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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610070620.5，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法是由张静;麻胜恒;汪连山;陈福鑫;赵柏聿设计研发完成，并于2026-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNHEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法，涉及半导体技术领域，其中反相器包括n沟道和p沟道增强型GaNHEMT，两者横向分布于同一衬底的共用外延层上；外延层上方依次设置有二维介质层、石墨烯层及隔离介质层；p沟道器件源漏极设置在刻蚀隔离介质层和石墨烯层后的凹槽中，栅极凹槽刻蚀至P‑GaN层中；n沟道器件源漏极设置在刻蚀外延层至势垒层底部的凹槽中，栅电极位于未刻蚀P‑GaN层上方；器件间通过深入缓冲层的隔离槽实现隔离。本发明通过引入二维介质层和石墨烯层，在P‑GaN界面诱导二维空穴气，显著提升了空穴载流子浓度，解决了p沟道器件性能瓶颈，实现了高速、低功耗的单片集成互补逻辑。

本发明授权一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT单片集成互补型反相器，其特征在于，包括n沟道增强型GaNHEMT和p沟道增强型GaNHEMT；所述n沟道增强型GaNHEMT和p沟道增强型GaNHEMT制备在同一衬底上并沿着衬底横向方向分布； 所述衬底的一侧上方设置有所述n沟道增强型GaNHEMT和p沟道增强型GaNHEMT共用的外延层，所述外延层从下往上依次为成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和P-GaN层；所述外延层上方设置有二维介质层和石墨烯层；所述石墨烯层上方设置有隔离介质层； 在经部分刻蚀所述隔离介质层和所述石墨烯层后形成的凹槽中，设置有所述p沟道增强型GaNHEMT的源极和漏极欧姆金属； 所述p沟道增强型GaNHEMT的源极和漏极之间具有刻蚀至所述P-GaN层中的栅极凹槽；所述栅极凹槽内设置有致密介质层，所述致密介质层上方设置有p沟道栅电极； 所述n沟道增强型GaNHEMT的源极和漏极欧姆金属设置在经刻蚀所述外延层至势垒层底部形成的凹槽中；所述n沟道增强型GaNHEMT的源极和漏极之间未刻蚀所述P-GaN层区域的上方设置有致密介质层，该致密介质层上方设置有n沟道栅电极；所述n沟道增强型GaNHEMT的石墨烯层经刻蚀位于所述n沟道增强型GaNHEMT的栅极区域；通过选择性刻蚀去除所述n沟道增强型GaNHEMT的栅电极区域以外的P-GaN层，所述P-GaN层在所述n沟道增强型GaNHEMT的沟道耗尽作用消失，所述势垒层和所述沟道层由于极化效应在所述沟道层一侧的顶部界面处产生具有高电子迁移率的二维电子气； 所述n沟道增强型GaNHEMT和p沟道增强型GaNHEMT之间设置有深入至所述缓冲层的隔离槽；设置了隔离槽的晶圆区域为无源区域，设置了所述n沟道增强型GaNHEMT和p沟道增强型GaNHEMT的晶圆区域为有源区域，所述无源区域包围有源区域形成器件之间在外延层中的电气隔离。

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