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一种用于电源管理芯片的微流道热管理结构及其低温键合工艺
本申请涉及一种用于电源管理芯片的微流道热管理结构及其低温键合工艺, 属于半导体封装领域, 包括DC‑DC转换器晶圆、数字控制晶圆、TSV硅通孔阵列、蛇形微流道, 其特征在于, 所述TSV硅通孔阵列设置于DC‑DC转换器晶圆与数字控制晶圆之间...
一种具有超声波焊接框架的半导体模块
本发明涉及半导体模块领域, 且公开了一种具有超声波焊接框架的半导体模块, 包括铜板, 所述铜板的顶部呈一字形排列有若干个连接架, 所述连接架的底部对称设置有两个支脚, 所述支脚呈Z字形, 所述连接架底部与铜板表面连接处设有铜支撑层, 所述铜...
一种应力释放通孔结构及其制备方法
本发明公开了一种应力释放通孔结构, 其包括形成于衬底中的通孔, 通孔的侧壁为沿深度方向排布的周期性曲面, 所述曲面为向背离深孔中心线的方向凹陷的弧形曲面;通孔的侧壁上设有功能层, 通孔内剩余部分填充导电材料。本发明还公开了其制备方法。本发明...
半导体封装结构及其制备方法
本申请公开一种半导体封装结构及其制备方法, 涉及半导体技术领域, 该半导体封装结构包括第一芯片、第二芯片、第一塑封体、第二塑封体、第一重布线层和第二重布线层, 第一塑封体包覆于第一芯片外, 第一重布线层和第二重布线层分别设置于第一塑封体的相...
半导体结构、形成方法、器件及电子装置
本申请涉及半导体技术领域, 尤其涉及一种半导体结构、形成方法、器件及电子装置。半导体结构包括:基底结构、焊盘金属层、凸块结构、保护层和应力分散层;基底结构中形成有介电层;焊盘金属层形成在基底结构上;焊盘金属层包括焊垫区域和非焊垫区域, 凸块...
双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法
本发明提供了双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法, 涉及半导体封装领域, 包括内部结构, 内部结构包括:GaN功率芯片, 正面具有漏电极、源电极和栅电极;散热板, 设置在GaN功率芯片的上方, 并且散热板与GaN功率芯片的背面粘接;...
一种裸片直接互连的封装结构及其制备方法
本发明涉及半导体封装技术领域, 公开了一种裸片直接互连的封装结构及其制备方法, 裸片直接互连的封装结构包括:第一裸片, 设置有第一金属凸起与第二金属凸起;第二裸片, 设置有与第一金属凸起相对设置的第三金属凸起;第一裸片通过第一金属凸起与第二...
右手半导体器件和包括右手半导体器件的系统
公开了一种右手半导体器件, 包括:控制连接器、第一负载连接器和第二负载连接器;其中, 连接器布置在同一平面中并从半导体器件的封装体中突出, 形成右手布置结构的手指;其中, 控制连接器后是第一负载连接器, 第一负载连接器后是第二负载连接器;和...
复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法
本申请公开了复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法, 方法包括:提供大面积复合基材, 大面积复合基材包括导电金属片和结合层;对大面积复合基材按照复合键合片的轮廓进行不完全切割, 形成被至少一个连接点中断的切割线, 切割线围合形成对应于...
用于集成电路封装的焊接偏移减少
本发明公开了用于集成电路封装的焊接偏移减少。在某些实施例中, 封装集成电路包括底焊盘、具有附接到所述底焊盘的底侧和包括在其上制造的应力敏感电路的顶侧的主半导体管芯、以及附接到所述主半导体管芯的所述顶侧的应力消除管芯。所述应力消除管芯用于提供...
一种全桥功率模块引线框架及封装
本申请提出一种全桥功率模块引线框架及封装, 涉及半导体封装技术领域。全桥功率模块引线框架通过电源框架将控制侧与功率侧在第一方向上进行隔离。同时, 在控制侧以一个大面积的第一基岛作为载体, 通过并排对称设置的方式贴放三个功率驱动器件, 并在第...
金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆
本申请公开了一种金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆, 金属夹结构应用于功率模块, 金属夹结构包括:汇流金属带;汇流端部, 位于所述汇流金属带的一侧并与汇流金属带电连接;至少两条键合带, 位于所述汇流金属带的一侧, 并分别与汇流金属带电连接...
金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆
本申请公开了一种金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆, 其中金属夹结构包括:汇流金属带;汇流端部, 与汇流金属带电连接且位于所述汇流金属带的第一位置;至少两条键合带, 分别与汇流金属带的第二侧壁电连接;多个散热凸起, 位于键合带的表面;其中...
铜种子层及其制备方法和应用
本发明提供了一种铜种子层及其制备方法和应用, 涉及半导体封装的技术领域, 本发明提供的制备方法进行沉积时将采用三步法来进行铜薄膜的沉积。该方法包括:第一步为在玻璃衬底表面沉积高氢含量铜薄膜层作为最底层, 减少对样品表面损伤, 提高薄膜致密性...
一种铝金属布线工艺的MIM电容结构及其制备方法
本发明提供一种铝金属布线工艺的MIM电容结构, 形成于硅衬底的CMOS多层金属布线中, 该多层金属布线包括依次平行间隔设于所述硅衬底顶部的多层金属层及设于两相邻金属层之间的IMD层;在IMD层中刻蚀有通孔并填充通孔钨塞, 相邻金属层通过通孔...
半导体器件及电镀方法
本公开公开了一种半导体器件及电镀方法, 属于半导体技术领域。该半导体器件, 包括依次叠设的外延片、阻挡层、种子层和主金属层;阻挡层为Ti层, 种子层为Au层或者Ag层, 主金属层为Au层或者Cu层;阻挡层的厚度小于种子层的厚度, 且种子层的...
一种功率模组和功率设备
本申请实施例提供一种功率模组和功率设备, 涉及半导体封装技术领域, 用于降低功率模组中的寄生电感。该功率模组包括第一导电板、第二导电板、第三端子、第一功率晶体管和第二功率晶体管。第一导电板的一部分作为第一端子。第二导电板与第一导电板层叠设置...
功率模组及功率设备
本申请一些实施方式提供一种功率模组及功率设备。功率模组包括沿第一方向层叠的基板结构及互联结构。基板结构包括基板及设于基板上的功率芯片。互联结构包括第一功率电极、第二功率电极及输出电极。第一功率电极的至少部分、第二功率电极的至少部分及输出电极...
封装结构及封装方法
一种封装结构及封装方法, 封装结构包括:基板;互连结构, 键合于基板上, 互连结构包括再布线层、以及位于再布线层上的第一塑封层, 互连结构还包括嵌于第一塑封层中的芯片桥, 第一塑封层露出芯片桥表面, 露出芯片桥的第一塑封层表面为键合面;第一...
用于实现可扩展系统的系统和方法
本公开涉及用于实现可扩展系统的系统和方法。本发明描述了用于模块化扩展的多芯片系统(100)和结构。在一些实施方案中, 使用接合条(150)来耦接相邻芯片(102, 104)。例如, 可使用连通条(150)来耦接逻辑芯片(104), 并且可使...
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