电子科技大学长三角研究院(湖州)廖永波获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种具有四个端口的全包栅器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211054589.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种具有四个端口的全包栅器件的制作方法是由廖永波;魏超;徐丰和;袁丕根;林嘉诚;彭鹏;黄乐天设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有四个端口的全包栅器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明专利涉及集成电路技术技术领域，尤其指一种具有四个端口的全包栅器件的制作方法。制作方法包括以下步骤：S1外延生长：首先在N+衬底上通过外延生长技术依次生长N‑外延层和P+外延层、本征硅层；S2刻蚀：将N‑外延层、P+外延层和本征硅层刻蚀除去多余部分；S3热氧化：刻蚀的部分通过热氧化工艺，生长SiO2层；S4离子注入：在本征硅层上通过离子注入工艺进行N‑区的掺杂形成N‑源区，再对N‑源区进行N+区的掺杂，形成N+源区；S5再刻蚀：在Si02层的区域进行刻蚀，得到环形槽、矩形槽和圆柱形槽。S6淀积金属：在环形槽、矩形槽和圆柱形槽淀积金属。该方法能够增强器件的抗TID效应，同时可以根据实际的电路情况对源极和衬底施加不同的电位。
本发明授权一种具有四个端口的全包栅器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有四个端口的全包栅器件的制作方法，其特征在于：所述的制作方法包括以下步骤： S1外延生长：首先在N+衬底1上通过外延生长技术依次生长N-外延层2和P+外延层3，再在所述P+外延层3上生长一层本征硅层4； S2刻蚀：将所述N-外延层2、P+外延层3和本征硅层4刻蚀除去多余部分，余下部分作为N-漏区5、P+沟道区6； S3热氧化：刻蚀的部分通过热氧化工艺，生长SiO2层7； S4离子注入：在刻蚀后余下部分的本征硅层4上通过离子注入工艺进行N-区的掺杂形成N-源区8，再对N-源区8进行N+区的掺杂，形成N+源区9； S5再刻蚀：在Si02层7的区域进行刻蚀，得到环形槽10、矩形槽11和圆柱形槽12； S6淀积金属：在所述环形槽10、矩形槽11和圆柱形槽12淀积金属。
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