甬江实验室张杰获国家专利权
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龙图腾网获悉甬江实验室申请的专利氮化硅镁粉体、其分步气压自蔓延制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121553908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610088584.5，技术领域涉及：C01B21/06；该发明授权氮化硅镁粉体、其分步气压自蔓延制备方法及应用是由张杰;董丽然;陈克新;袁镇威;张钊源设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化硅镁粉体、其分步气压自蔓延制备方法及应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种氮化硅镁粉体、其分步气压自蔓延制备方法及应用，属于高性能陶瓷粉体材料技术领域。该方法将镁粉、氮化硅粉和无机盐粉混合均匀后，置于自蔓延反应体系中，先在低压氩气氛围下进行多点点火，再切换至高压氮气条件下完成反应，得到氮化硅镁复合粉体；随后通过多步清洗和低温退火处理，得到氮化硅镁粉体；粒径大小为1.2μm~2.5μm；所述镁的摩尔含量为25%~45%，氮化硅的摩尔含量为55%~75%，所述氧含量0.2wt.％，比表面积为2.0m2g~8.0m2g；适用于烧结助剂、耐火材料、复合材料增强相及电子封装基板等领域。
本发明授权氮化硅镁粉体、其分步气压自蔓延制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅镁粉体的分步气压自蔓延制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供镁粉、氮化硅粉和无机盐粉，混匀后得到混合粉体； 将所述混合粉体置于自蔓延反应体系中，在第一压力P1下进行多点低压点火，后在第二压力P2下进行高压反应，得到氮化硅镁复合粉体，其中，所述多点低压点火通入的气体为氩气，所述高压反应通入的气体为氮气； 对所述氮化硅镁复合粉体依次进行清洗和热处理，得到所述氮化硅镁粉体；其中，P2:P1=3.75-10:1，所述第一压力P1的压力范围为0.5MPa～0.8MPa，所述第二压力P2的压力范围为3MPa～5MPa。
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