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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种CMOS掺杂参数的校准及优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116467842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310191010.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种CMOS掺杂参数的校准及优化方法是由吕红亮;乔晶;姚如雪;张玉明设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS掺杂参数的校准及优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS掺杂参数的校准及优化方法，包括：获取尺寸不同的多个CMOS器件的工作条件、特性数据、初始掺杂参数和结构参数；从特性数据中选择出原始第一端特性值和原始第二端特性值；基于工作条件、结构参数和初始掺杂参数，通过对每个CMOS器件的第一特性的仿真，以及对初始掺杂参数的调整，确定至少两组参数；在至少两组参数下，每个CMOS器件的第一仿真端特性值与该CMOS器件的第一原始端特性值之间的误差值小于第一预设阈值；采用至少两组参数对每个CMOS器件的第二特性仿真，根据仿真结果得到多个CMOS器件各自的第二仿真端特性值；根据多个CMOS器件的第二原始端特性值和第二仿真端特性值，从至少两组参数中选择一组目标参数。

本发明授权一种CMOS掺杂参数的校准及优化方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS掺杂参数的校准及优化方法，其特征在于，包括： 获取尺寸不同的多个CMOS器件的工作条件、第一特性数据、第二特性数据、初始掺杂参数和结构参数； 从每个CMOS器件的第一特性数据和第二特性数据中，选择预设条件下的端特性值，得到原始第一端特性值和原始第二端特性值；所述第一特性为击穿特性和转移特性中的任意一个，所述第二特性为击穿特性和转移特性中的另一个；对应的，所述原始第一端特性值为原始击穿电压和线性区的原始漏极电流中的任意一个，所述原始第二端特性值为原始击穿电压和线性区的原始漏极电流中的另一个； 基于所述工作条件、所述结构参数和所述初始掺杂参数，通过对每个CMOS器件的第一特性的仿真，以及对所述初始掺杂参数的调整，确定至少两组仿真掺杂参数；在所述至少两组仿真掺杂参数下，每个CMOS器件的第一仿真端特性值与该CMOS器件的原始第一端特性值之间的误差值均小于第一预设阈值；每组仿真掺杂参数包括：漂移区每次的掺杂浓度和沟道区每次的掺杂浓度；不同组仿真掺杂参数之间的至少一次漂移区或沟道区的掺杂浓度不同； 根据所述至少两组仿真掺杂参数，对每个CMOS器件的第二特性仿真，从仿真结果中选择每组仿真掺杂参数下每个CMOS器件在所述预设条件下的第二端特性值，得到第二仿真端特性值； 根据所述原始第二端特性值和所述第二仿真端特性值，从所述至少两组仿真掺杂参数中选择一组目标参数；在所述目标参数下，每个CMOS器件的第二仿真端特性值与该CMOS器件的原始第二端特性值之间的误差最小，且误差均小于或等于第二预设阈值； 所述基于所述工作条件、所述结构参数和所述初始掺杂参数，通过对每个CMOS器件的第一特性的仿真，以及对所述初始掺杂参数的调整，确定至少两组仿真掺杂参数，包括： 将所述工作条件、所述结构参数和所述初始掺杂参数输入仿真平台，分别仿真得到尺寸不同的所述多个CMOS器件，以及每个CMOS器件的第一初始仿真特性数据； 从所述第一初始仿真特性数据中选择每个CMOS器件在所述预设条件下的第一端特性值，得到第一初始仿真端特性值； 基于所述原始第一端特性值与所述第一初始仿真端特性值之间的差异，多次调整所述初始掺杂参数，并在每次调整后，采用调整得到的一组仿真掺杂参数对仿真出的每个尺寸的CMOS器件的第一特性进行仿真，得到该组仿真掺杂参数下每个尺寸的CMOS器件的第一仿真特性数据； 将多组仿真掺杂参数一一对应的多个第一仿真特性数据中，每个第一仿真特性数据中每个CMOS器件在所述预设条件下的第一端特性值，作为一组第一仿真端特性值，得到多组第一仿真端特性值； 根据所述多组第一仿真端特性值之间的变化关系，以及所述多组仿真掺杂参数与所述多组第一仿真端特性值之间的对应关系，确定掺杂参数与第一仿真端特性值之间的影响关系； 根据所述影响关系对所述初始掺杂参数进行调整，根据调整得到的掺杂参数，确定所述至少两组仿真掺杂参数。

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