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龙图腾网获悉宁波锦辉光学科技股份有限公司申请的专利一种真空镀膜方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121555975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610078025.6，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种真空镀膜方法及系统是由王志东;孙旭科;高卫华;陈顺;孙杰克;沈金强;赵鸿明设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种真空镀膜方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种真空镀膜方法及系统。所述系统包括依次连通的第一溅射腔室、第一真空传输通道、CVD腔室、第二真空传输通道及第二溅射腔室。本发明利用基片在第一真空传输通道内移动时形成的流阻节流效应，在第一溅射腔室与CVD腔室之间建立压力梯度，驱动CVD腔室内的活性等离子体形成指向第一溅射腔室的逆向射流，对基片表面的第一金属层进行原位杂化反应，从而构建出梯度过渡层。本发明摒弃了物理闸阀，消除了微粒污染，显著提升了HUD反射镜膜层的结合力与耐候性。

本发明授权一种真空镀膜方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种真空镀膜方法，其特征在于，应用于真空镀膜系统100，所述真空镀膜系统100包括通过第一真空传输通道30连通的第一溅射腔室10和CVD腔室20，所述真空镀膜方法包括： S1、将待镀膜的基片1置于第一溅射腔室10内，将第一溅射腔室10调节压力至第一压力，在基片1表面沉积第一金属层； S2、驱动基片1从第一溅射腔室10经由第一真空传输通道30向CVD腔室20移动；当基片1位于第一真空传输通道30内时，利用基片1缩小第一真空传输通道30的有效通气截面以建立流阻节流区； S3、在维持所述流阻节流区的状态下，向CVD腔室20内注入化学气相沉积前驱体气体以使CVD腔室20内的压力升高至高于所述第一压力的第二压力，并激发所述化学气相沉积前驱体气体产生活性等离子体；利用所述流阻节流区两侧形成的压力梯度，驱动CVD腔室20内的活性等离子体经由第一真空传输通道30形成指向第一溅射腔室10的逆向射流，所述逆向射流对位于第一真空传输通道30内的基片1表面的第一金属层进行原位杂化反应，从而在第一金属层的表面原位构建出金属有机杂化的梯度过渡层； S4、将基片1完全传输进入CVD腔室20后，因所述流阻节流区消失而使得所述逆向射流终止，随后将CVD腔室20调节压力至小于或等于所述第一压力的第三压力，在所述梯度过渡层表面沉积有机保护层。

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