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最新专利技术
  • 耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法及设备
    耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法及设备_光驰半导体技术(上海)有限公司_202511072377.2
    本发明提供一种耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法和设备， 方法包括：S1：对镀膜基底进行预处理， 将预处理后的镀膜基底至于真空反应室内；S2：输入臭氧至真空反应室内预处理后的镀膜基底表面；S3：输入铪源至真空反应室内， 调控真空反应室内温度以及...
    2025-11-27
  • 成膜装置和清洁方法
    成膜装置和清洁方法_东京毅力科创株式会社_202510458044.7
    本公开提供一种成膜装置和清洁方法， 能够去除沉积于排气装置的内部的反应产物。本公开的一个方式的成膜装置进行包含硅和氧的膜的成膜， 该成膜装置具备：处理容器， 在该处理容器内部对所述膜进行成膜；供给流路， 其用于向所述处理容器的内部供给清洁气...
    2025-11-27
  • 一种间歇派瑞林真空镀膜装置及其方法
    一种间歇派瑞林真空镀膜装置及其方法_派珂纳米科技(苏州)有限公司_202511341459.2
    本发明提供了一种间歇派瑞林真空镀膜装置及其方法， 所述间歇派瑞林真空镀膜装置重点对沉积系统进行改进， 在沉积腔体内部， 正对进气口的位置， 设置六边形分流板。在实际应用过程中， 来自裂解加热系统的派瑞林活性单体从进气口进入沉积腔体内部， 冲...
    2025-11-27
  • 控温装置及用于半导体设备的前驱体盛放装置
    控温装置及用于半导体设备的前驱体盛放装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202410525503.4
    本发明提供一种控温装置及用于半导体设备的前驱体盛放装置， 控温装置用于对前驱体盛放主体进行温度控制， 包括第一导流主体和第二导流主体， 第一导流主体用于与盛放主体的外周壁以形成第一导流通道， 第二导流主体用于与盛放主体的底壁外侧形成第二导流...
    2025-11-27
  • 通气面板及其制备方法、沉积腔体
    通气面板及其制备方法、沉积腔体_江苏首芯半导体科技有限公司_202510924989.3
    本公开实施例涉及半导体领域， 提供一种通气面板及其制备方法、沉积腔体。通气面板包括：面板主体、铝层和防护层。铝层位于面板主体与防护层之间， 防护层为氧化铝层和/或氟化铝层；氧化铝层包括氧化铝梯度膜和氧化铝膜， 在铝层指向氧化铝膜的方向上， ...
    2025-11-27
  • 一种半导体晶片气相沉积设备
    一种半导体晶片气相沉积设备_启星新材料科技(靖江)有限公司_202511034244.6
    本发明提供了一种半导体晶片气相沉积设备， 包括沉积座， 还包括沉积座上的供气单元， 供气单元包括设于沉积座上方的供气装置， 供气装置的底端设置有结构盘， 结构盘的下方设置有导流盘， 导流盘内设置有封堵内板， 结构盘上开设有多组喷头孔， 多组...
    2025-11-27
  • 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
    成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法_佳能特机株式会社_202510503447.9
    本发明提供一种成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法， 能够使基板以稳定的状态吸附于吸附部件。该成膜装置的特征在于， 具备：静电吸盘(31)， 所述静电吸盘吸附基板的与成膜侧的面相反的一侧的面；第一支承部件(41)， 所述第一支承部件在所...
    2025-11-27
  • 用于预防或抑制发弧的化学气相沉积工具
    用于预防或抑制发弧的化学气相沉积工具_朗姆研究公司_202510719057.5
    化学气相沉积(CVD)工具抑制或完全消除衬底基座和衬底之间的发弧。CVD工具包括直流(DC)偏置控制系统， 其配置成将设置处理室中的衬底基座维持在与通过处理室中的等离子体所产生的DC偏压相同或基本上相同的DC偏压。通过将衬底基座和具有与等离...
    2025-11-27
  • 气相沉积炉
    气相沉积炉_湖南德智新材料股份有限公司_202510841008.9
    本申请涉及气相沉积技术领域， 尤其涉及一种气相沉积炉， 包括：炉体， 炉体内具有多个互不连通的反应室， 每个反应室内均设置有工件放置位以及与工件放置位连通的第一进气口和第一出气口；进气箱， 设置于炉体内， 进气箱具有多个第二出气口， 多个第...
    2025-11-27
  • 一种平面型半导体器件复合膜层的制备方法
    一种平面型半导体器件复合膜层的制备方法_盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司_202510736344.7
    本发明公开了一种平面型半导体器件复合膜层的制备方法， 包括如下步骤：S1、将半导体板放置在处理室中；S2、将第一稀释气体导入处理室中， 第一稀释气体为氦气和氮气的组合气体；S3、向处理室中引入射频交变电场， 产生等离子体；S4、向处理室中引...
    2025-11-27
  • 一种沉积工艺设备和薄膜应力的调节方法
    一种沉积工艺设备和薄膜应力的调节方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511288939.7
    本发明公开了一种沉积工艺设备和薄膜应力的调节方法。该沉积工艺设备包括反应腔， 其内部包括作为上电极的喷淋板， 和作为下电极的加热盘， 其中， 所述下电极连接高频功率源。所述沉积工艺设备还包括：绝缘部件， 连接所述喷淋板并设于所述喷淋板和腔体...
