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龙图腾网获悉江苏大学申请的专利一种CSAMT全区视电阻率-深度剖面的生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117031561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310988624.8，技术领域涉及：G01V3/12；该发明授权一种CSAMT全区视电阻率-深度剖面的生成方法是由曹清华;闫述设计研发完成，并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CSAMT全区视电阻率-深度剖面的生成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CSAMT全区视电阻率‑深度剖面的生成方法。以记录点的水平位置和垂直位置作为视电阻率的赋值点：在远区，记录点位于测点正下方的探测深度处；在中区，设波前的半径随感应数的减小线性地减小，记录点位于波前与探测深度至源点直线的交点上且随感应数的减小从测点向源点趋近；在近区，随着感应数的继续减小，记录点的水平位置从源点附近向偏移距中点趋近，垂直位置从源点下方附近向与偏移距成比例的某定值趋近，本发明中该定值等于偏移距除以远区和中区的临界值。本发明为分离平面与非平面波，消除和利用场源复印与阴影效应提供了一种新的简便快速的方法，提高了视电阻率‑深度剖面的解释效果。

本发明授权一种CSAMT全区视电阻率-深度剖面的生成方法在权利要求书中公布了：1.一种CSAMT全区视电阻率-深度剖面的生成方法，其特征在于，以记录点的水平位置和垂直位置作为视电阻率的赋值点，在远区，记录点位于测点正下方的探测深度处；在中区，波前的半径随感应数的减小线性地减小，记录点位于波前与探测深度至源点直线的交点上且随感应数的减小从测点向源点趋近；在近区，随着感应数的继续减小，记录点的水平位置从源点附近向偏移距中点趋近，垂直位置从源点下方附近向定值趋近： 其中，为感应数，ri为偏移距探测深度，为探测深度，i＝1,2,…,m是测点号，j＝1,2,…,n是频点号，crifar-mid是远区和中区的临界值，crimid-near是中区和近区的临界值； ①轴向装置，设源点与直角坐标系的原点O重合、测线沿x轴布置，将公式1a、1b、1c中的上标r换成x，那么在测线方向的xOz平面上，各测点的记录点水平位置记为记录点垂直位置记为此位置就是轴向装置在xOz平面上各测点视电阻率的赋值点；1条轴向装置的测线，生成1条沿测线方向的视电阻率-深度剖面； ②赤道向装置，1条具有m个测点的赤道向装置，会生成1条沿测线的剖面，以及m条沿源点至测点的剖面，为此设测线的中点为坐标原点O′，使源点与圆柱坐标系原点O重合、连线OO′与测线相垂直，设测线方向为直角坐标系的x′轴，将式1a中的上标r换成x′，那么在沿测线方向的x′O′z平面上，各测点的记录点水平位置记为记录点垂直位置记为此记录点位置就是赤道向装置在x′O′z平面上各测点视电阻率的赋值点； 每条沿源点至测点的剖面所在的每个rOz平面上，各测点的记录点水平位置和垂直位置仍为公式1a、1b、1c所示，此记录点位置就是赤道向装置在rOz平面上各测点视电阻率的赋值点。

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