合肥晶合集成电路股份有限公司盛云获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121729066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610230677.7，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权一种半导体结构的制备方法和半导体结构是由盛云;高志杰;蔡宗佐;高佑琳设计研发完成，并于2026-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、垫氧化层、垫氮化层和至少一个沟槽，垫氧化层形成于衬底的表面，垫氮化层形成于垫氧化层的表面，沟槽设置于衬底内，且上部贯穿垫氧化层、垫氮化层形成开口；于沟槽的底部形成压电材料层；于沟槽内填充隔离氧化物，直至隔离氧化物覆盖沟槽和垫氮化层；沿垂直朝向基底上表面的方向对基底施加电场，并在电场作用下对隔离氧化物进行平坦化处理，直至垫氮化层表面的隔离氧化物去除后撤消电场，制得浅沟槽隔离结构。本发明的半导体结构的制备方法可以改善浅沟槽隔离结构表面的碟形凹陷，提高半导体结构的良品率。
本发明授权一种半导体结构的制备方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底，所述基底包括衬底、垫氧化层、垫氮化层和至少一个沟槽，所述垫氧化层形成于所述衬底的表面，所述垫氮化层形成于所述垫氧化层的表面，所述沟槽设置于所述衬底内，且上部贯穿所述垫氧化层、所述垫氮化层形成开口； 于所述沟槽的底部形成压电材料层； 于所述沟槽内填充隔离氧化物，直至所述隔离氧化物覆盖所述沟槽和所述垫氮化层； 沿垂直朝向所述基底上表面的方向对所述基底施加电场，并在所述电场作用下对所述隔离氧化物进行平坦化处理，直至所述垫氮化层表面的隔离氧化物去除后撤消电场，制得浅沟槽隔离结构。
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