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北京航空航天大学王伟宗获国家专利权

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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利阵列式侵蚀率时空分布诊断方法、装置以及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121612942B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610148833.5,技术领域涉及:G01N27/20;该发明授权阵列式侵蚀率时空分布诊断方法、装置以及电子设备是由王伟宗;黄一容;张广川;白珺珲;韩明月设计研发完成,并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

阵列式侵蚀率时空分布诊断方法、装置以及电子设备在说明书摘要公布了:本发明提供了一种阵列式侵蚀率时空分布诊断方法、装置以及电子设备,涉及等离子体侵蚀率诊断领域,该方法包括:通过电流采样装置测量多条不相关支路的电流;将不相关支路的电流作为已知量通过求解基尔霍夫电流定律方程组得到网状电路中每条支路上的电流,并根据每个结点上的电压采样装置测得的结点电压通过欧姆定律得到每个侵蚀传感器单元对应的电阻值;通过热电偶监测侵蚀传感器探头的探头温度,根据电阻值和探头温度通过侵蚀传感器探头确定垂直于绝缘基体的表面的侵蚀率,根据空间范围中各个侵蚀传感器单元对应的侵蚀率利用插值法计算侵蚀率随时间的变化,得到侵蚀率时空分布诊断结果。

本发明授权阵列式侵蚀率时空分布诊断方法、装置以及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种阵列式侵蚀率时空分布诊断方法,其特征在于,应用于侵蚀率时空分布诊断系统,所述侵蚀率时空分布诊断系统包括多个侵蚀传感器单元、热电偶、电压采样装置、电流采样装置及诊断电路组件,所述侵蚀传感器单元以阵列形式设置于航天器表面相对电推力器出口的位置并与所述诊断电路组件中的电源连接形成网状电路,每个所述侵蚀传感器单元包含绝缘基体和侵蚀传感器探头,所述绝缘基体的表面镀有所述侵蚀传感器探头,所述侵蚀传感器探头所处位置对应在所述绝缘基体的背面处通过凹槽设置所述热电偶,所述网状电路的多个结点上设置有所述电压采样装置且所述网状电路的多条支路上设置有所述电流采样装置;所述方法包括: 通过所述电流采样装置测量多条不相关支路的电流,所述不相关支路为基于所述网状电路中的多条所述支路通过基尔霍夫电流定律方程求解不线性相关的一组支路电流而确定; 将所述不相关支路的电流作为已知量通过求解基尔霍夫电流定律方程组得到所述网状电路中每条所述支路上的电流,并根据每条所述支路上的电流和所述电压采样装置测得的结点电压通过欧姆定律得到每个所述侵蚀传感器单元对应的电阻值; 通过所述热电偶监测所述侵蚀传感器探头的探头温度,根据所述电阻值和所述探头温度通过所述侵蚀传感器探头确定垂直于所述绝缘基体的表面的侵蚀率,根据空间范围中各个所述侵蚀传感器单元对应的所述侵蚀率利用插值法计算所述侵蚀率随时间的变化,得到侵蚀率时空分布诊断结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学,其通讯地址为:100089 北京市海淀区学院路37号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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