信越半导体株式会社石崎顺也获国家专利权
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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利接合晶圆的制造方法及接合晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115315781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180023402.1，技术领域涉及：H10P10/00；该发明授权接合晶圆的制造方法及接合晶圆是由石崎顺也;古屋翔吾设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本接合晶圆的制造方法及接合晶圆在说明书摘要公布了：本发明提供一种接合晶圆的制造方法，其是将通过使化合物半导体在生长基板上外延生长而成的化合物半导体晶圆与被接合晶圆接合的接合晶圆的制造方法，其特征在于，使所述被接合晶圆的接合面的面积大于所述化合物半导体晶圆的接合面的面积，且将所述被接合晶圆与所述化合物半导体晶圆接合后，去除所述生长基板。由此，能够提供一种可抑制裂纹的产生的接合晶圆的制造方法。
本发明授权接合晶圆的制造方法及接合晶圆在权利要求书中公布了：1.一种接合晶圆的制造方法，其是将通过使化合物半导体在生长基板上外延生长而成的化合物半导体晶圆与被接合晶圆接合的接合晶圆的制造方法，其特征在于， 使所述被接合晶圆的接合面的面积大于所述化合物半导体晶圆的接合面的面积， 使所述被接合晶圆与所述化合物半导体晶圆之间的接合为不经由任何物质的直接接合、经由金属的金属接合、及经由高分子进行接合的方法中的任一种， 以使所述化合物半导体晶圆的中心距所述被接合晶圆的中心的偏离为1~5mm的方式进行配置， 以使所述化合物半导体晶圆的进行了外延生长的化合物半导体侧为接合面而将其与被接合晶圆接合后，去除所述生长基板， 将去除了所述生长基板的化合物半导体晶圆的总厚度设为15μm以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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