拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司贾鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利混气装置和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117046332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311104151.7，技术领域涉及：B01F23/10；该发明授权混气装置和半导体工艺设备是由贾鑫;朱佳奇;张艳喆;刘思然设计研发完成，并于2023-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本混气装置和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种混气装置和半导体工艺设备，涉及半导体领域。混气装置包括本体，本体内设置有混气腔，本体还设置有与混气腔连通的第一流道、第二流道和出气流道。第一流道和第二流道与混气腔连通的一端均向着混气腔的中心延伸。其能够让多种气体混合的更加均匀，从而可以满足半导体工艺的需求。
本发明授权混气装置和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种混气装置，其特征在于，包括本体110，所述本体110内设置有混气腔111，所述本体110还设置有与所述混气腔111连通的第一流道113、第二流道115和出气流道117； 所述第一流道113和第二流道115与所述混气腔111连通的一端均向着所述混气腔111的中心延伸； 所述第一流道113包括依次连接的第一进气段119、第一稳压段123和第一加压段121，所述第一进气段119的流通面积大于所述第一加压段121的流通面积，所述第一稳压段123的流通面积大于所述第一进气段119的流通面积； 所述第二流道115包括依次连接的第二进气段125、第二稳压段129和第二加压段127，所述第二进气段125的流通面积大于所述第二加压段127的流通面积，所述第二稳压段129的流通面积大于所述第二进气段125的流通面积； 其中，所述第一进气段119的一端与所述本体110的外部连通，另一端与所述第一加压段121的一端连通，所述第一加压段121的另一端与所述混气腔111连通，且向着所述混气腔111的中心方向倾斜延伸； 所述第二进气段125的一端与所述本体110的外部连通，另一端与所述第二加压段127的一端连通，所述第二加压段127的另一端与所述混气腔111连通，且向着所述混气腔111的中心方向倾斜延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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