三星电子株式会社李相勋获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112038403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010494337.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由李相勋;克里希那·布瓦卡;姜明吉;崔景敏设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。半导体器件包括鳍结构，其具有交替地堆叠在衬底上并在第一方向上延伸的多个第一半导体图案和多个第二半导体图案。半导体器件包括半导体盖层，其位于鳍结构的上表面上，并在与第一方向交叉的第二方向上沿鳍结构的相对侧表面延伸。半导体器件包括栅电极，其位于半导体盖层上，并在第二方向上延伸。半导体器件包括位于半导体盖层与栅电极之间的栅极绝缘膜。另外，半导体器件包括连接到鳍结构的源漏区。多个第一半导体图案包括锗Ge含量在25％至35％的范围内的硅锗SiGe，并且多个第二半导体图案包括硅Si。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 鳍结构，其具有交替地堆叠在所述衬底上并在第一方向上延伸的多个第一半导体图案和多个第二半导体图案； 半导体盖层，其位于所述鳍结构的上表面上，并在与所述第一方向交叉的第二方向上沿所述鳍结构的相对侧表面延伸； 栅电极，其位于所述半导体盖层上，并在所述第二方向上延伸； 栅极绝缘膜，其位于所述半导体盖层与所述栅电极之间；以及 源漏区，其连接到所述鳍结构在所述第一方向上的侧表面中的一个侧表面， 其中，所述多个第一半导体图案包括硅锗，并且所述多个第二半导体图案包括硅，并且 其中，所述多个第一半导体图案中的每一个具有在其竖直厚度方向上朝向其第一中心增大的第一锗浓度梯度，并且所述多个第一半导体图案中的每一个的第一中心中的第一锗含量在25%至35%的第一范围内。
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