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纺织,织造,皮革制品制作工具,设备的制造及其制品技术处理方法
  • 本发明公开了一种用于边坡生态治疗的加固系统,加固板结构有序铺设于边坡表面,相邻加固板之间稳固连接,同时结合桩锚结构以及下定位板,并运用高聚物注浆技术,显著提升了边坡的稳定性,其加固强度和可靠性较高。本发明中的雨水可以形成循环灌溉,雨水收集箱...
  • 本实用新型涉及排水汇集器技术领域,且公开了一种可对内部清理的排水汇集器,在存水弯管的一侧增加浮球开关,并通过导水管从供水管线内进行水液引流,导水管的中部设置有电磁阀,当检测到存水弯管内水位过低时,电磁阀开启通过导水管向存水弯管内进行水液补充...
  • 一种耦合改进和能量泄漏减少的横向激励薄膜体声波谐振器。声波谐振器、声波滤波器器件及其制造方法。一种声波谐振器器件,包括具有正面和背面的压电板,位于所述正面的叉指换能器(IDT),叉指换能器包括从相对的第一和第二母线交替延伸的交错的指状物,交...
  • 本发明公开一种放大器电路,包括:电压到电流转换电路,用于根据输入电压信号产生电流信号,其中该电压到电流转换电路包括:运算跨导放大器,用于在该运算跨导放大器的输出埠输出该电流信号;以及电流到电压转换电路,用于根据该电流信号产生输出电压信号,其...
  • 本申请实施例提供一种双工器的封装基板及双工器,其中,封装基板包括多个布线层和设置在相邻的布线层之间的多个导电通孔;多个布线层包括位于中间布线层的第一布线层、第二布线层和第三布线层;第一布线层上设置至少部分第一电感器和第一接地部,第一电感器通...
  • 本发明实现小型化并且使IDT电极的总电容量增大的弹性波装置。弹性波装置具有压电体和压电体上的IDT电极。IDT电极具有:从第一汇流条凸出的第一电极指、从第二汇流条凸出的第二电极指、以及在第一电极指和第二电极指的排列方向上位于第一电极指与第二...
  • 本发明公开了一种高韧性的超薄柔性玻璃及其制备方法,涉及玻璃制造技术领域。所述超薄柔性玻璃的原料包括二氧化硅、氧化铝、氧化锂、氧化钠、氧化镁、改性纳米增强相、高温熔融调节剂、二氧化铈。所述改性纳米增强相:将碳化硅、氮化硅进行盐酸预处理后,与纳...
  • 本申请属于集成芯片技术领域,尤其涉及一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器,包括第一晶体管Q0、第二晶体管Q1、第三晶体管Q2、第四晶体管Q3、第五晶体管Q4、第六晶体管Q5、第七晶体管Q6以及第八晶体管Q7,采用第六晶体管Q5作为采...
  • 提供多工器,能够使得不大型化并抑制纵耦合谐振器型弹性波滤波器的破损。具备公共连接端子和发送滤波器以及接收滤波器。在发送滤波器的电路结构上,位于最靠公共连接端子侧的位置的谐振器是串联臂谐振器。在接收滤波器的电路结构上,位于最靠公共连接端子侧的...
  • 本发明涉及用于容纳适用于制备、处理和/或保存玻璃熔体的玻璃熔槽的安全装置。本发明还涉及包括这种安全装置和用于制备、处理和/或保存玻璃熔体的玻璃熔槽的玻璃熔融设备。本发明还涉及借助这种玻璃熔融设备制造或能够制造的玻璃制品。
  • 本发明公开了一种低介电低损耗高强度硼硅酸盐玻璃陶瓷复合材料及其制备方法,属于硼硅酸盐玻璃陶瓷复合材料技术领域,包括如下重量百分比的成分:70wt%低硼硅比的低碱硼硅酸盐微晶玻璃,29wt%的Al2O3和1wt%的Bi2O3,先进行高硼硅比微...
  • 本发明涉及抗蚀剂组成物、层叠体及图案形成方法。本发明的课题为提供在EB及EUV光刻等使用高能射线的光学光刻中,感度及分辨度优良的抗蚀剂组成物、以及使用了该抗蚀剂组成物的层叠体及图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:...
  • 本发明涉及玻璃盖板技术领域,具体涉及一种改善玻璃盖板耐候性的强化工艺,包括如下步骤:(1)一次强化;(2)二次强化;(3)低温退火;(4)真空镀膜。本发明的强化工艺通过采用二次强化,可以显著提升玻璃表面压应力与压应力层深度,增强抗冲击与抗摔...
  • 本发明提供了一种低品位铅锌银矿预富集铅锌银的方法,属于选矿技术领域。本发明首先将待处理低品位铅锌银矿原矿进行破碎作业,再先后使用不同孔径的标准筛进行两次筛分作业,得到筛上产物Ⅱ和筛下产物Ⅱ,采用螺旋溜槽对筛下产物Ⅱ进行分选,并采用重介质分选...
  • 本发明为一种钙钛矿量子点玻璃粉末及其制备方法,所述玻璃粉末的化学式为CsPb(Ax B1‑x )3,其中A、B为Cl、Br或I中一种或多种,0≤x≤1,所述上述组分的摩尔总量为100mol%。本发明通过组分变化可以实现荧光波长可调、制备方法...
  • 本发明公开了一种与输入脉冲信号绝对幅值无关的自动触发器,脉冲信号ui通过C1连接运放IC1的同相端,IC1的同相端偏置电压产生电路输出的1/2Vcc直流电压为运放IC1的同相端提供直流偏压,跟随器电路的输出信号一部分直接进入运放IC2的同相...
  • 一种电子设备包括一个或多个天线以及耦接到一个或多个天线的射频前端(RFFE)。RFFE包括差分电路和尾电流源。尾电流源包括晶体管,该晶体管带有经由尾节点耦接到差分电路的漏极。尾电流源还包括耦接在晶体管的漏极与栅极之间的电容。
  • 本发明公开了一种抗干扰延时型NMOS高边输出过流短路保护方法,涉及功率半导体保护电路技术领域。该方法通过分压电阻网络动态检测NMOS管压差,生成随系统电压自适应的触发差电压;采用高压比较器直接由VC供电,触发差电压明显增大,显著抑制电磁干扰...
  • 本申请公开了一种跨阻放大电路及光电信号检测系统。该跨阻放大电路应用于光电二极管,包括自举输入级与电容反馈跨阻放大级。自举输入级包含自举放大器与第一耦合电容;自举放大器的同相输入端接光电二极管阴极,输出端经第一耦合电容接光电二极管阳极,形成自...
  • 本申请提供了一种数字功率放大器的补偿方法、装置、设备和介质,该方法包括:根据输入的基带信号生成第一数字控制码;根据第一数字控制码,控制导通的电流源单元的数量;利用射频时钟信号,同步驱动所有导通的电流源单元进行开关操作产生目标电流;根据第一数...
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