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最新专利技术
  • 具有次接触掺杂的X射线探测器
    具有次接触掺杂的X射线探测器_西门子医疗股份公司_202510662198.8
    本发明涉及具有次接触掺杂的X射线探测器。应该改进X射线探测器或计算机断层造影探测器的质量、尤其是稳定性。为此提供一种X射线探测器，其具有由Cd(1‑x)ZnxTe制成的半导体块(1)，其中，x位于0％至50％的范围内；半导体块(1)处的由第...
    2025-11-30
  • 行列扫描式氮化铝基真空紫外光电探测器阵列及其制备方法
    行列扫描式氮化铝基真空紫外光电探测器阵列及其制备方法_中山大学_202511166849.0
    本发明属于半导体光电子技术领域，具体涉及行列扫描式氮化铝基真空紫外光电探测器阵列及其制备方法。本发明的探测器阵列具有Au/Ti/Pt/AlN/n‑SiC/Ti/Au垂直光伏结构，其结构自下而上依次包括：半绝缘4H‑SiC衬底导电电极阵列、A...
    2025-11-30
  • 图像传感器芯片的封装方法及其对应的封装结构
    图像传感器芯片的封装方法及其对应的封装结构_华天科技(江苏)有限公司_202511193119.X
    本发明提供了图像传感器芯片的封装方法，其可有效降低封装器件的热应力及翘曲，提高封装可靠性；且在不增加封装尺寸的情况下缩短信号的传输路径，提升I/O密度，实现封装器件高密度互连，显著提升信号完整性。其采用蚀刻技术在硅基板上刻蚀硅槽、硅通孔，将...
    2025-11-30
  • 一种集成滤光片的3D扇出型封装结构及封装方法
    一种集成滤光片的3D扇出型封装结构及封装方法_华天科技(昆山)电子有限公司_202511231397.X
    本发明公开了一种集成滤光片的3D扇出型封装方法，包括以下步骤：提供一具有第一表面和第二表面的硅基衬底；在硅基衬底上形成导电互连结构；在硅基衬底的第一表面键合一临时玻璃载板；对硅基衬底的第二表面进行减薄处理，以暴露导电互连结构；在硅基衬底的第...
    2025-11-30
  • 一种光电导单元阵列的位置灵敏探测器及二维位置探测方法
    一种光电导单元阵列的位置灵敏探测器及二维位置探测方法_东南大学_202511159453.3
    本发明公开了一种光电导单元阵列的位置灵敏探测器及二维位置探测方法，包括阵列、衬底、沟道材料、绝缘层、横向阵列金属布线层、横向金属分流电阻网络、横向读出电极、纵向阵列金属布线层、纵向金属分流电阻网络和纵向读出电极；阵列由若干光电导单元构成；每...
    2025-11-30
  • 背照式图像传感结构、传感器及制备方法
    背照式图像传感结构、传感器及制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511091274.0
    本发明公开了背照式图像传感结构、传感器及制备方法，属于半导体领域，本发明在对衬底背面减薄后通过沉积工艺形成了层叠光敏结构，在层叠光敏结构制备出深沟槽隔离结构后制备第一段金属格栅，然后通过注入VA族元素的离子，形成倾斜的加强掺杂带；之后制备第...
    2025-11-30
  • 拍摄元件及拍摄装置
    拍摄元件及拍摄装置_株式会社尼康_202511150614.2
    拍摄元件具备：第1基板，其设有对光进行光电转换而生成电荷的光电转换部、和输出基于由光电转换部生成的电荷得到的信号的读出电路；第2基板，其层叠于第1基板，设有对从读出电路输出的信号进行处理的处理部；以及连接部，其设有在第1基板及第2基板的附近...
    2025-11-30
  • 拍摄元件及拍摄装置
    拍摄元件及拍摄装置_株式会社尼康_202511150984.6
    拍摄元件具备：第1基板，其设有对光进行光电转换而生成电荷的光电转换部、和输出基于由光电转换部生成的电荷得到的信号的读出电路；第2基板，其层叠于第1基板，设有对从读出电路输出的信号进行处理的处理部；以及连接部，其设有在第1基板及第2基板的附近...
    2025-11-30
  • 拍摄元件及拍摄装置
    拍摄元件及拍摄装置_株式会社尼康_202511150991.6
    拍摄元件具备：第1基板，其设有对光进行光电转换而生成电荷的光电转换部、和输出基于由光电转换部生成的电荷得到的信号的读出电路；第2基板，其层叠于第1基板，设有对从读出电路输出的信号进行处理的处理部；以及连接部，其设有在第1基板及第2基板的附近...
