台湾积体电路制造股份有限公司陈韦志获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023718B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111013374.3，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈韦志;廖思豪;胡毓祥;郭宏瑞设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：使用具有高收缩率的无填充物绝缘材料制成再分布结构。因此，可以实现良好的平面性而不需要实施再分布结构的每个绝缘层的平坦化，从而简化再分布结构的形成。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 再分布结构，耦接至衬底的导电部件，所述再分布结构包括： 第一导电层， 第一绝缘层，位于所述第一导电层上方，所述第一绝缘层包括第一无填充物绝缘材料，所述第一绝缘层的收缩率在95%至99%之间， 第二导电层，位于所述第一绝缘层上方，所述第二导电层耦接至所述第一导电层，以及 第二绝缘层，位于所述第二导电层上方，所述第二绝缘层包括第二无填充物绝缘材料，所述第二绝缘层的收缩率在65%至80%之间；以及 所述半导体器件还包括导电连接件，电耦接至所述再分布结构。
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