昭和电工株式会社野口骏介获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利基座、SiC单晶的制造装置和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110735183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910627951.4，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权基座、SiC单晶的制造装置和制造方法是由野口骏介设计研发完成，并于2019-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基座、SiC单晶的制造装置和制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及支持SiC的单晶生长用的晶种的基座、具备该基座的SiC单晶的制造装置和制造方法。本发明的目的是提供一种基座，在用粘结剂固定了晶种的状态下，能够除去从被加热了的粘结剂中产生的气体。本发明的基座103是晶体生长用的晶种102的基座103，粘结晶种102的一侧的主面103a是平坦的，且具有气体透过区域106，气体透过区域106是从一侧的主面103a起的厚度局部变薄地形成的。
本发明授权基座、SiC单晶的制造装置和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基座，是晶体生长用的晶种的基座，在所述基座的一侧的主面上利用由粘结剂构成的粘结剂层粘结晶种，其特征在于， 粘结所述晶种的一侧的主面是平坦的， 所述基座具有气体透过区域，所述气体透过区域是从所述一侧的主面起的厚度局部变薄地形成的区域， 所述气体透过区域的厚度为1mm以上且小于5mm， 所述气体透过区域的厚度随着从中心远离而增加。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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