    2025-11-30
  • 图像传感器、电子设备
    图像传感器、电子设备_华为技术有限公司_202410639971.4
    本申请提供一种图像传感器、电子设备。涉及光电转换技术领域。该图像传感器包括：半导体衬底和形成在半导体衬底中的光电转换结构，半导体衬底具有用于接收光的入光侧，入光侧堆叠有第一膜层、第二膜层和第三膜层，第一膜层和第三膜层具有电负性，具有电负性的...
    2025-11-30
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_格科半导体(上海)有限公司_202410651766.X
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法，包含：提供一半导体衬底，其具有第一面和第二面，第二面经减薄处理，并形成有自第二面向第一面延伸的沟槽结构；在第二面上、沟槽结构的底部及侧壁由下至上依次叠设有隔离层及第一介质层；第一退火步骤：在第一工艺气体...
    2025-11-30
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511084559.1
    本公开的各个实施例针对集成芯片(IC)。IC包括：衬底，包括第一材料。半导体层位于衬底上，并且包括与第一材料不同的第二材料。缓冲层布置在半导体层和衬底之间。缓冲层包括第一材料和第二材料。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
    2025-11-30
  • HJT负间距串联电池组件的制备方法、HJT负间距串联电池组件
    HJT负间距串联电池组件的制备方法、HJT负间距串联电池组件_陕西众森电能科技有限公司_202410627235.7
    本发明涉及半导体电池组件，具体涉及一种HJT负间距串联电池组件的制备方法、HJT负间距串联电池组件，用于解决传统的电池组件制作中，电池片之间需要留有一定的间距以避免相互遮挡，导致有效吸光面积减少、电池组件整体效率降低的不足之处。该HJT负间...
    2025-11-30
  • 光伏组件串焊机追溯方法、装置、可读存储介质及计算机
    光伏组件串焊机追溯方法、装置、可读存储介质及计算机_通威太阳能(盐城)有限公司_202410725245.4
    本申请涉及一种光伏组件串焊机追溯方法、装置、可读存储介质及计算机。光伏组件串焊机追溯方法包括以下步骤：以电池串上与焊带连接的一焊接点为基准点，将基准点到焊带的尾端的距离记录为焊带尾部预留长度；通过多台串焊机并行生产电池串，使不同串焊机生产的...
    2025-11-30
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410822449.X
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池的制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底包括硅基底以及位于所述硅基底上的绕镀层。沿半导体衬底的厚度方向对半导体衬底进行切割。使用酸液对切割后的半导体衬底进行去绕镀处理，以去除绕镀...
    2025-11-30
  • 一种条带制备装置及条带制备方法
    一种条带制备装置及条带制备方法_无锡奥特维科技股份有限公司_202411092277.1
    本申请提供了一种条带制备装置及条带制备方法，其中的条带制备装置包括沿第一方向依次设置的压紧机构、切断机构和牵引机构，还包括设置在压紧机构前道或设置在压紧机构与切断机构之间的续接检测机构。牵引机构从切断机构处夹取条带的自由端，以及远离切断机构...
    2025-11-30
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411182649.X
    本发明公开了一种太阳电池及其制备方法。太阳电池制备方法包括如下步骤：对硅片的受光面与背光面分别进行制绒；对所述硅片的受光面涂覆光刻胶并部分曝光后显影坚膜形成图形化的第一图案层；对所述硅片的背光面以及具有第一图案层的受光面进行抛光处理；去除受...
    2025-11-30
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411433204.4
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括以下步骤：提供太阳电池前驱体；其中，太阳电池前驱体包括硅衬底以及设置在硅衬底的表面上的掺杂层，掺杂层上具有电极设置区域；在掺杂层背离硅衬底的一...
    2025-11-30
  • 钝化接触结构、太阳电池及制备方法、光伏组件
    钝化接触结构、太阳电池及制备方法、光伏组件_通威太阳能(金堂)有限公司_202411472415.9
    本申请涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述钝化接触结构的制备方法在隧穿层上制备掺杂多晶硅层后，对第一区域上的掺杂多晶硅层进行非晶化处理，以使第一区域上的至少部分多晶硅转变为非晶硅，并利用非晶硅相较于多晶硅更...
    2025-11-30
  • 太阳电池的制备方法、太阳电池
    太阳电池的制备方法、太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202411497022.3
    本公开提供了一种太阳电池及其制备方法。该太阳电池的制备方法包括如下步骤：提供电池基底，采用第一溅射靶材在电池基底上制备导电的扩散阻挡层；以及，采用第二溅射靶材在扩散阻挡层上溅射沉积种子金属层，在溅射沉积种子金属层的过程中，控制第一溅射靶材并...
    2025-11-30
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