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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种太阳能异质结电池PVD沉积降低镀铜对电池片性能损伤的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117096225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210517097.8，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种太阳能异质结电池PVD沉积降低镀铜对电池片性能损伤的方法是由郭海龙;曾清华;王玉华设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能异质结电池PVD沉积降低镀铜对电池片性能损伤的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能异质结电池PVD沉积降低镀铜对电池片损伤的方法，包括如下步骤：在基片衬底N型硅片上双面制绒，并在硅片正反两面分别沉积非晶硅层；采用磁控溅射方法在镀有非晶硅层的硅片正反两面分别沉积透明TCO导电薄膜；在硅片正反两面的透明导电薄膜层上分别沉积铜金属膜层，所述铜金属膜层由多个不同厚度膜层组成，并依次由薄到厚呈现，靠近TCO导电薄膜的膜层厚度为最薄；在N型硅片正反两面的铜金属膜层上形成金属栅线电极；去除金属栅线电极区域外的铜金属膜层。本发明可以使异质结电池在金属化制程中降低PVD沉积铜时对ITO和非晶硅的损伤，提升薄膜光电性能。

本发明授权一种太阳能异质结电池PVD沉积降低镀铜对电池片性能损伤的方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能异质结电池PVD沉积降低镀铜对电池片性能损伤的方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤： 在基片衬底N型硅片上双面制绒，并在硅片正反两面分别沉积非晶硅层； 采用磁控溅射方法在镀有非晶硅层的硅片正反两面分别沉积透明TCO导电薄膜； 在硅片正反两面的透明导电薄膜层上分别沉积铜金属膜层，所述铜金属膜层由多个不同厚度膜层组成，并依次由薄到厚呈现，靠近TCO导电薄膜的膜层厚度为最薄； 所述铜金属膜层靠近TCO导电薄膜的第一层靶位铜的功率密度为1-1.5wmm，第二层靶位铜的功率密度为3-3.7wmm，第三层靶位铜的功率密度为5-5.5wmm，第四层靶位铜的功率密度为6-6.5wmm；所述铜金属膜层靠近TCO导电薄膜的第一层靶位铜的厚度为100-150Å，第二层靶位铜的厚度为300-350Å，第三层靶位铜的厚度为400-450Å，第四层靶位铜的厚度为500-600Å； 在N型硅片正反两面的铜金属膜层上形成金属栅线电极； 去除金属栅线电极区域外的铜金属膜层。

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