    2025-11-27
  • 一种用于16英寸金刚石晶圆沉积的915 MHz MPCVD装置
    一种用于16英寸金刚石晶圆沉积的915 MHz MPCVD装置_北方工业大学_202511051675.3
    本发明提供一种用于16英寸金刚石晶圆沉积的915 MHz MPCVD装置， 涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域。装置包括壳体， 壳体内设有空腔， 壳体的顶部设有微波入口， 壳体的空腔内安装有同轴天线， 同轴天线上设有进气口， 壳体的底部设...
    2025-11-27
  • 一种化学镀工艺的优化装置、优化方法、终端及介质
    一种化学镀工艺的优化装置、优化方法、终端及介质_深圳市顺信精细化工有限公司_202511049813.4
    本发明涉及玻璃通孔加工技术领域， 公开了一种化学镀工艺的优化装置、优化方法、终端及介质， 优化装置包括镀液桶、驱动模块、喷流模块、喷气模块、加热模块和控制模块， 镀液桶上设置有用于容纳镀液的反应槽；驱动模块的端部设置有待加工的测试样品；驱动...
    2025-11-27
  • 一种微小间距印刷线路板的化金工艺
    一种微小间距印刷线路板的化金工艺_高德(江苏)电子科技股份有限公司_202511067144.3
    本发明提供一种微小间距印刷线路板的化金工艺， 包括以下步骤：(1)将PCB板浸入清洗液中， 进行清洗， 并将清洗后的PCB板加入活化剂中进行活化处理， 在PCB板表面形成一层均匀的活化膜；(2)将活化处理后的PCB板加入后浸剂中进行清洗；(...
    2025-11-27
  • 一种柔性基材化学镀催化溶液的制备方法及其应用
    一种柔性基材化学镀催化溶液的制备方法及其应用_电子科技大学_202511052558.9
    本发明提供一种柔性基材化学镀催化溶液的制备方法及其应用， 属于化学镀技术领域。该催化溶液以透明质酸钠(Sodium Hyaluronate)为核心成分， 结合金属盐溶液和氨水组成独特的催化溶液体系， 通过利用透明质酸钠分子中的羟基和羧基基团...
    2025-11-27
  • 一种耐磨耐候性线夹的表面处理装置及其处理方法
    一种耐磨耐候性线夹的表面处理装置及其处理方法_网源电力科技有限公司_202511057803.5
    本发明公开了一种耐磨耐候性线夹的表面处理装置及其处理方法包括浸泡池、横向导轨和活动连接于横向导轨上的纵向导轨， 还包括：C型支架， 活动连接于纵向导轨上；浸泡机构和晃动机构， 同时连接于C型支架上；导流机构， 与浸泡池相连；所述浸泡机构包括...
    2025-11-27
  • 高强度耐腐蚀铜合金线及其制备方法
    高强度耐腐蚀铜合金线及其制备方法_江西康成特导新材股份有限公司_202510993583.0
    本发明公开了一种高强度耐腐蚀铜合金线的制备方法， 包括如下步骤：(1) 制备复合粉末；(2) 制备预处理粉末；(3) 敏化处理， 活化， 活化后的粉末进行表面化学镀铜， 获得镀铜粉末；(4) 称取铜粉、镍粉、硅粉和镀铜粉末， 加热熔化， 向...
    2025-11-27
  • 一种无铬钝化液、其制备方法及其应用
    一种无铬钝化液、其制备方法及其应用_攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司_202511050092.9
    本发明提供了一种无铬钝化液， 以重量份数计， 包括以下原料：成膜树脂9～12份， 氧化剂1～5份， 交联剂0.1～0.5份， 调节所述钝化液至酸性的pH调节剂， 水100份。本申请还提供了无铬钝化液的制备方法和应用。本发明提供的钝化液以聚乙...
    2025-11-27
  • 一种3D快速喷涂大面积极化的金属腐蚀防护方法及装置
    一种3D快速喷涂大面积极化的金属腐蚀防护方法及装置_西北工业大学_202510967739.8
    本发明公开了一种3D快速喷涂大面积极化的金属腐蚀防护方法及装置。基于钝化区间原位成膜机制， 装置采用悬臂式C型框架集成喷嘴及三轴移动平台， 通过局部喷涂电解液在飞机金属蒙皮表面形成动态电化学池， 突破传统电解槽尺寸限制， 其特征在于：大型化...
    2025-11-27
  • 一种高性能Q345复合板及其制备方法
    一种高性能Q345复合板及其制备方法_江苏宏佰益新材料科技有限公司_202511038518.9
    本发明公开了一种高性能Q345复合板及其制备方法， 包括Q345R钢基板和嵌入在Q345R钢基板的表面的嵌覆层， 其中， 所述嵌覆层包括球形料和Q345R钢基板材料， 且球形料包括以下原料及重量百分数：尖晶结构98.91~99.68%、三氧...
    2025-11-27
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