华中科技大学王美慧获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于热压工艺制备多层单晶石墨烯薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121556114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610086178.5，技术领域涉及：C30B1/12；该发明授权一种基于热压工艺制备多层单晶石墨烯薄膜的方法是由王美慧;韩嘉茹;单勇江;翟天佑设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于热压工艺制备多层单晶石墨烯薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种基于热压工艺制备多层单晶石墨烯薄膜的方法。将固体碳材料贴合在单晶金属箔衬底上，在含有还原性气体的保护气体氛围下，通过热压工艺进行热压复合，得到多层单晶石墨烯薄膜。本发明以单晶金属箔为衬底，以固体碳材料为碳源，构建固体碳源溶解‑金属传质‑表面析出的生长模型，利用热压复合，碳源热解产生碳原子，与单晶金属箔形成固溶体，并利用单晶金属箔两侧碳原子的势能差，实现碳原子在金属晶格中的定向传输并在表面有序析出生长，得到层数均匀可控的多层单晶石墨烯薄膜。该方法可控性强，易于实现大规模制备，为多层单晶石墨烯薄膜的高效制备提供了新途径。
本发明授权一种基于热压工艺制备多层单晶石墨烯薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于热压工艺制备多层单晶石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 将固体碳材料贴合在单晶金属箔衬底上，在含有还原性气体的保护气体氛围下，通过热压工艺进行热压复合，使固体碳材料热解产生碳原子，与单晶金属箔衬底形成固溶体，利用单晶金属箔衬底两侧碳原子的势能差，使碳原子在金属晶格中的定向传输与表面外延析出，得到多层单晶石墨烯薄膜，多层单晶石墨烯薄膜的层数为2层～10层；其中，热压复合过程中，温度为1000℃～1800℃，压力为0.1MPa～5MPa，时间为1h～24h； 单晶金属箔为单晶Cu[111]箔、单晶Ni[111]箔、单晶CuNi[111]箔、单晶Pt[111]箔、单晶Au[111]箔或单晶Co[0001]箔。
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