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最新专利技术
  • 一种具有横向异质结结构的非铅钙钛矿单晶及其制备方法与应用
    一种具有横向异质结结构的非铅钙钛矿单晶及其制备方法与应用_苏州大学_202510834388.3
    本发明涉及一种具有横向异质结结构的非铅钙钛矿单晶及其制备方法与应用， 属于钙钛矿技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：CsBr、BiBr3和AgBr于HBr溶液中进行水热反应， 经降温、过滤、洗涤、干燥得到具有横向异质结结构的非铅钙钛矿单...
    2025-11-27
  • 基于四电弧提拉取向晶体的磁性合金制备方法、磁性合金及应用
    基于四电弧提拉取向晶体的磁性合金制备方法、磁性合金及应用_天津工业大学_202511008587.5
    本发明公开了一种基于四电弧提拉取向晶体的磁性合金制备方法、磁性合金及应用， 属于磁性材料领域。其技术要点在于采用四电弧提拉取向晶体方法， 首先， 所获得的多晶材料放入能够旋转的水冷铜坩埚中， 调整四个电弧相对于样品的位置， 关闭腔体；然后，...
    2025-11-27
  • 一种单晶炉下腔体硅液导流装置
    一种单晶炉下腔体硅液导流装置_上海汉虹精密机械有限公司_202510831096.4
    本发明提供一种单晶炉下腔体硅液导流装置， 包括装置主体， 装置主体包括第一导流管、第一封装加热器、第一固定安装板、第二导流管、第二固定安装板、第二封装加热器、第三导流管、双层坩埚和腔体， 第一封装加热器与第二封装加热器均为结构一致的封装加热...
    2025-11-27
  • 单晶炉的复投方法、装置及计算机设备
    单晶炉的复投方法、装置及计算机设备_内蒙古中环晶体材料有限公司_202511038073.4
    本申请实施例提供了单晶炉的复投方法、装置及计算机设备， 涉及单晶硅生产技术领域。该方法包括：复投化料阶段， 基于当前硅料剩余量确定目标位置；调节导流筒位置至目标位置。由此， 能在复投化料阶段自动地降低导流筒位置， 减小导流筒与硅液面之间的间...
    2025-11-27
  • 一种基于双层石英皿与氮气腔镀膜的减少颗粒的SiC晶体籽晶保护方法
    一种基于双层石英皿与氮气腔镀膜的减少颗粒的SiC晶体籽晶保护方法_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202511036919.0
    本发明涉及半导体材料制备与晶体生长技术领域， 公开了一种基于双层石英皿与氮气腔镀膜的减少颗粒的SiC晶体籽晶保护方法， 旨在解决SiC晶体生长过程中颗粒污染及籽晶表面微观完美性差的问题。该保护方法其特征在于， 包括：双层石英皿制备与颗粒动态...
    2025-11-27
  • 晶体生长装置
    晶体生长装置_江苏集芯先进材料有限公司_202511050998.0
    本发明公开了一种晶体生长装置， 涉及晶体生长技术领域， 晶体生长装置包括：炉体、长晶机构、保温层和气体输送机构， 炉体形成有进气口， 长晶机构和保温层均设于炉体内， 保温层限定出安装空间， 长晶机构设于安装空间内， 气体输送机构设于炉体内，...
    2025-11-27
  • 高性能四方相铁酸铋基薄膜及其制备方法
    高性能四方相铁酸铋基薄膜及其制备方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202510980693.3
    本发明属于薄膜材料技术领域， 具体涉及一种高性能四方相铁酸铋基薄膜及其制备方法。本发明使用固相反应法合成粉体， 然后烧结成陶瓷靶材， 随后使用脉冲激光沉积技术分别在SrTiO3(001)、LaAlO3(001)以及YAlO3(001)衬底上...
    2025-11-27
  • 一种生长大尺寸金刚石的装置及生长方法
    一种生长大尺寸金刚石的装置及生长方法_上海晶世创新材料科技有限公司_202510966074.9
    本发明提供一种生长大尺寸金刚石的装置及生长方法， 涉及金刚石生长领域。本发明所提供的生长大尺寸金刚石的装置， 包括样品托， 所述样品托中设有至少两个样品托开槽， 相邻所述样品托开槽之间设有限位条且相互之间不连通；所述籽晶顶部的一条边或相对的...
    2025-11-27
  • 一种ε-Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法
    一种ε-Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法_山东大学_202511189294.1
    本发明属于宽禁带半导体技术制备技术领域， 公开了一种ε‑Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法， 包括如下步骤：将洁净预处理的衬底加热至550‑610℃， 并向其中通入载气和稀释气体的混合气体设定时间， 外延低掺ε‑Ga2O3薄...
    2025-11-27
  • 一种基于钙钛矿结构的稀土掺杂光学晶体及其制备方法
    一种基于钙钛矿结构的稀土掺杂光学晶体及其制备方法_吉林建筑大学_202511366288.9
    本发明适用于无机发光材料技术领域， 提供了一种基于钙钛矿结构的稀土掺杂光学晶体及其制备方法。本发明成功制备出基于钙钛矿结构的稀土掺杂光学晶体KCaCl3 : xEu3+， 其在395nm紫外激发下于619nm处呈现窄带红光发射， 红光区域积...
