上海芯元基半导体科技有限公司马艳红获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利发光结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224178541U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520753189.5,技术领域涉及:H10H29/24;该实用新型发光结构是由马艳红;陈朋;郝茂盛;魏帅帅;刘利设计研发完成,并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光结构在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种发光结构,该发光结构通过在每个芯片凹槽内设置一个芯片,使得相邻芯片之间存在基板材料进行隔断,从而减小相邻芯片间的光串扰现象。此外,通过在芯片凹槽的侧壁面设置第一反射层,并且芯片凹槽的侧壁倾斜,使得第一反射层能够将芯片出射到第一反射层表面的光线进行反射,使得光线由芯片凹槽的槽口射出,从而提高该发光结构的出光效率。
本实用新型发光结构在权利要求书中公布了:1.一种发光结构,其特征在于,包括: 基板,所述基板上设置有若干开口的芯片凹槽,所述芯片凹槽的侧壁倾斜,所述芯片凹槽的槽口大于槽底; 若干个芯片,每个所述芯片凹槽内设置一个所述芯片,所述芯片用于朝向所述芯片凹槽的槽口发光; 第一反射层,所述第一反射层位于所述芯片凹槽的侧壁面。
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