吉林大学殷红获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利六方氮化硼薄膜及其制备方法、能带调控方法和宽光谱紫外光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121751982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610237158.3，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权六方氮化硼薄膜及其制备方法、能带调控方法和宽光谱紫外光电探测器是由殷红;郭莹莹;赵丹妮;龙泽;高伟设计研发完成，并于2026-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本六方氮化硼薄膜及其制备方法、能带调控方法和宽光谱紫外光电探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及化学气相沉积技术制备宽禁带半导体材料，提供了六方氮化硼薄膜及其制备方法、能带调控方法和宽光谱紫外光电探测器，以氮化镁为掺杂源，采用化学气相沉积法在h‑BN薄膜外延同步引入掺杂源，实现镁元素在h‑BN晶格中的原位掺杂，通过控制镁掺杂浓度将h‑BN薄膜的禁带宽度从5.91eV调控至3.38eV。本发明还基于该镁掺杂h‑BN薄膜制备得到宽光谱紫外光电探测器，紫外光吸收范围拓宽至185‑365nm波段，实现宽光谱、高灵敏度的紫外探测。本发明掺杂工艺可控，能带调控效果显著，突破了本征h‑BN基探测器的光谱响应限制，促进光电器件在环境监测、生化分析等领域的应用。
本发明授权六方氮化硼薄膜及其制备方法、能带调控方法和宽光谱紫外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 取含硼前驱体作为硼源，与负载有氧化石墨烯薄膜的蓝宝石衬底一同置于化学气相沉积反应腔体中的第二温区；称取含镁掺杂源作为掺杂源置于化学气相沉积反应腔体中的上游第一温区，含硼前驱体与含镁掺杂源的质量比为8:1；随后反应腔体内抽真空，当第二温区生长温度升至大于800小于1100℃时，向反应腔体内通入流量比为0.5-1.5:1的含氮前驱体与载气的混合气体，混合气体总流量控制为300sccm；保持第二温区恒温生长使氧化石墨烯完全消失后，将第一温区升温至800-900℃，促使含镁掺杂源分解，并由载气携带至第二温区，随后维持反应条件继续反应生长；生长结束后，自然冷却至室温，得到附着在蓝宝石衬底上的淡灰色半透明镁掺杂六方氮化硼薄膜。
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