及其制备方法，其包括第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第一导电类型吸引区和第一导电类型第二外延层，第一导电类型第一外延层设置有多层，第一导电类型第一外延层内均注入第二导电类型离子以形成第二导电类型第一柱区...
    2025-12-29
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