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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利2.5D微凸块封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610077270.5，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权2.5D微凸块封装结构及其制备方法是由简志宏;何正鸿设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本2.5D微凸块封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种2.5D微凸块封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该2.5D微凸块封装结构包括基底芯片、基底布线组合层、基底电池组合层和第一导电凸块，基底电池组合层包括依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和固态电解质层，固态电解质层被配置为分隔第一电极层和第二电极层，第二电极层与基底布线组合层电连接。相较于现有技术，本发明实施例通过由第一电极层、第二电极层和固态电解质层在基底布线组合层中构成基底电池组合层，形成了储能结构，并且能够在基底芯片通电时充电，并在基底芯片断电时放电，实现了芯片内部储能，解决芯片在意外断电情况下的短时工作，大幅提升芯片效率。

本发明授权2.5D微凸块封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种2.5D微凸块封装结构，其特征在于，包括： 基底芯片，所述基底芯片的正面设置有基底焊盘； 基底布线组合层和基底电池组合层，所述基底布线组合层设置在所述基底芯片的正面，并与所述基底焊盘电连接；所述基底电池组合层至少部分设置在所述基底布线组合层中，被配置为在所述基底芯片通电时充电，并在所述基底芯片断电时放电； 第一导电凸块，所述第一导电凸块设置在所述基底布线组合层上，并与所述基底布线组合层电连接； 其中，所述基底电池组合层包括依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和固态电解质层，所述固态电解质层被配置为分隔所述第一电极层和所述第二电极层，所述第二电极层与所述基底布线组合层电连接； 所述基底布线组合层包括钝化层、第一介质层和第一布线层，所述钝化层覆盖在所述基底芯片的正面，并设置有露出所述基底焊盘的钝化开口，所述第一布线层设置在所述钝化层上，并延伸至所述钝化开口，且所述第一布线层与所述基底焊盘电连接，所述第一介质层设置在所述钝化层上，并覆盖所述第一布线层，所述第一导电凸块与所述第一布线层电连接，所述第二电极层与所述第一布线层电连接。

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