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龙图腾网获悉宁波元辰新材料有限公司申请的专利一种GaCu共掺杂烧结永磁体及生产工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121483786B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610024447.5，技术领域涉及：H01F1/053；该发明授权一种GaCu共掺杂烧结永磁体及生产工艺是由卢新春;裴国庆;张世伟;郭世翰;田雨农;谢旭波;程玉凯设计研发完成，并于2026-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaCu共掺杂烧结永磁体及生产工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaCu共掺杂烧结永磁体及生产工艺，按重量百分数计包括25–35wt%的Ce、15–25wt%的Nd+Pr、0.9–1.1wt%的B、0.2–0.3wt%的Ga、0.1–0.2wt%的Cu、余量为Fe，其生产工艺包括以下步骤：S1原料熔炼；S2粉末制备，在氢气气氛下，压力为0.1‑0.2MPa，温度为300℃处理2.5‑3.5小时，然后在惰性气体保护下气流磨粉，得到平均粒径为3‑5μm的各向异性粉末；S3压制成形；S4真空烧结：将压坯在真空条件下预烧结，预烧结温度为600‑700℃，保温时间为0.8‑1.2小时，继续升温至1040‑1080℃，保温2‑4小时，随后降温至500‑600℃，保温1‑2小时，冷却即得GaCu共掺杂烧结永磁体。通过掺杂GaCu并在真空烧结与低温退火过程中实现晶界的自发钝化，从而在无镀层条件下显著提升磁体的耐蚀性能和结构稳定性。

本发明授权一种GaCu共掺杂烧结永磁体及生产工艺在权利要求书中公布了：1.一种GaCu共掺杂烧结永磁体的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1原料熔炼： 按配比称量的原料，其原料按重量百分数计包括25-35wt%的Ce、15-25wt%的Nd+Pr、0.9-1.1wt%的B、0.2-0.3wt%的Ga、0.1-0.2wt%的Cu、余量为Fe，在惰性气体保护下加热至1450-1500℃完全熔化，冷却形成母合金锭； S2粉末制备： 将母合金锭熔融后快速凝固成合金薄片，将合金薄片在氢气气氛下，压力为0.1-0.2MPa，温度为300℃处理2.5-3.5小时，然后在惰性气体保护下气流磨粉，得到各向异性粉末，各向异性粉末的平均粒径为3-5μm； S3压制成形： 将各向异性粉末在磁场作用下沿主轴方向取向冷压成型为压坯； S4真空烧结： 将压坯在真空条件下预烧结，预烧结温度为600-700℃，保温时间为0.8-1.2小时，继续升温至1040-1080℃，保温2-4小时，随后降温至500-600℃，保温1-2小时，冷却即得GaCu共掺杂烧结永磁体。

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