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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种PLM-14T抗辐照SRAM存储单元电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210942402.8，技术领域涉及：G11C11/411；该发明授权一种PLM-14T抗辐照SRAM存储单元电路是由赵强;马屹飞;吴秀龙;彭春雨;蔺智挺;卢文娟;陈军宁设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PLM-14T抗辐照SRAM存储单元电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种PLM‑14T抗辐照SRAM存储单元电路。一种PLM‑14T抗辐照SRAM存储单元电路包括十个NMOS晶体管N1～N10和四个PMOS晶体管P1～P4；P1和P2以及P3和P4交叉耦合，N1和N2对应着P1和P2作为下拉管，N3和N4对应着P3和P4作为下拉管，N5和N6构成调节存储节点的反馈回路；主存储节点Q与QB通过N7与N8分别与位线BL和BLB相连，冗余存储节点S1与S0通过N9与N10别与位线BL和BLB相连。本发明的存储节点采用双下拉回路来起到反馈调节作用，增强了电路存储节点的抗翻转能力。同时该电路使用四个传输晶体管进行读写，提高了单元的数据写入速度以及写噪声容限。

本发明授权一种PLM-14T抗辐照SRAM存储单元电路在权利要求书中公布了：1.一种PLM-14T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，其包括： 十个NMOS晶体管N1~N10和四个PMOS晶体管P1~P4；晶体管P1~P4的源极与VDD电连接，晶体管N1~N6的源极接地，晶体管P1和P2以及P3和P4交叉耦合；晶体管N1的漏极与P1的漏极、P2的栅极、N6的栅极、N7的漏极电连接，N1的栅极与P3的漏极、P4的栅极、N3的漏极、N4的栅极、N6的漏极、N10的漏极电连接；晶体管N2的漏极与P1的栅极、P2的漏极、N5的栅极、N8的漏极电连接，N2的栅极与P3的栅极、P4的漏极、N3的栅极、N4的漏极、N5的漏极、N9的漏极电连接； 位线BL与N7、N9的源极电连接；位线BLB与N8、N10的源极电连接；字线WL与N7、N8、N9、N10的栅极电连接；存储节点Q与QB通过N7、N8分别与位线BL和BLB相连，存储节点S1与S0通过N9、N10分别与位线BL和BLB相连；晶体管N5和N6构成调节存储节点的反馈回路； 其中，Q通过N7与BL相连；QB通过N8与BLB相连；S1通过N9与BL相连；S0通过N10与BLB相连； N1和N2对应着P1和P2作为下拉管；N3和N4对应着P3和P4作为下拉管。

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