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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110901484.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权非易失性存储器装置是由朴圣根;宋在永设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：非易失性存储器装置可包括基板、第一浮置栅极、第二浮置栅极、第三浮置栅极和第四浮置栅极。基板可包括有源区域。第一至第四浮置栅极可形成在基板上。第一至第四浮置栅极可径向布置以与有源区域部分地交叠。第一浮置栅极和第三浮置栅极可沿第一方向彼此面对。第一浮置栅极和第三浮置栅极可具有不对称平面形状。第一浮置栅极和第二浮置栅极可在基本上垂直于第一方向的第二方向上彼此面对。第一浮置栅极和第二浮置栅极可具有不对称平面形状。第三浮置栅极和第四浮置栅极可沿第二方向彼此面对。第三浮置栅极和第四浮置栅极可具有不对称平面形状。第四浮置栅极和第二浮置栅极可沿第一方向彼此面对。第四浮置栅极和第二浮置栅极可具有不对称平面形状。

本发明授权非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，该存储器装置包括： 基板，该基板包括有源区域；以及 第一浮置栅极、第二浮置栅极、第三浮置栅极和第四浮置栅极，所述第一浮置栅极、所述第二浮置栅极、所述第三浮置栅极和所述第四浮置栅极形成在所述基板上，并且被布置为与所述有源区域部分地交叠， 其中，所述第一浮置栅极和所述第三浮置栅极沿第一方向布置在所述有源区域的一侧并且关于所述有源区域的中心不对称，并且所述第二浮置栅极和所述第四浮置栅极沿所述第一方向布置在所述有源区域的另一侧并且关于所述有源区域的所述中心不对称，并且 其中，所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极被布置为在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此面对，并且所述第一浮置栅极与所述第二浮置栅极不对称，并且所述第三浮置栅极和所述第四浮置栅极被布置为在所述第二方向上彼此面对，并且所述第三浮置栅极与所述第四浮置栅极不对称， 其中，所述第一浮置栅极至所述第四浮置栅极的与所述有源区域交叠的部分以相等的间隔彼此间隔开，并且 其中，所述有源区域用作有源控制栅极。

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