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龙图腾网获悉英彼森半导体(珠海)有限公司申请的专利一种驱动电压产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121680557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610173115.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种驱动电压产生电路是由王钊;王定斌设计研发完成，并于2026-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种驱动电压产生电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种驱动电压产生电路，涉及驱动电压技术领域，包括：第二NMOS管漏极、第三NMOS管漏极和电流源一端均与输入电压源连接；第二NMOS管栅极分别与第一PMOS管栅极、第一电阻一端和电流源另一端连接；第二NMOS管源极与第一PMOS管源极连接，其第一连接节点连接第一输出节点，输出低边驱动电压；第二NMOS管栅极与电流源另一端的第二连接节点与第三NMOS管栅极连接形成第三连接节点；第三连接节点与第四NMOS管栅极连接；第三NMOS管源极与第二PMOS管源极连接，形成的第四连接节点与第四NMOS管漏极连接；第四NMOS管源极连接第二输出节点，输出高边驱动电压。能够产生更准确的功率NMOS的栅极驱动电压，进而提升能量转换效率，减小芯片面积。

本发明授权一种驱动电压产生电路在权利要求书中公布了：1.一种驱动电压产生电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、电流源、第一PMOS管、第二PMOS管和第一电阻； 所述第二NMOS管漏极、所述第三NMOS管漏极和所述电流源一端均与输入电压源连接； 所述第二NMOS管栅极分别与所述第一PMOS管栅极、所述第一电阻一端和所述电流源另一端连接； 所述第二NMOS管源极与所述第一PMOS管源极连接，其形成的第一连接节点连接第一输出节点，输出低边驱动电压； 所述第二NMOS管栅极与所述电流源另一端的第二连接节点与所述第三NMOS管栅极连接，并形成第三连接节点； 所述第三连接节点与所述第四NMOS管栅极连接； 所述第三NMOS管源极与所述第二PMOS管源极连接，形成的第四连接节点与所述第四NMOS管漏极连接； 所述第四NMOS管源极连接第二输出节点，输出高边驱动电压； 所述第二NMOS管栅极与所述第一电阻一端的第五连接节点和所述第二PMOS管栅极连接； 所述第一电阻的另一端分别与所述第一NMOS管栅极和漏极连接； 所述第一PMOS管漏极、所述第一NMOS管源极和所述第二PMOS管漏极均接地。

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