罗门哈斯电子材料有限责任公司I·考尔获国家专利权
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龙图腾网获悉罗门哈斯电子材料有限责任公司申请的专利光致抗蚀剂图案修整组合物和修整光致抗蚀剂图案的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114488694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111118018.8，技术领域涉及：G03F7/039；该发明授权光致抗蚀剂图案修整组合物和修整光致抗蚀剂图案的方法是由I·考尔;刘聪;K·罗威尔设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本光致抗蚀剂图案修整组合物和修整光致抗蚀剂图案的方法在说明书摘要公布了：光致抗蚀剂图案修整组合物，其包含：聚合物，所述聚合物包含含有酸可分解基团的单体作为聚合单元，所述基团的分解在所述聚合物上形成羧酸基团；非聚合物酸或非聚合物热酸产生剂；以及包含一种或多种有机溶剂的基于有机物的溶剂体系。修整光致抗蚀剂图案的方法包括将此类图案修整组合物施加到光致抗蚀剂图案上，所述光致抗蚀剂图案由包含光酸产生剂和含有酸可分解基团的聚合物的光致抗蚀剂组合物形成。所述光致抗蚀剂图案修整组合物和图案形成方法特别用于在半导体制造工业中形成精细光刻图案。
本发明授权光致抗蚀剂图案修整组合物和修整光致抗蚀剂图案的方法在权利要求书中公布了：1.一种修整光致抗蚀剂图案的方法，其包括： a提供半导体基底； b在所述半导体基底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含光酸产生剂和含有酸可分解基团的聚合物的光致抗蚀剂组合物形成，其中所述光致抗蚀剂组合物包含基于乙烯基芳香族化合物的聚合物； c将光致抗蚀剂图案修整组合物涂覆在所述光致抗蚀剂图案上，其中所述光致抗蚀剂图案修整组合物包含：聚合物，所述聚合物包含含有酸可分解基团的单体作为聚合单元，所述基团的分解在所述聚合物上形成羧酸基团；非聚合物酸或非聚合物热酸产生剂；以及包含一种或多种有机溶剂的基于有机物的溶剂体系，其中所述光致抗蚀剂图案修整组合物的所述聚合物不含酸基团，并且所述基于有机物的溶剂体系包含一种或多种非极性有机溶剂； d加热经涂覆的光致抗蚀剂图案；以及 e用冲洗剂冲洗经涂覆并加热的光致抗蚀剂图案以除去所述光致抗蚀剂图案的表面区域。
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