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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111220186.8，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权半导体装置是由高桥新之助;青池将之;长谷昌俊;播磨史生设计研发完成，并于2021-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供能够实现从晶体管的散热特性的提高的半导体装置。在由半导体构成的基板的表层部之上配置有在俯视时包含至少一个金属区域的粘合层。在粘合层之上配置有半导体元件。半导体元件包含配置在作为粘合层的一个金属区域的第一金属区域之上的第一晶体管。第一晶体管包含与第一金属区域电连接的集电极层、配置在其上的基极层、以及配置在其上的发射极层。在第一晶体管的发射极层之上配置有第一发射极电极。在第一发射极电极之上配置有第一导体突起。基板的表层部的半导体材料的导热率比第一晶体管的集电极层、基极层、以及发射极层的任何一个的导热率都高。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 基板，包含由半导体材料构成的表层部； 粘合层，配置在上述基板的表层部之上，在俯视时包含至少一个金属区域；以及 至少一个半导体元件，配置在上述粘合层之上， 上述半导体元件包含第一晶体管，该第一晶体管配置在作为上述粘合层的一个金属区域的第一金属区域之上， 上述第一晶体管包含与上述第一金属区域电连接的集电极层、配置在集电极层之上的基极层、以及配置在基极层之上的发射极层， 还具备： 第一发射极电极，配置在上述第一晶体管的发射极层之上，并与发射极层电连接；以及 第一导体突起，配置在上述第一发射极电极之上并与上述第一发射极电极电连接，并向远离上述基板的方向突出， 上述基板的表层部的半导体材料的导热率比上述第一晶体管的集电极层、基极层、以及发射极层的任何一个的导热率都高， 上述半导体元件还包含第三晶体管，该第三晶体管配置在作为上述粘合层的一个金属区域的第三金属区域之上， 上述第三晶体管包含与上述第三金属区域电连接的集电极层、配置在集电极层之上的基极层、以及配置在基极层之上的发射极层， 还具备第三发射极电极，该第三发射极电极配置在上述第三晶体管的发射极层之上，并与上述第三晶体管的发射极层电连接， 不设置与上述第三发射极电极连接的导体突起。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社村田制作所，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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