中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金泰源获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种清洗装置、清洗系统及清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011176697.X，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种清洗装置、清洗系统及清洗方法是由金泰源;张月;杨涛;卢一泓;刘青设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种清洗装置、清洗系统及清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种清洗装置、清洗系统及清洗方法，涉及化学机械抛光技术领域，在精确控制清洗装置所包括的清洗刷组件作用在晶圆不同待清洗区域上的清洗压力的情况下，降低对晶圆表面的欠清洗和或过清洗的风险。该清洗装置应用于化学机械抛光后的晶圆的清洗，晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同。清洗装置包括供液单元、供液管路和清洗刷组件。供液单元通过供液管路向清洗刷组件供应清洗液。清洗刷组件具有至少两个清洗区域，一个清洗区域对应一个待清洗区域。供液管路向至少两个清洗区域提供不同的清洗力。本发明还提供一种清洗系统及清洗方法。
本发明授权一种清洗装置、清洗系统及清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种清洗装置，其特征在于，应用于晶圆抛光后的清洗，所述晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同；所述清洗装置包括供液单元、供液管路和清洗刷组件； 所述供液单元通过所述供液管路向所述清洗刷组件供应清洗液； 所述清洗刷组件具有至少两个清洗区域，一个所述清洗区域对应一个所述待清洗区域； 所述供液管路向至少两个所述清洗区域提供不同的清洗力，以使得通过所述清洗区域作用在所述待清洗区域上的清洗压力不同； 所述供液管路包括与所述供液单元连通的供液主路，以及与所述供液主路连通的至少两个供液支路；至少一个所述供液支路对应为一个所述清洗区域提供所述清洗液； 所述清洗刷组件包括旋转轴以及套设在所述旋转轴上的刷头； 所述旋转轴具有沿所述旋转轴的轴向开设的通道，以及沿所述旋转轴的径向开设的喷射口；所述喷射口与所述通道连通； 至少所述供液管路所包括的所述供液支路设置在所述通道内。
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