杰华特微电子(杭州)有限公司韩广涛获国家专利权
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龙图腾网获悉杰华特微电子(杭州)有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111739938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010741338.8，技术领域涉及：H10D10/00；该发明授权半导体器件是由韩广涛;葛薇薇设计研发完成，并于2020-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件，包括衬底和位于衬底上的体区，体区上表面包括依次连接的集电区、基区和发射区，在集电区和基区区域中包括场氧区，在该场氧区上包括场板结构，该场板结构为阶梯场板结构。本发明的半导体器件的场板结构在集电区与基区之间的PN结反偏时，可以调节集电区电场，辅助耗尽集电区，在不影响集电区的尺寸和掺杂浓度的情况下，提升器件的耐压，并且阶梯场板结构在集电区和基区区域中提供不同规格的调节电场，针对不同位置提供不同的调节电场，提升了场板结构的应用效果，提升器件性能。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底和位于所述衬底上的体区，所述体区的上表面包括依次连接的集电区、基区和发射区，其中， 在所述集电区和所述基区之间的区域中包括场氧区，在所述场氧区上包括场板结构； 在所述半导体器件的纵截面上，所述集电区和所述基区呈L型嵌套设置，所述发射区嵌套在所述基区的L型包围空间中，且在所述半导体器件的俯视面上，所述场板结构的投影区域与所述基区和所述集电区均相交； 所述场板结构为阶梯场板结构，至少包括第一场板结构和第二场板结构，所述第一场板结构和所述第二场板结构均包括下层的场板氧化层和上层的多晶硅层，且所述第一场板结构的第一场板氧化层的厚度小于所述第二场板结构的第二场板氧化层的厚度，用于在所述集电区和所述基区之间的PN结反偏时，在所述集电区和所述基区区域中提供不同规格的调节电场。
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