环球展览公司M·富塞拉获国家专利权
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龙图腾网获悉环球展览公司申请的专利等离激元OLED和垂直偶极子发射体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110776953.7，技术领域涉及：H10K50/11；该发明授权等离激元OLED和垂直偶极子发射体是由M·富塞拉;N·J·汤普森设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离激元OLED和垂直偶极子发射体在说明书摘要公布了：本申请案涉及等离激元OLED和垂直偶极子发射体。提供了化合物、包含化合物的调配物和利用化合物的装置，其中所述装置包括衬底、第一电极、安置于所述第一电极上方的包含有机发射材料的有机发射层。所述装置包括增强层，其包含展现表面等离激元共振的等离激元材料，所述等离激元材料非辐射地耦合到所述有机发射材料并将激发态能量从所述有机发射材料转移到表面等离极化激元的非辐射模式。所述增强层被设置成离所述有机发射层的距离不超过阈值距离，其中，由于存在所述增强层，所述有机发射材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数。所述有机发射材料和所述有机发射层中的至少一者具有等于或大于0.33的垂直偶极子比VDR值。
本发明授权等离激元OLED和垂直偶极子发射体在权利要求书中公布了：1.一种有机发光二极管装置，其包含： 衬底； 第一电极； 安置于所述第一电极上方的包含有机发射材料的有机发射层； 增强层，其包含展现表面等离激元共振的等离激元材料，所述等离激元材料非辐射地耦合到所述有机发射材料并将激发态能量从所述有机发射材料转移到表面等离极化激元的非辐射模式，所述增强层安置于所述有机发射层上， 其中所述增强层被设置成离所述有机发射层的距离不超过阈值距离， 其中，由于存在所述增强层，所述有机发射材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数，且所述阈值距离为所述总的非辐射衰减率常数等于所述总的辐射衰减率常数的位置；以及 其中所述有机发射材料和所述有机发射层中的至少一者具有等于或大于0.33的垂直偶极子比VDR值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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