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龙图腾网获悉上海瀚薪科技有限公司申请的专利一种SiC半导体组件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110482707.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种SiC半导体组件的制作方法是由李隆盛;洪建中;李传英设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC半导体组件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体组件技术领域，具体地说，涉及一种SiC半导体组件的制作方法主要包括取表面生长有SiC外延层的SiC衬底，在SiC外延层上生长一层第一掩膜层，并在第一掩膜层上端面蚀刻出定义区，在定义区内向SiC外延层内部植入深层P阱，植入深层P阱后在定义区内部沉积一层氧化物和多晶硅，再通过蚀刻形成第一侧壁，通过第一侧壁向SiC外延层内部植入间层P阱，在有第一侧壁的间层P阱内沉积一层多晶硅后蚀刻出第二侧壁，并通过第二侧壁向SiC外延层内部植入浅层P阱，向有第一侧壁和第二侧壁的定义区内部再沉积一层多晶硅，在多晶硅表面上一层光阻，然后在定义区形成后续P+离子植入的遮蔽膜。该发明有效的提高了SiCMOSFET的耐压性能，且MOSFET可做的更小。

本发明授权一种SiC半导体组件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC半导体组件的制作方法，其特征在于：包含以下步骤： 步骤一：取表面生长有SiC外延层12的SiC衬底11，在SiC外延层12上生长一层第一掩膜层13，并在第一掩膜层13上端面蚀刻出定义区； 步骤二：在定义区内向SiC外延层12内部植入深层P阱9； 步骤三：植入深层P阱9后在定义区内部沉积一层氧化物和多晶硅，再通过蚀刻形成第一侧壁14； 步骤四：通过第一侧壁14向SiC外延层12内部植入间层P阱10； 步骤五：在有第一侧壁14的间层P阱10内沉积一层多晶硅后蚀刻出第二侧壁15，并通过第二侧壁15向SiC外延层12内部植入浅层P阱8； 步骤六：向有第一侧壁14和第二侧壁15的定义区内部再沉积一层多晶硅，在多晶硅表面上一层光阻，然后在定义区形成后续P+离子植入的遮蔽膜，同时在第二侧壁15边缘蚀刻出第三侧壁16，并通过第三侧壁16向SiC外延层12内部植入N+离子2； 步骤七：将SiC外延层12上端面的第一掩膜层13、第一侧壁14、第二侧壁15和第三侧壁16去除，再生长一层第二掩膜层17，经曝光及蚀刻定义P+区后将光阻去除，通过蚀刻露出SiC外延层12，并在SiC外延层12上端面植入P+离子4，植入P+离子4后将第二掩膜层17去除，并在半导体上部覆盖一层碳膜保护，然后将半导体整体回火，使植入的离子层活化成导体； 步骤八：将回火活化后SiC外延层12上端面的碳保护层去除，然后依次生长闸极氧化物5和复晶硅7，并将复晶硅7蚀刻出第一窗口，再在复晶硅7上端面生长一层层间介电层6，最后在层间介电层6上端面蚀刻出第二窗口； 步骤九：第二窗口区域去除氧化物露出SiC外延层，经沉积Ni金属回火后形成Ni硅化合物3； 步骤十：半导体上方沉积金属电极导电层1，完成半导体最后组件。

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