北京大学许福军获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种降低高Al组分n-AlGaN材料接触电阻的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110102249.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种降低高Al组分n-AlGaN材料接触电阻的方法及应用是由许福军;沈波;张娜;王嘉铭;康香宁;秦志新设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低高Al组分n-AlGaN材料接触电阻的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体涉及一种降低器件制造工艺中高Al组分n‑AlGaN材料接触电阻的方法及应用。所述降低高Al组分n‑AlGaN材料接触电阻的方法为在保护气体作用下，对n‑AlGaN层进行表面原子吸附及退火处理；所述原子为Si原子和N原子。采用本发明所述方法可显著提高材料表面的载流子浓度，从而有助于形成优良的欧姆接触性能，降低材料的接触电阻率，解决了高Al组分n‑AlGaN材料欧姆接触制备难，尤其是刻蚀后的欧姆接触难形成的问题。所述方法过程简单易重复，有效避免了现有工艺中酸碱溶液腐蚀或者高温退火等技术带来的工艺复杂、不稳定的问题，可以保障规模化的批量生产，并且对后续的器件制作不会产生任何不良影响，具有较好的工艺兼容性。
本发明授权一种降低高Al组分n-AlGaN材料接触电阻的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种降低高Al组分n-AlGaN材料接触电阻的方法，其特征在于，在保护气体氛围下，对n-AlGaN层进行表面原子吸附及随后的高温退火处理；所述原子为Si原子和N原子； 所述表面原子吸附包括：在保护气体氛围下，向反应设备内通入NH3和SiH4，通过射频等离子体分解NH3和SiH4，所得Si和N原子吸附于n-AlGaN层表面； 所述NH3和SiH4的通入时间为3~20s； 所述n-AlGaN材料的温度不高于200℃； 当NH3和SiH4同时通入时，所述NH3和SiH4的流量比为1-10。
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