天合光能股份有限公司霍锦艳获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224218759U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521162896.3，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型太阳能电池是由霍锦艳;陈景绍;陈达明;杨德慧;张煜设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请涉及光伏电池技术领域，具体提供一种太阳能电池。旨在解决阻挡层过薄容易导致金属浆料烧穿多晶硅层，过厚会导致电池的短路电流过低，影响电池效率的问题。为此，本申请提供了一种太阳能电池，包括：硅基底；隧穿氧化层，设置于硅基底；多层多晶硅层，设置在隧穿氧化层上；阻挡层，设置于相邻两个多晶硅层之间；钝化层，设置在多层多晶硅层上；多个电极，设置在钝化层上；阻挡层包括多个第一阻挡部和第二阻挡部，第一阻挡部与电极在硅基底上的正投影一一对应，第一阻挡部的厚度大于第二阻挡部的厚度；或者，阻挡层仅包括第一阻挡部。本申请能够避免金属浆料烧穿多晶硅层，减小阻挡层对电池的短路电流的影响。
本实用新型太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括： 硅基底100，包括相对设置的第一表面和第二表面； 隧穿氧化层200，设置于所述硅基底100的第一表面和或第二表面； 多层多晶硅层300，设置在所述隧穿氧化层200上； 阻挡层400，设置于相邻两个所述多晶硅层300之间； 钝化层500，设置在多层所述多晶硅层300上； 多个电极600，设置在所述钝化层500上； 其中，所述阻挡层400包括多个第一阻挡部401和第二阻挡部402，所述第一阻挡部401与所述电极600在所述硅基底100上的正投影一一对应，所述第一阻挡部401的厚度大于所述第二阻挡部402的厚度；或者，所述阻挡层400仅包括与所述电极600在所述硅基底100上的正投影一一对应的多个第一阻挡部401。
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