    2025-11-27
  • 一种多重改性的单晶富锂锰基材料及其制备方法和应用
    一种多重改性的单晶富锂锰基材料及其制备方法和应用_天津理工大学_202510904137.8
    本发明公开了一种多重改性的单晶富锂锰基材料及其制备方法和应用， 所述多重改性的单晶富锂锰基材料包括富锂锰基单晶颗粒以及包覆于所述富锂锰基单晶颗粒外的金属氧化物包覆层， 其中：所述富锂锰基单晶颗粒的化学通式为xLi2MnO3·(1‑x)LiN...
    2025-11-27
  • 一种钽酸锂晶体生长装置
    一种钽酸锂晶体生长装置_江西匀晶光电技术有限公司_202511295091.0
    本发明公开了一种钽酸锂晶体生长装置， 属于晶体生长设备技术领域， 本发明包括第一支撑座和第二支撑座， 第一支撑座上安装有控制器， 第一支撑座上固定连接有用于供钽酸锂晶体生长的生长组件， 生长组件中盛放有按比例调配好的熔体原料， 第一支撑座顶...
    2025-11-27
  • 一种碳化硅液相法单晶生长炉
    一种碳化硅液相法单晶生长炉_南京宏泰晶智能装备科技有限公司_202511367029.8
    本发明公开了一种碳化硅液相法单晶生长炉， 包括：单晶生产炉本体；外罩， 外罩设置在单晶生产炉本体的外部；缓冲件， 缓冲件具有多个， 多个缓冲件圆周均布在单晶生产炉本体的外部；支撑座， 支撑座设置在多个缓冲件之间， 支撑座与缓冲件相适配， 支...
    2025-11-27
  • 一种用于氢化物气相外延法生长氮化铝厚膜的方法
    一种用于氢化物气相外延法生长氮化铝厚膜的方法_北京大学_202511032187.8
    本发明提供一种用于氢化物气相外延法生长氮化铝厚膜的方法， 属于第三代半导体材料制备技术领域。本发明对HVPE设备中的铝源区域进行改进， 提出了多分区独立控制铝源的供给， 以及引入HCl气体通道周期性刻蚀控制策略， 形成“外层铝源轮换+内层生...
    2025-11-27
  • 一种共价超晶格材料及其制备方法和应用
    一种共价超晶格材料及其制备方法和应用_中国科学院福建物质结构研究所_202410522126.9
    本发明属于半导体材料领域， 涉及一种共价超晶格材料及其制备方法和应用， 所述材料包括无机金属硫化物层和有机分子层， 所述有机分子层由有机分子构成， 所述无机金属硫化物层包括中心金属原子A和配位原子硫， 硫原子与中心金属原子A连接形成扭曲四面...
    2025-11-27
  • 一种具有自愈能力的晶体材料及其制备方法
    一种具有自愈能力的晶体材料及其制备方法_吉林大学_202511359615.8
    本发明适用于晶体材料技术领域， 提供了一种具有自愈能力的晶体材料及其制备方法， 所述材料的结构式如式1或式2所示；其中， R1、R2、R3、R4分别取自H、CH3、C2H5、OCH3、Br；R5和R6分别取自N(CH3)2和N(C2H5)2...
    2025-11-27
  • 一种聚乳酸球晶及其制备方法
    一种聚乳酸球晶及其制备方法_济南大学_202511367820.9
    本发明属于晶型化合物技术领域， 具体涉及一种聚乳酸球晶及其制备方法。本发明提供了一种聚乳酸的球晶， 是聚乳酸的一种新晶型， 在Cu‑Kα辐射下的X‑射线粉末衍射图谱中， 在衍射角2θ为17.9±0.2°、20.2±0.2°、23.5±0.2...
    2025-11-27
  • 一种在微重力环境下制备铁基超导材料单晶的方法
    一种在微重力环境下制备铁基超导材料单晶的方法_中国科学院电工研究所_202511019285.8
    本发明给出了一种在微重力环境下制备铁基超导材料单晶的方法， 属于超导材料领域。具体内容包括：在空间站高温实验柜中进行微重力晶体生长实验， 将固相烧结或预熔融棒状原料置于炉体中进行加热熔融后慢速凝固， 最终生长出大尺寸、缺陷密度极低的铁基超导...
    2025-11-27
  • 碳化硅外延片少子寿命的提升方法、碳化硅外延片和半导体器件
    碳化硅外延片少子寿命的提升方法、碳化硅外延片和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511052525.4
    本申请提供了一种碳化硅外延片少子寿命的提升方法、碳化硅外延片和半导体器件， 该方法包括：获取碳化硅外延片；采用混合气体对碳化硅外延片的表面进行等离子体轰击处理， 以对碳化硅外延片进行表面活化， 其中， 混合气体包括氢气和惰性气体；在惰性气体...
    2025-11-27
  • 单晶硅快速热处理工艺的氧化诱生层错抑制方法及系统
    单晶硅快速热处理工艺的氧化诱生层错抑制方法及系统_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202510836649.5
    本发明涉及半导体加工技术领域， 具体涉及单晶硅快速热处理工艺的氧化诱生层错抑制系统， 包括：RTP反应腔， 具有外反应腔室以及设置在其中的石英反应腔；加热单元， 具有上加热单元和下加热单元， 分别位于石英反应腔的顶部和底部；气路结构， 具有...
    2025-11-27
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